[发明专利]基于事件的测试系统的延迟时间插入无效
申请号: | 01109722.1 | 申请日: | 2001-03-23 |
公开(公告)号: | CN1316772A | 公开(公告)日: | 2001-10-10 |
发明(设计)人: | 格伦·A·戈梅斯;安东尼·勒;詹姆斯·艾伦·特恩奎斯特;罗基特·拉尤斯曼;菅森茂 | 申请(专利权)人: | 株式会社鼎新 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 事件 测试 系统 延迟时间 插入 | ||
本发明涉及一种用于测试半导体器件的基于事件的半导体测试系统,更具体地说,涉及一种基于事件数据而生成测试图形和选通信号的方法和装置,在这种方法和装置中,一个延迟时间可以容易地被插入到一个特殊事件的事件数据中,而不影响其它事件。
在由一个半导体测试系统(如一个IC测试仪)测试半导体器件(如IC和LSI)时,由IC(集成电路)测试仪在预定测试时间点,在其适当的插针上向一个被测半导体IC器件提供测试信号或测试图形。IC测试仪响应测试信号,从被测IC器件接收输出信号。以预定的定时,输出信号通过选通信号被选通或者采样,并且与预期数据比较,以确定IC器件功能是否完好。
传统地,相对于半导体测试系统的一个测试率或者测试周期,来确定测试信号和选通信号的定时。这样的一个测试系统有时被称为基于周期的测试系统。另一种测试系统被称为基于事件的测试系统,其中,对于每一个插针,预期的测试信号和选通信号由来自事件存储器的事件数据直接产生。本发明就涉及这样一种基于事件的半导体测试系统。
在一个基于事件的测试系统中,使用了事件的概念,就是用于测试被测半导体器件的信号的逻辑状态的任何改变。例如,这样的改变是测试信号的上升和下降边缘,或者是选通信号的定时边缘。事件的定时是相对于从基准时间点开始的一个时间长度来定义的。典型地,这样的一个基准时间点是先前事件的定时。也可以这样说,这样的一个基准时间点是一个通用于全部事件的起始时间。
在一个基于事件的测试系统中,因为定时存储器(事件存储器)中的定时数据不需要在每个测试周期中都包括关于波形、向量、延迟等等的复杂信息,所以定时数据的描述可以极大地简化。正如上面所提到的,在基于事件的测试系统中,典型地,储存在事件存储器中用于每一个事件的定时(事件)数据,是由在当前事件和最后一个事件之间的时差来表示的。
因为这样在邻近事件(增量时间)之间的时差是很小的,不同于从固定出发点(绝对时间)的时差,存储器中数据的大小也可以是小的,从而减少存储量。
为了产生高分辨率的定时,在事件之间的时间长度(延迟值)是由一个基准时钟周期的整数倍数和该基准时钟周期的一个分数(分数或者事件游标(event vernier))的组合来定义的。在事件计数和事件游标之间的定时关系如图3A-3E的定时图所示。在该实例中,图3A的基准时钟(主时钟或者系统时钟)具有一个时钟周期(以下也称之为“时段”或者“时间间隔”)T。事件0,事件1和事件2如图3C所示,有定时关系。
为了参考事件0描述事件1,事件存储器中定义了一个在两个事件之间的时差(延迟)ΔV1。事件2的定时由一个离开事件1的时差(延迟)ΔV2来定义。类似的,图3E中事件3的定时是由一个离开事件2的时差(延迟)ΔV3来定义的。在事件测试系统中,事件存储器中的定时数据被读出,并且合计到(summed up to)全部的先前事件上,以产生当前事件的一个最终的定时。
因此,在图3C的例子中,为了产生事件1,图3B的定时关系被使用了,其中,N1T表示事件计数,它是基准时钟周期T的N1倍,Δ1T表示事件游标,它是基准时钟周期T的一部分。类似地,在图3E中参照事件0产生事件3,全部先前事件的定时数据被合计起来,以产生一个总的时差,用N3T+Δ3T来表示,其中,N3T是事件计数,它是基准时钟周期T的N3倍,Δ3T表示事件游标,它是基准时钟周期T的一部分。
在实际器件测试中,对于被测器件的一个特定插针的测试信号,可能在一个较长的时间段中,比如几百毫秒,不会变化,而大多数其它插针的测试信号却以较高的速率,比如几十或者几百毫微秒,进行变化。这意味着在两个邻近事件之间的时间长度是在一个很宽的范围中,需要大量的数据位来描述最大可能的时间长度。因为半导体测试系统是一个有几百个测试通道(插针)的大系统,每一测试通道包括一个事件存储器,使事件存储器的容量最小化,以减少测试系统的总费用是所期盼的。
因此,本发明的一个目的是提供一种基于事件的半导体测试系统和事件产生方法,其中,在特定事件的定时数据中插入一个延迟时间,以扩大在两个事件之间的时差,而不影响测试系统的操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造