[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：

提供一半导体衬底；

在所述衬底表面形成第一介质层；

在所述第一介质层表面形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层、第一介质层以及衬底以在衬底中形成沟槽；

回拉所述沟槽两侧的第二介质层；

在所述沟槽底部和侧壁以及第二介质层表面形成第三介质层；

在所述沟槽中沉积绝缘物质；

平坦化所述绝缘介质以形成浅沟槽隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一介质层为垫氧化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二介质层为氮化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三介质层为衬层氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述衬层氧化层利用原位蒸气产生氧化工艺形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述原位蒸气产生氧化工艺的温度为1000～1100℃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述原位蒸气产生氧化工艺的反应气体包括氧气和氢气，其中氧气的流量为20～40sccm，氢气的流量为10～20sccm.。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于：所述原位蒸气产生氧化工艺的反应时间为30～60s。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述第二介质层表面形成光致抗蚀剂层，并图案化所述光致抗蚀剂层以定义所述沟槽位置的步骤。

10.一种在半导体器件中浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：

提供一半导体衬底；

在所述衬底表面形成垫氧化层；

在所述垫氧化层表面形成氮化硅层；

刻蚀所述氮化硅层、垫氧化层以及衬底，从而在衬底中形成沟槽；

回拉所述沟槽两侧的氮化硅层；

在所述沟槽底部和侧壁以及氮化硅层表面形成衬层氧化层；

在所述沟槽中沉积绝缘物质；

平坦化所述绝缘物质以形成浅沟槽隔离结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述衬层氧化层利用原位蒸气产生氧化工艺形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述原位蒸气产生氧化工艺的温度为1000～1100℃。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述原位蒸气产生氧化工艺的反应气体包括氧气和氢气，其中氧气的流量为20～40sccm，氢气的流量为10～20sccm.。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于：所述原位蒸气产生氧化工艺的反应时间为30～60s。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述氮化硅层表面形成光致抗蚀剂层，并图案化所述光致抗蚀剂层以定义所述沟槽位置的步骤。

16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述绝缘物质为氧化硅。