[发明专利]陶瓷生片和多层陶瓷电子元件的制造方法有效
申请号: | 01137908.1 | 申请日: | 2001-09-29 |
公开(公告)号: | CN1348194A | 公开(公告)日: | 2002-05-08 |
发明(设计)人: | 穴原俊哉;中村一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30;H01L21/48;C04B35/622 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 多层 电子元件 制造 方法 | ||
1.陶瓷生片的制造方法,把陶瓷稀浆加到载体上制成陶瓷生片,该陶瓷生片用于制造多层陶瓷电子元件,该方法包括以下步骤:
设置载体,它有顶表面和底表面,它的顶表面上有光滑的脱离层,使顶表面上至少是要涂陶瓷稀浆的区域中基本没有高度为1μm以上的凸点;和
含分散在媒质中的陶瓷粉的陶瓷稀浆加到载体的脱离层上。
2.按权利要求1的方法,其中,载体是光滑的,使载体底表面的至少一个区域中基本上没有高度为1μm以上的凸点,其中,所述底表面的一个区域对应顶表面要涂陶瓷稀浆的区域。
3.按权利要求2的方法,其中,加陶瓷稀浆,使制成的陶瓷生片的厚度范围大约是0.3至3μm。
4.按权利要求3的方法,其中,要涂陶瓷稀浆的载体表面的静电摩擦系数和动态摩擦系数均为大约0.45以下。
5.按权利要求4的方法,还包括制造所述载体的步骤。
6.按权利要求1的方法,其中,加陶瓷稀浆,使制成的陶瓷生片的厚度范围大约是0.3至3μm。
7.按权利要求6的方法,其中,要涂陶瓷稀浆的载体顶表面的静态和动态摩擦系数均为大约0.45以下。
8.按权利要求1的方法,还包括制造载体的步骤。
9.按权利要求1的方法,其中,要涂陶瓷稀浆的载体顶表面的静态和动态摩擦系数均是大约0.45以下。
10.按权利要求9的方法,还包括制造所述载体的步骤。
11.按权利要求1的方法,还包括制造所述载体的步骤。
12.多层陶瓷电子元件的制造方法,包括以下步骤:
用权利要求11的方法制成多层陶瓷生片;
每个所述陶瓷生片的表面上设置基础金属电极;
层叠有所述电极的多层陶瓷生片,制成层压件;
烧结所述层压件,制成烧结致密的层压件。
在制成的烧结致密层压件的外表面上形成电极。
13.多层陶瓷电子元件的制造方法,包括以下步骤:用权利要求10所述方法制成多层陶瓷生片;每个陶瓷生片的表面上加基础金属电极;层叠有所述电极的多层陶瓷生片,制成层压件;烧结所述层压件,制成烧结致密的层压件;和制成的烧结致密层压件的外表面上形成电极。
14.多层陶瓷电子元件的制造方法,包括以下步骤:用权利要求9的方法制成陶瓷生片;每个所述陶瓷生片的表面上加基础金属电极;有所述电极的多层陶瓷生片层叠在一起,制成层压件;烧结所述层压件,制成烧结致密的层压件;制成的烧结致密的层压件的外表面上形成电极。
15.多层陶瓷电子元件的制造方法,包括以下步骤:用权利要求7的方法制成多层陶瓷生片;每个所述陶瓷生片的表面上加基础金属电极;有所述金属电极的多层陶瓷生片层叠在一起,制成层压件;烧结所述层压件,制成烧结致密的层压件;和制成的烧结致密的层压件的外表面上形成电极。
16.多层陶瓷电子元件的制造方法,包括以下步骤:用权利要求6的方法制成多层陶瓷生片;每个所述陶瓷生片的表面上加基础金属电极;有所述电极的多层陶瓷生片层叠在一起,制成层压件;烧结所述层压件,制成烧结致密的层压件;制成的烧结致密的层压件的外表面上形成电极。
17.多层陶瓷电子元件的制造方法,包括以下步骤:用权利要求5的方法制成多层陶瓷生片;每个所述陶瓷生片的表面上加基础金属电极;有所述电极的多层陶瓷生片层叠在一起,制成层压件;烧结所述层压件,制成烧结致密的层压件;制成的烧结致密的层压件的外表面上形成电极。
18.多层陶瓷电子元件的制造方法,包括以下步骤:用权利要求4的方法制成多层陶瓷生片;每个所述陶瓷生片的表面上加基础金属电极;有所述电极的多层陶瓷生片层叠在一起,制成层压件;烧结所述层压件,制成烧结致密的层压件;制成的烧结致密的层压件的外表面上形成电极。
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