[发明专利]制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法无效
| 申请号： | 200610012247.0 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101089219A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 戴瑞烜;陈诺夫;彭长涛;王鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 网状 纳米 阵列 铁磁性 薄膜 物理 沉积 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)选择基底材料，选择锰金属和锑金属为源；
2)将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉；
3)抽真空，控制锰源和锑源的温度和生长时间；
4)退火；
5)完成薄膜的制备工艺。
2、根据权利要求1所述的制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，其中抽真空至真空度优于10-5mbar，控制锰源的温度在800℃-900℃；控制锑源的温度在400℃-500℃，生长时间控制在60min-180min。
3、根据权利要求1所述的制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，其中基底选择的是多孔硅。
4、根据权利要求3所述的制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，其中多孔硅为单晶Si经电化学腐蚀处理得到。
5、根据权利要求1所述的制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，其中的退火是指氮气保护下的退火，退火温度范围：200℃-400℃，退火时间为20-60min。
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