[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，设有：沟道层，在半绝缘基片上用含有不含铝的3～5族化合物半导体的外延层形成；栅极接触层，在该沟道层上用含有含铝的带隙能大的3～5族化合物半导体的搀杂浓度在1×10¹⁶cm^-3以下的外延层形成；栅极掩埋层，在该栅极接触层上用含有不含铝的3～5族化合物半导体的搀杂浓度在1×10¹⁶cm^-3以下的外延层形成；和栅极电极，掩埋在该栅极掩埋层中，与该栅极接触层连接，其特征在于，

在上述栅极掩埋层内设有凹槽，其通过间隙与该栅极电极的侧壁上部相对，并留出与该栅极电极侧壁下部连接的上述栅极掩埋层的一部分。

2.权利要求1记载的场效应晶体管，其特征在于，

上述凹槽和上述栅极接触层之间的上述栅极掩埋层的膜厚超过0nm，在50nm以下，而且，不设置上述凹槽的上述栅极掩埋层的膜厚在50nm以上。

3.权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于，

与上述栅极掩埋层的外延界面平行的方向上的上述凹槽宽度超过0μm，在0.5μm以下。

4.权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于，

具有连接除上述栅极掩埋层的上述栅极电极以及上述凹槽以外的区域的源极电极和漏极电极，

重叠在上述沟道层、上述栅极接触层以及上述栅极掩埋层的上述源极电极以及上述漏极电极上的区域，是注入作为施主而贡献的原子的n型半导体层。

5.权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于，

上述沟道层是高电子迁移率的场效应晶体管用的外延层。