[发明专利]一种高迁移率各向异性有机场效应管的制备方法

权利要求书

1，一种结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，首先沉积生长第一层有机半导体薄膜，然后通过氧气等离子体干法刻蚀技术把设计好的图形转移到第一层有机薄膜表面上，再沉积生长第二层有机半导体薄膜，由于受到第一层有机物表面图形的诱导，第二层有机半导体材料会形成各向异性的薄膜，接着沉积源  漏金属电极，完成高迁移率各向异性的有机场效应晶体管的制备。

2，根据权利要求1所述的结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，由一次绝缘介质沉积，两次有机半导体薄膜沉积，一次氧气等离子体干法刻蚀和一次金属沉积，获得高迁移率各向异性的有机场效应管，其步骤如下：

步骤1、在导电基底上制备绝缘介质层；

步骤2、在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜；

步骤3、利用镂空模板采用氧气等离子体干法刻蚀有机薄膜，将

制备好的镂空模板置于有机半导体薄膜之上并紧密接触，进行氧气等离子体干法刻蚀，把设计的镂空模板图形转移到第一层有机薄膜上；

步骤4、在第一层有机薄膜表面上沉积生长第二层同质有机物薄膜；

步骤5、通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极，完成高迁移率各向异性有机场效应管的制备。

3，根据权利要求1所述的结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，其特征在于，其中所述的基底是电阻率较低的导电材料，其目的是作为有机场效应管的栅极。

4，根据权利要求1所述的结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，其特征在于，其中所述的在基片表面上淀积的介质层薄膜是采用热氧化生长或化学气相沉积的方法获得。

5，根据权利要求1所述的结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，其特征在于，其中所述有机薄膜的沉积采用真空热蒸镀技术，其目的是在介质层上生长出大晶粒的有序的连续有机半导体薄膜。

6，根据权利要求1所述的结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，其特征在于，有机半导体薄膜一共有两层，其中第一层薄膜经真空沉积后，通过氧气等离子体干法刻蚀技术将镂空刻蚀模板上的图形转移到第一层有机半导体薄膜表面上第二层有机材料经真空沉积到图形化后的第一层有机薄膜表面上，形成有取向的各向异性半导体薄膜。

7，根据权利要求1所述的结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，其中所述的源漏金属电极是采用金属蒸发技术或磁控溅射的方法沉积的。