[发明专利]探针卡的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种测试模组的制造方法，且特别是有关于一种探针卡的制造方法。

背景技术

集成电路晶片(integrated circuit chip，IC chip)的测试在半导体制程(semiconductor process)的不同阶段都是必要的。每一个IC晶片在晶圆(wafer)与封装(package)型态都必须接受测试以确保其电性功能(electrical function)。随着晶片功能的加强与复杂化，高速与精确的测试需求也就更加重要。

在晶圆型态测试个别晶片，其过程称为晶圆探测(wafer test)。晶圆探测是在晶片与自动测试设备之间建立暂时的电性接触。晶圆探测是IC设计与功能的重要测试，以便进行晶片分离与后续封装之前，筛选出良好的IC晶片。

此测试方式乃是以测试机台与探针卡(Probe Card)构成测试回路，将探针卡上的探针头(Probe Pin)直接与晶片上的焊垫(Pad)或凸块(Bump)直接接触，而利用探针探测晶圆上的各个晶片，从而引出晶片讯号，并将此晶片讯号资料送往测试机台作分析与判断，而使得在进入封装步骤前，可事先滤除电性与功能不良的晶片，以避免不良品的增加而提高封装制造成本。

然而，由于随着焊垫或凸块的间距(pitch)逐渐缩小，探针的间距也必须随之缩小。此外，随着焊垫或凸块面积的缩小，探针的直径也随之缩小。因此，一般的制造技术逐渐面临瓶颈。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种探针卡的制造方法，以增加探针位置与直径的精度。

此外，本发明的另一目的是提供一种探针卡的制造方法，以降低探针卡的制造成本。

为达上述或其他目的，本发明提出一种探针卡的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供一基板，并在基板上形成一第一钝化层。在第一钝化层上形成一第一图案化光阻层。在第一钝化层与第一图案化光阻层上形成一第一金属层，其中第一金属层具有多个第一贯孔，其暴露出部分第一图案化光阻层，且各第一贯孔的孔径自第一金属层的下表面往第一金属层的上表面逐渐增加。在第一金属层与第一图案化光阻层上形成一第二钝化层。在第二钝化层上形成一第二图案化光阻层，其中第二图案化光阻层具有多个第二贯孔，分别暴露出第一贯孔。在这些第二贯孔与这些第一贯孔内形成多个针体，并在第二图案化光阻层上形成一第二金属层，且这些针体的一端与第二金属层连接。取出针体与第二金属层。然后，提供一线路载板，且线路载板具有多个第三贯孔，并将这些针体分别插入这些第三贯孔内。图案化第二金属层，以形成多个顶部，且各顶部与这些针体其中之一相连。

在本发明的一实施例中，第一钝化层的材质可以是铬、钛或不锈钢。

在本发明的一实施例中，第二钝化层的材质可以是铬或钛。

在本发明的一实施例中，取出这些针体与第二金属层的步骤包括分离第二钝化层与针体。然后，移除第二图案化光阻层。

在本发明的一实施例中，基板可以是硅晶圆、光学玻璃基板或不锈钢。

为达上述或是其他目的，本发明提出另一种探针卡的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供一基板，并在基板上形成一钝化层。在钝化层上形成一第一图案化光阻层。在钝化层与第一图案化光阻层上形成一第一金属层，其中第一金属层具有多个第一贯孔，其暴露出部分第一图案化光阻层，且各第一贯孔的孔径自第一金属层的下表面往第一金属层的上表面逐渐增加。对于第一金属层与第一图案化光阻层进行一钝化处理。在第一金属层上形成一第二图案化光阻层，其中第二图案化光阻层具有多个第二贯孔，分别暴露出第一贯孔。在这些第二贯孔与这些第一贯孔内形成多个针体，并在第二图案化光阻层上形成一第二金属层，且这些针体的一端与第二金属层连接。取出针体与第二金属层。然后，提供一线路载板，且线路载板具有多个第三贯孔，并将这些针体分别插入这些第三贯孔内。图案化第二金属层，以形成多个顶部，且各顶部与这些针体其中之一相连。

在本发明的一实施例中，钝化处理可以是浸泡钝化液。

在本发明的一实施例中，钝化层的材质可以是铬或钛。

在本发明的一实施例中，取出这些针体与第二金属层的步骤包括分离第一金属层与针体。然后，移除第二图案化光阻层。

在本发明的一实施例中，基板可以是硅晶圆、光学玻璃基板或不锈钢。

基于上述，本发明采用半导体制程定义出探针的位置与几何尺寸，然后利用针体与第二钝化层之间接合力不佳的现象，以取出探针阵列。因此，探针位置与几何尺寸的精度能够增加。