[发明专利]高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在制作电阻率约为0.8～10×10^-3Ωcm的高电阻导电膜时所使用的高电阻透明导电膜用溅射靶(Sputtering targot)及使用它制造高电阻透明导电膜的高电阻透明导电膜的制造方法。

背景技术

由于氧化铟-氧化锡(In₂O₃-SnO₂的复合氧化物，以下称为‘ITO’)膜的可见光透过性高，且导电性高，所以作为透明导电膜被广泛应用于液晶显示装置、玻璃的防止结霜用发热膜和红外线反射膜等。

例如，就平板显示(FPD)中所使用的透明导电膜来说，选择低电阻(电阻率约为2×10^-4Ωcm)的透明导电膜。

另一方面，从原理上来看，安装在这样的FPD等上而使用的电阻式按键操纵板用透明导电膜，作为要求特性，需要高电阻的透明导电膜。然而，目前存在如下问题：若使用被用于FPD的ITO，则必须是非常薄的膜，这样不能确保按键操纵板的强度。

另外，若将溅射靶自身的电阻变为高电阻，就不能使用比高频磁控管价格便宜的DC磁控管溅射装置，存在设备投资较大的问题。

发明内容

鉴于这样的情况，本发明的目的在于提供一种高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法，基本上能够使用DC磁控管溅射装置，可以制作成透明且高电阻的膜。

为了达到上述目的，本发明的第1方式在于高电阻透明导电膜用溅射靶，是用于形成电阻率约为0.8～10×10^-3Ωcm的高电阻导电膜的高电阻透明导电膜用氧化铟系溅射靶，其特征是，含有氧化铟及根据需要的氧化锡，并且含有绝缘性氧化物。

在该第1方式中，通过在氧化铟系溅射靶中添加绝缘性氧化物，可以不使靶自身的电阻率产生大的变化，而提高所形成的透明导电膜的电阻率。

本发明的第2方式在于高电阻透明导电膜用溅射靶，其特征是，在第1方式中，所述绝缘性氧化物是选自氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化铌、氧化钇、氧化铈、氧化镨、氧化铍、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化钪、氧化钛、氧化锆、氧化钒、氧化硼、氧化镓、氧化锌、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化钼、氧化磷和氧化镧族元素的至少一种。

在该第2方式中，通过添加氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铌、氧化钇、氧化铈、氧化镨等，可以不使靶自身的电阻率产生大的变化，而提高所形成的透明导电膜的电阻率。

本发明的第3方式在于高电阻透明导电膜用溅射靶，其特征是，在第2方式中，所述绝缘性氧化物是氧化硅。

在该第3方式中，通过添加氧化硅，可以不使靶自身的电阻率产生大的变化，而提高所形成的透明导电膜的电阻率。

本发明的第4方式在于高电阻透明导电膜用溅射靶，其特征是，在第1～3的任一方式中，相对于1摩尔铟，构成所述绝缘性氧化物的元素为0.00001～0.26摩尔。

在该第4方式中，通过添加给定量的绝缘性氧化物，可以不使靶自身的电阻率产生大的变化，而提高所形成的透明导电膜的电阻率。

本发明的第5方式在于高电阻透明导电膜用溅射靶，其特征是，在第1～4的任一方式中，相对于1摩尔铟，含有0～0.3摩尔锡(Sn)。

在该第5方式中，成为以氧化铟为主体、根据需要含有氧化锡的溅射靶。

本发明的第6方式在于高电阻透明导电膜用溅射靶，其特征是，在第1～5的任一方式中，可以通过DC磁控管溅射形成电阻率为0.8～10×10^-3Ωcm的透明导电膜。

在该第6方式中，可以通过DC磁控管溅射制作成高电阻的透明导电膜。

本发明的第7方式在于高电阻透明导电膜的制造方法，其特征是，使用含有氧化铟及根据需要的氧化锡、并且含有绝缘性氧化物的氧化铟系溅射靶，通过DC磁控管溅射形成电阻率为0.8～10×10^-3Ωcm的透明导电膜。

在该第7方式中，通过使用已添加有绝缘性氧化物的氧化铟系溅射靶，可以不使靶自身的电阻率产生大的变化，而由DC磁控管溅射来形成电阻率为0.8～10×10^-3Ωcm的透明导电膜。