[发明专利]在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法

权利要求书

1、一种在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法，包括清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、去胶(6)以及引线的工艺过程，其特征是，在对金刚石对顶砧砧面的清洁处理后先进行溅射电极材料(2)，再进行涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线；所说的溅射电极材料(2)是在金刚石对顶砧上溅射厚度为1000～2500的钨或铬或钛的金属薄膜(8)，溅射过程中衬底温度保持在240～400℃；所说的光刻(4)过程是涂胶(3)后经曝光显影，保留需要集成电极部位的光刻胶(9)，而其余的地方光刻胶(9)被去掉；所说的腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料；所说的去胶(6)是去掉金属电极上面的起掩盖作用的光刻胶(9)，以露出金属电极；所说的引线是将金属丝粘结在金刚石对顶砧的侧面上。

2、按照权利要求1所述的在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法，其特征是，所说的溅射电极材料(2)是，采用直流磁控溅射方法溅射出金属薄膜(8)，该金属薄膜(8)是金属钼薄膜；在腐蚀金属(5)过程之前用手工方式将光刻胶(9)涂抹在金刚石对顶砧的侧面；腐蚀金属(5)是将光刻好的金刚石对顶砧放在Mo的光刻腐蚀剂中，去掉未经光刻胶(9)保护的金属薄膜(8)，光刻腐蚀剂的原料及配比按体积比为HNO₃∶H₃PO₄∶CH₃COOH∶H₂O＝1∶(0.4～0.5)∶(1.3～1.6)∶(0.6～0.9)。

3、按照权利要求1所述的在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法，其特征是，所说的溅射电极材料(2)是，采用直流磁控溅射方法溅射出金属薄膜(8)，该金属薄膜(8)是金属铬薄膜；铬的光刻腐蚀剂是盐酸。

4、按照权利要求1所述的在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法，其特征是，所说的溅射电极材料(2)是，采用直流磁控溅射方法溅射出金属薄膜(8)，该金属薄膜(8)是金属钛薄膜；钛的光刻腐蚀剂是氢氟酸。

5、按照权利要求1或2所述的在金刚石对顶砧上集成金属电极的方法，其特征是，所说的引线过程是利用银浆将外引线铜丝和金刚石对顶砧侧面的电极粘结在一起，并在150～170℃的环境下固化1小时以上。