[发明专利]偏光制品及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200580043942.7 申请日: 2005-12-14
公开(公告)号: CN101084111A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: D·亨利;M·-M·比尔;M·M·迈耶-弗雷德霍姆;X·G·拉福斯 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: B32B3/28 分类号: B32B3/28;B32B3/00;B32B3/04;B32B17/00;B29C65/00;G02C1/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沙永生
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 偏光 制品 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种偏光制品,包括具有至少一个表面的透光基材、至少一部分所述表面上的偏光层、和所述偏振层上的保护层,其特征在于,在所述基材和偏光层之间存在其组成与邻接偏光层的基材的组成不相同的硅氧化物中间层。

2.如权利要求1所述的偏光制品,其特征在于,所述偏光层包含有机偏振染料。

3.如权利要求1或2所述的偏光制品,其特征在于,所述偏光层是就地沉积的层。

4.如权利要求1或2所述的偏光制品,其特征在于,所述硅氧化物中间层在远离基材的面上包含多个基本平行的微槽,并且所述偏光层包含直接沉积在中间层的有微槽的面上的有机偏光染料。

5.如权利要求1或2所述的偏光制品,其特征在于,在所述基材和所述硅氧化物中间层之间还包括至少一层铬内层,所述铬内层促进所述硅氧化物中间层的粘着,所述铬内层与所述硅氧化物中间层的组成不同。

6.一种制备偏光制品的方法,包括下列步骤:

(A)提供具有至少一个表面的透光基材;

(C)在至少一部分所述表面上形成偏光层;

(D)在偏光层上和邻接偏光层处形成保护层;

其特征在于:

在步骤(A)和(C)之间,还包括额外步骤(B),该步骤如下:

(B)在偏振层和基材之间沉积硅氧化物中间层,所述硅氧化物中间层邻接偏振层,并且,步骤(C)包括下列步骤(C1)和(C2):

(C1)在远离基材并在步骤(B)中沉积了硅氧化物中间层的的表面上形成许多基本上平行的微槽;和

(C2)在步骤(C1)中形成的微槽上和邻接微槽处沉积包含偏振染料的偏光层。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,在步骤(C2)中,偏光层就地沉积在微槽上,使得至少一部分偏振染料沉积在微槽内。

8.如权利要求6或7所述的方法,其特征在于,在步骤(A)后包括额外的步骤(A1)如下:

(A1)在所述基材和所述硅氧化物中间层之间形成与硅氧化物中间层不同的至少一层促粘铬内层;

其中,在步骤(B)中,所述硅氧化物中间层直接在步骤(A1)中形成的铬内层上和邻接该铬内层处形成。

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