[发明专利]表面上形成微细突起的陶瓷部件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 02103132.0 申请日: 2002-01-31
公开(公告)号: CN1369465A 公开(公告)日: 2002-09-18
发明(设计)人: 河合和秀;乌井骏藏;高桥真人;设乐広明;德岳文夫;市乌雅彦;铃木崇;松山丰和;上本英雄 申请(专利权)人: 东芝陶磁股份有限公司
主分类号: C04B41/91 分类号: C04B41/91;H01L21/311;H01L21/3065
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄健,刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 表面上 形成 微细 突起 陶瓷 部件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种陶瓷部件,其特征在于,在构成纯度95重量%以上的致密质陶瓷基材的表面或者其附近的结晶粒子的表面上,形成有直径比该结晶粒子粒径更小的多个突起部分。

2、一种陶瓷部件的制造方法,其特征在于,通过在酸性蚀刻液中侵蚀处理纯度95重量%以上、超过理论密度的90%的致密质陶瓷基材表面,在基材表面或者存在于其附近的陶瓷粒子的表面上形成多个突起状部分。

3、权利要求2所述的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,将酸性蚀刻液加热至在100℃以上,对致密质陶瓷基材进行酸性蚀刻处理。

4、权利要求2或3所述的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,采用作为酸性蚀刻液的硫酸或其水溶液或者磷酸或其水溶液。

5、一种表面凹凸化的陶瓷部件,其特征在于,以纯度95重量%以上的致密质陶瓷作为基材,并且表面层形成含有直径为形成基材的陶瓷平均粒子粒径的0.5~50倍,而且在深度方向上有大直径部分的微细孔的凹凸构造。

6、权利要求5所述的表面凹凸化的陶瓷部件,其特征在于,致密质基材的纯度在99重量%以上。

7、权利要求5或6所述的表面凹凸化的陶瓷部件,其特征在于,致密质基材为理论密度的90%以上。

8、权利要求1-3的任意一项所述的表面凹凸化的陶瓷部件,其特征在于,致密质基材是氧化铝、钇铝榴石、氮化铝、氧化钇、氧化锆、磷酸钙系陶瓷。

9、一种表面凹凸化的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,在酸性蚀刻液中侵蚀处理纯度95重量%以上、超过理论密度的90%的致密质陶瓷基材的表面,进行含有直径是陶瓷的平均粒子粒径为0.5~50倍并且在深度方向上有大直径部分的微细孔的凹凸构造化。

10、权利要求9所述的表面凹凸化的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,加热提高酸性蚀刻液的温度。

11、权利要求9或10所述的表面凹凸化的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,对酸性蚀刻液施加0.2MPa以上的压力。

12、权利要求9-11的任意一项所述的表面凹凸化的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,酸性蚀刻液是含有硫酸或者磷酸的水溶液。

13、权利要求9-12的任意一项所述的表面凹凸化的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,在采用酸性蚀刻液进行侵蚀处理之后,在陶瓷熔点的2/3以上的温度下进行加热处理。

14、一种表面凹凸化的陶瓷部件,其特征在于,以纯度为95重量%以上、平均粒径10~70微米的致密质陶瓷为基材,上述平均粒径5倍以内的表面层不含有破碎层,并形成看起来象部分粒子脱落的凹凸构造。

15、权利要求14所述的表面凹凸化的陶瓷部件,其特征在于,致密质陶瓷基材的纯度在99重量%以上。

16、权利要求14或15所述的表面凹凸化的陶瓷部件,其特征在于,致密质陶瓷基材由氧化铝、钇铝榴石、氮化铝、氧化钇、氧化锆中的一种以上构成的。

17、一种表面凹凸化的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,在酸性蚀刻液中对纯度为95重量%以上、平均粒径10~70微米的致密质陶瓷基材的表面进行侵蚀处理,除去陶瓷加工面的破碎层,进行看起来象部分粒子脱落的凹凸构造化处理。

18、权利要求17所述的表面凹凸化的陶瓷部件的制造方法,其特征在于,酸性蚀刻液是含有硫酸或者磷酸的水溶液。

19、一种氧化铝陶瓷的化学蚀刻方法,其特征在于,将氧化铝陶瓷浸渍在浓度为18~50%的硫酸水溶液中,将上述硫酸水溶液保持在100~230℃的温度下。

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