[其他]沉积垂直方向电阻的方法

权利要求书

1、半导体器件中制造两个导电区之间的电阻的方法，其特征在于包括在所述导电区之间形成一层由富硅氮化硅组成的半绝缘薄膜，该薄膜与所述两个导电区均接触并在所述导电区之间形成电阻。

2、根据权利要求1所述方法，其特征在于：所述半绝缘薄膜是采用等离子体增强型化学汽相淀积法淀积而成的。

3、在集成电路中被一层绝缘层隔开的两个导电区之间制造电阻的方法，该方法的特征在于包括以下步骤：

在衬底上形成第一导电区;

在所述第一导电区上形成一氧化层;

在所述氧化层上形成一绝缘层;

在所述氧化层和所述绝缘层内开一窗口;

利用等离子体增强型化学汽相淀积技术，使具有硅烷，氮和氨的混合物的富硅氮化硅在所述窗口内形成半绝缘薄膜，所述薄膜与所述第一导电区相接触;

在所述薄膜上形成第二导电区;

于是一个电阻元件便出现在所述两导电区之间。

4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述第二导电层是由在所述富硅氮化硅薄膜上的一层钛和在该钛层上的一层铝-硅层组成。

5、制造集成电路电阻的方法，其特征在于包括以下步骤：

在衬底上生长一层栅氧化层;

除去一部分所述栅氧化层;以使该部分的衬底暴露;

在所述栅氧化层上和所述暴露部分的衬底上形成多晶硅层;

通过磷扩散对所述多晶硅层进行掺杂，于是在所述暴露部分的衬底中形成一个埋置接触区;

在所述多晶硅层上形成一层钨-硅层;

在所述钨硅层上生长一层氧化层;

在所述氧化层上形成一绝缘层;

在所述绝缘层上和所述氧化层上开一窗口，使所述开口延伸到所述钨-硅层;

用等离子体增强型化学汽相淀积技术在所述窗口中淀积形成富硅氮化硅薄膜，所述富硅氮化硅薄膜接触所述钨-硅层;

在所述富硅氮化硅薄膜上形成一包括钛层和铝硅层的导电层;于是

一个电阻元件便制作在集成电路的两个导体之间。

6、根据权利要求3或5的方法，其特征在于所述绝缘层是由选自包括亚磷玻璃（phosphorusglass）和硼-二氧磷基硅酸盐玻璃的这组材料中的一种材料组成。

7、根据权利要求6的方法，其特征在于所述富硅氮化硅薄膜是在压力约为0.5～1.5托，温度约为308～505℃条件下，由硅烷氮和氨的混合物所形成。