[发明专利]有控制栅隔片的浮栅存储单元的半导体存储阵列自对准方法及制造的存储阵列

权利要求书

1.一种电可编程和可擦除的存储器件阵列，包括：

第一导电类型的半导体材料衬底；

在衬底上形成的间隔隔离区，该隔离区基本上是互相平行的并且在第一方向延伸和每对相邻的隔离区之间有一个有源区；和

包括在第一方向延伸的多个存储单元的每个有源区；每一个存储单元包括：

衬底内形成的第二导电类型的第一和第二间隔端和其间的衬底内形成的沟道区，

设置在所说的衬底上包括在所说的沟道区之上的第一绝缘层，

设置在所说的第一绝缘层上和延伸到部分所说的沟道区和部分第二端子上的导电的浮栅，

设置在浮栅上并邻近浮栅的第二绝缘层，并且有一个允许福勒-诺尔德哈姆隧穿电荷通过的厚度，和

有第一部分和第二部分的导电控制栅，第一部分有一个基本平面侧壁部分和处于邻近浮栅位置并与浮栅绝缘，第二部分基本上是连接基本平面侧壁部分和设置在浮栅上并与浮栅绝缘的一个隔片。

2.权利要求1所述的器件，其特征在于：每个控制栅穿过相邻的隔离区在基本上是垂直于第一方向的第二方向上延伸和电连接邻近的有源区内的控制栅。

3.权利要求1所述的器件，其特征在于：对于每个控制栅，第一部分基本上是矩形。

4.权利要求1所述的器件，其特征在于：第一部分和第二部分之间的连接处控制栅形成一个凹口。

5.在半导体衬底上形成浮栅存储单元的半导体存储阵列的自对准方法，每一个存储单元有浮栅、第一端子、第二端子、第一端子和第二端子之间有沟道区、和控制栅，该方法包括以下步骤：

a)、在衬底上形成多个基本上是互相平行的并在第一方向延伸的间隔隔离区，和每一对相互邻近的隔离区之间有一个有源区，每个有源区包括半导体衬底上的第一绝缘材料层和第一绝缘材料层上的第一导电材料层；

b)、穿过有源区和隔离区形成基本上是相互平行的和基本上是在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多个间隔的第一沟道；每个第一沟道暴露每个有源区内的第一导电材料层；

c)、在每个有源区内形成第二绝缘材料层，设置该层邻近并且在第一导电材料层上；

d)、用第二导电材料填满每个第一沟道以形成第二导电材料的阻块，每一个阻块都有基本平面侧壁部分，其中对于每个有源区，每个阻块邻近第二绝缘材料层并与衬底绝缘；

e)、沿着第二方向形成导电材料的侧壁隔片，直接邻近和接近每个基本平面侧壁部分，其中对于每个有源区，每个隔片是设置在第二绝缘材料层和第一导电材料层上；

f)、在衬底内形成多个第一端子，其中每个有源区内每个第一端子邻近一个阻块；和

g)、在衬底内形成多个第二端子，其中在每个有源区内每个第二端子与第一端子间隔并在第一导电材料层下。

6.权利要求5所述的方法，其特征在于：第二绝缘材料层的形成包括氧化每个有源区内的第一导电材料的上部和侧面部分。    

7.权利要求5所述的方法，更进一步包括以下步骤：

h)、形成多个基本上是互相平行并在第二方向延伸并穿过有源区和隔离区的间隔的第二沟道，在选择的阻块对之间形成每个第二沟道和贯通第一导电材料层和第一绝缘材料层以露出第二端子；

i)、沿第二沟道的侧壁形成第三绝缘材料层；

j)、用导电材料填满每个第二沟道，通过第三绝缘材料层第二沟道与第一导电层绝缘。

8.权利要求7所述的方法，其特征在于：第三绝缘材料层的形成包括氧化面对第二沟道的第一导电材料层的端部。

9.权利要求7所述的方法，其特征在于：第三绝缘材料层的形成包括沿每个第二沟道的侧壁形成一对绝缘材料内侧壁隔片。

10.权利要求7所述的方法，其特征在于：第三绝缘材料层的形成包括以下步骤：

氧化面对第二沟道的第一导电材料层端部；和

沿着每个第二沟道的侧壁形成一对绝缘材料内侧壁隔片。

11.权利要求5所述的方法，其特征在于：每个阻块和相应的隔片连续地形成，随其在阻块和隔片之间的连接外形成有一个凹口的控制栅。

12.权利要求5所述的方法，更进一步包括在每个第二导电材料的阻块上形成金属化硅层的步骤。