[发明专利]对非易失性电荷存储存储器单元编程的衬底电子注入技术

权利要求书

1.一种对与共同控制栅极线耦合的多个存储器单元进行选择性编程的方法，其中将所述存储器单元形成在一种导电类型的半导体阱内，所述存储器单元各自具有：具有相反导电类型的源极区和漏极区，所述区形成在所述阱的表面中且所述区之间具有沟道区；电荷存储元件，其位于所述沟道的至少一部分上，所述阱形成在具有所述相反导电类型的半导体区中，所述方法包含：

将编程电压施加到所述共同控制栅极线，

通过允许沿着所述控制栅极线的所述多个存储器单元中的至少一些存储器单元的源极区和漏极区电浮动而对所述至少一些存储器单元进行编程，和

通过将电压施加到沿着所述控制栅极线的所述多个存储器单元中的其它存储器单元的源极区和漏极区中的至少一者而禁止对所述其它存储器单元的编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中施加编程电压包括：将一系列电压脉冲施加到所述共同控制栅极线，且其中禁止对所述多个存储器单元中的其它存储器单元的编程包括将电压施加到所述其它存储器单元的源极区和漏极区中的至少一者，所述电压在个别电压脉冲的上升时间期间增加。

3.根据权利要求2所述的方法，其中施加电压包括：在个别电压脉冲的上升时间的一部分期间将电位施加到其源极区和漏极区中的至少一者，随后在所述上升时间的剩余部分期间施加逐步增加的电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述共同控制栅极线为根据NAND架构的存储器单元阵列的多个字线中的一个字线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述共同控制栅极线为根据NOR架构的存储器单元阵列的多个字线中的一个字线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将编程电压施加到所述共同控制栅极线包括用以下方式进行此施加：使沿着所述控制栅极的所述多个存储器单元中的所述至少一些存储器单元在其沟道区下方在深耗尽模式下操作以使所述阱与所述半导体区域之间的相反导电类型的接面正向偏压从而产生用于一深耗尽区的电子。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将电压施加到所述多个存储器单元中的其它存储器单元的源极区和漏极区中的至少一者包括以促使所述其它存储器单元的沟道区的导电类型发生反转的方式进行此施加。

8.一种在非易失性存储器单元阵列中对沿着字线中的共同字线的不同串中的存储器单元进行选择性编程的方法，其中所述非易失性存储器单元阵列形成在具有第一导电类型的半导体衬底阱中且电荷存储元件定位于跨越其中的具有第二导电类型的源极区与漏极区之间的表面，所述衬底阱在具有所述第二导电类型的半导体材料的衬底内形成介面，其中所述存储器单元排列在多个串联连接的串中，且字线延伸跨越所述多个串中的存储器单元的电荷存储元件，所述方法包含：

允许沿着所述字线中的共同字线的第一群组存储器单元的源极区和漏极区电浮动，

将编程电压施加到所述共同字线，所述编程电压足以导致电荷从所述衬底注入所述第一群组中的存储器单元的电荷存储元件中，和

将电压施加到沿着所述共同字线的第二群组存储器单元的源极区和漏极区中的至少一者，所述电压足以在将所述编程电压施加到所述共同字线期间禁止所述第二群组存储器单元的编程。

9.根据权利要求8所述的方法，其中将电压施加到沿着所述共同字线的所述第二群组存储器单元的源极区和漏极区中的至少一者包括：经由所述个别串中的其它存储器单元对所述第二群组存储器单元施加电位，其中所述第二群组存储器单元为所述个别串的一部分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中施加编程电压包括将连续的电压脉冲施加到所述共同字线，且其中将电压施加到所述第二群组存储器单元的源极区和漏极区中的至少一者包括：在所述编程脉冲的上升时间期间，首先对所述第二群组存储器单元施加一个电位且接着施加在所述脉冲期间维持的增加的正电压，其中经由所述个别串中的其它存储器单元将所述电压施加到所述第二群组存储器单元，其中所述第二群组存储器单元为所述个别串的一部分。