[发明专利]以传导纳米棒作为透明电极的发光装置

权利要求书

1、一种发光装置，包括：

第一传导半导体层，发光有源层和第二传导半导体层，各层依次层叠在基片上；

多个纳米棒，由透明传导材料生长而成，形成于第二传导半导体层上；

形成于该多个纳米棒上的电极；以及

另一个形成于第一传导半导体层上的电极。

2、根据权利要求1所述的发光装置，其进一步包括设置在该多个纳米棒和形成于该多个纳米棒上的电极之间的透明电极。

3、一种发光装置，包括：

第一传导半导体层，发光有源层和第二传导半导体层，各层依次层叠在基片上；

多个纳米棒，由透明传导材料生长而成，形成于第二传导半导体层上；

形成于该多个纳米棒上的电极；以及

另一个成形于第二传导半导体层上的电极。

4、根据权利要求1所述的发光装置，其进一步包括设置在该多个纳米棒和形成于该多个纳米棒上的电极之间的透明电极。

5、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒中每个纳米棒的直径范围从2nm到1μm，长度范围从10nm到50μm。

6、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒中每个纳米棒由在400nm到800nm可见光波长范围内具有70％或更高透明度的材料构成。

7、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒中每个纳米棒是从由ZnO(氧化锌)，ITO(氧化铟锡)，GaN(氮化镓)以及其混合物组成的群组中选出的任何一种构成。

8、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒中每个纳米棒进一步用从由Mg、Cd、Ti、Li、Cu、Al、Ni、Y、Ag、Mn、V、Fe、La、Ta、Nb、Ga、In、S、Se、P、As、Co、Cr、B、N、Sb、Sn、H以及其混合物组成的群组中选出的任何一种掺杂材料进行掺杂。

9、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒中每个纳米棒由Zn₂SnO₄，ZnSnO₃，ZnIn₂O₅，ZnO-In₂O₃，Zn₂In₂O₅-In₄Sn₃O₁₂和MgIn₂O₄-Zn₂InO₅组成的群组中选出的任何一种构成。

10、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒中每个纳米棒进一步用从由AlN，InN，GaInN，AlGaN，AlInN，ZnMgO，Al₂O₃，MgO和其混合物组成的群组中选出的任何一种材料涂布。

11、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒包括装入纳米棒之间的缝隙中以使纳米棒的上表面或其上端袒露的透明材料。

12、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该多个纳米棒中每个纳米棒使用包括掺杂处理、等离子体处理或退火处理在内的后处理过程形成。

13、根据权利要求1到4中任一条所述的发光装置，其中，该装置为在可见光范围、红外线范围或紫外线范围内的发光二极管。

14、一种发光装置，包括：

透明电极，第一传导半导体层，有机材料发光层和第二传导半导体层，各层依次层叠在基片上；

多个纳米棒，由透明传导材料生长而成，形成于第二传导半导体层上；以及

形成于该多个纳米棒上的电极。

15、一种发光装置，包括：

第一传导半导体层，有机材料发光有源层和第二传导半导体层，各层依次层叠在基片上；

多个纳米棒，由透明传导材料生长而成，形成于该基片和第一传导半导体层之间；以及

形成于第二传导半导体层上的电极。