[发明专利]声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法

权利要求书

1.一种声表面波元件，其特征在于，包括

压电基板、

在所述压电基板的一主面上形成的梳形电极、

在所述压电基板的所述一主面上形成的电极衬垫，

在所述电极衬垫上形成的中间电极、

在所述中间电极上形成的上部电极、及

在所述上部电极上形成的补片电极，

所述中间电极由拉伸应力低于规定值、并与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于规定值的金属薄膜组成。

2.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，

所述中间电极由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成。

3.如权利要求1所述的声表面波元件，其特征在于，

所述中间电极由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成。

4.如权利要求2所述的声表面波元件，其特征在于，

所述NiCr用蒸发法形成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的声表面波元件，其特征在于，

所述上部电极由Al或含Al的合金组成。

6.一种声表面波装置，其特征在于，包括

声表面波元件、

形成封装电极的封装容器、及

气密封闭所述封装容器的帽盖，

所述声表面波元件，包括

压电基板、

在所述压电基板的一主面上形成的梳形电极、

在所述压电基板的所述一主面上形成的电极衬垫、

在所述电极衬垫上形成的中间电极、

在所述中间电极上形成的上部电极、及

在所述上部电极上行成的补片电极，

所述中间电极由拉伸应力低于规定值，并与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于规定值的金属薄膜组成，

所述补片电极与所述封装电极连接。

7.如权利要求6所述的声表面波装置，其特征在于，

所述中间电极由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成。

8.如权利要求6所述的声表面波装置，其特征在于，

所述中间电极由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成。

9.如权利要求7所述的声表面波装置，其特征在于，

所述NiCr由蒸发法形成。

10.如权利要求6至9中任一项所述的声表面波装置，其特征在于，

所述上部电极由Al或含Al的合金组成。

11.一种声表面波元件的制造方法，其特征在于，包括以下工序

第1工序，在压电基板的一主面上形成规定图形的梳形电极及电极衬垫、

第2工序，在所述电极衬垫的一部分以外的区域和所述梳形电极的区域上形成保护摸、

第3工序，将所述保护摸作为掩膜，在所述电极衬垫一部分上形成中间电极、

第4工序，将所述保护摸作为掩膜，在所述中间电极上形成上部电极、

第5工序，除去所述保护摸、及

第6工序，在所述上部电极上形成补片电极，

在所述第3工序，形成拉伸应力低于规定值，并与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于规定值的金属薄膜，作为中间电极。

12.如权利要求11所述的声表面波元件的制造方法，其特征在于，

在所述第3工序，形成由Cr浓度在15～30重量％范围内的NiCr组成的中间电极。

13.如权利要求11所述的声表面波元件的制造方法，其特征在于，

在所述第3工序，形成由Cr浓度在18～28重量％范围内的NiCr组成的中间电极。

14.如权利要求12或13所述的声表面波元件的制造方法，其特征在于，

所述NiCr由蒸发法成膜。