[发明专利]低温离子镀制备金属基润滑薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200610104586.1 申请日: 2006-09-14
公开(公告)号: CN101144151A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 胡明;孙嘉奕;翁立军;刘维民;高晓明;李陇旭;汪晓萍;罗正义;杨军;伏彦龙 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46;C23C14/06;C23C14/54
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 代理人: 方晓佳
地址: 730000甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 低温 离子镀 制备 金属 润滑 薄膜 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种在低温下用离子镀制备金属基润滑薄膜的方法。具体地讲,本发明涉及一种用离子镀膜设备在低温冷却的基体上沉积金属基润滑薄膜的方法。

背景技术

用Ag、Ni、Cu、Pb、Au等金属及其合金在精密运动部件表面沉积制备一层单层或复合/多层薄膜,可以在真空、辐射以及高、低温等环境下起到润滑作用。离子镀技术制备的金属基润滑薄膜由于其附着力强、绕射性好并且沉积的金属基润滑薄膜摩擦学性能良好等优点而获得较多应用。近年来,随着航天、核能等领域的飞速发展,对固体润滑薄膜材料提出了更高的要求。进一步提高金属基润滑薄膜材料性能的方法主要包括:制备金属基多层/复合薄膜,改进制备设备及制备方法等。目前,现有离子镀金属润滑薄膜的沉积温度主要分布在室温至高温的范围。所制备润滑薄膜的性能在某些工况条件下难以满足需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在低温条件下,用离子镀制备金属基润滑薄膜的方法。

本发明制备的金属基润滑薄膜具有与基体结合力较高,润滑性能良好并且可避免沉积过程中较高的温度对零件尺寸和力学性能产生的影响。

本发明低温离子镀制备金属基润滑薄膜的方法通过如下措施来实现:

将金属靶材装入离子镀膜机的预留靶口上,将洁净的基体装夹到可进行低温冷却的试样夹具上,开启真空系统抽真空到6.0×10-3~6.0×10-4Pa,通入0.5~5.0Pa的Ar气并在-50V~-3000V的负偏压下进行离子轰击以洁净表面。在试样夹内通入液氮对基体进行冷却,使温度达到-20℃~-178℃温度范围后,靶材通电开始沉积制备润滑薄膜,镀膜结束后自然升温到室温后取出镀膜基体。

本发明采用离子镀作为沉积薄膜的技术手段,利用具有贮液功能的试样夹具夹持待镀膜基体,在镀膜过程中向试样夹具内通入液氮使基体获得低温条件。该薄膜制备方法优点是在薄膜沉积过程中使基体获得低温条件,同时不影响直流偏压、靶材电压、电流和沉积气氛分压等主要镀膜参数的选择应用。

一种低温离子镀制备金属基润滑薄膜的方法,其特征在于该方法依次包括如下步骤:

A、制备与安装金属靶材

使用金属材料,加工成φ60mm~80mm,高40mm~50mm的圆柱形状靶,将靶材安装在离子镀膜设备的镀膜室侧壁上的预留靶口内;

B、安装待镀膜基体

将待镀膜基体清洗干净并烘干后装入镀膜室内的试样夹具上,使待镀膜基体与靶材之间的距离保持在80mm~200mm,并且使基体表面法线与靶材表面法线间的夹角在-30°~+30°之间,同时在待镀膜基体与试样夹具工装的贴合面安装测温元件,以检测基体沉积温度;

C、离子轰击处理

将镀膜室抽真空至6.0×10-3 Pa~6.0×10-4Pa,充入高纯氩气1.0Pa~5.0Pa,离子轰击电压-50V~-3000V;

D、低温获得过程

通过进液管路向试样夹具内通入液氮,从而使待镀膜基体温度降低到一20℃~-178℃,待镀膜基体温度由测温元件直接监测;

E、镀膜

镀膜Ar气压10-2Pa~100Pa,金属靶材电压10V~40V,电流40A-100A,工作偏压0V~-3000V,沉积时间10s~30min;镀膜结束后自然升温至室温。

本发明所使用的金属材料选自Ag、Ni、Cu、Cr或AgCu合金。

本发明所使用的待镀膜基体选自钢、铜或硅片。

本发明是结合基体低温冷却方法与离子镀技术产生的方法,制备的金属基润滑薄膜与基体结合力较高,润滑性能良好,是一种具有应用潜力的金属基润滑薄膜制备方法。

该薄膜制备方法优点是在薄膜沉积过程中使基体获得低温条件,同时不影响直流偏压、靶材电流、电压和沉积气氛分压等主要镀膜参数的选择,采用该方法制备的金属基润滑薄膜与基体结合力较高,润滑性能良好,是一种具有应用潜力的金属基润滑薄膜制备方法。

附图说明

图1为低温离子镀沉积金属基润滑薄膜设备构造示意,其中:①直流偏压电源②弧电源③金属靶材④阳极屏蔽⑤测温元件⑥试样夹具(具有贮液功能)⑦基体⑧等离子体气氛⑨靶材冷却水管。

图2为实施例1中低温离子镀Ag膜的XRD谱图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所,未经中国科学院兰州化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610104586.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top