[发明专利]具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 02822649.6 | 申请日： | 2002-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1586012A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 石甫渊;苏根政 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/94;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;关兆辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电荷 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
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