[发明专利]制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法

权利要求书

1.一种制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法，包括如下步骤：

第一步骤，提供一硅晶片的基底；

第二步骤，在该基底上形成该薄膜无源元件，该第二步骤包含如下子步骤：

形成一电阻层及一第一金属导电层的子步骤，是以溅射或蒸发的技术在该基底上依序形成一电阻层及一第一金属导电层，且藉由光刻及蚀刻技术，在该电阻层中形成作为电阻的图案，且在此第一金属导电层中形成作为电阻的两个电极的图案；

形成一电介质层的子步骤，是以溅射或CVD的技术在此第一金属导电层之上形成一介电层，且藉由光刻及蚀刻技术，形成该介电层的图案；

形成一第二金属导电层的子步骤，是以溅射或蒸发的技术在该电介质层之上形成第二金属导电层，且藉由光刻及蚀刻技术，形成该第二金属导电层的图案；

第三步骤，以现有的丝网印刷方式，制作其护层，并进行盖印、晶背研磨、及切割，以形成多个元件晶粒；

第四步骤，利用一现有用于厚膜无源元件的陶瓷基底，经由一次切割与二次切割后，形成一适当的大小形状；

第五步骤，在上述的陶瓷基底表面，涂布粘着剂；

第六步骤，将上述的元件晶粒，在一适当的温度、压力下，将晶粒背面与上述已涂布粘着剂的陶瓷基底表面，使其彼此相接合；

第七步骤，采用厚膜封装的方式进行封装，该第七步骤具有如下子步骤：

端银的子步骤，制作端电极且进行干燥；

电镀的子步骤，进行电镀处理；

电检测的子步骤，对所形成的该薄膜无源元件进行电特性的全面检测；

包装的子步骤，对所形成的该薄膜无源元件进行包装。

2.如权利要求1的方法，其中，在形成该第二金属导电层的子步骤之后，加上如下子步骤：

回火处理的子步骤，对所形成的晶片进行回火处理，以消除应力；

激光修正的子步骤，采用激光修正技术对晶片进行电阻值的修正；

电测量的子步骤，对晶片进行电阻及电容的电测量。

3.如权利要求1的方法，其中，该陶瓷基底是由Al₂O₃或AlN材料构成。

4.如权利要求1的方法，其中，在上述的陶瓷基底表面，涂布粘着剂，此粘着剂为含环氧树脂类成份的绝缘热导材质，涂布方式为印刷、点胶或移印方式。

5.一种制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法，包括如下步骤：

第一步骤，提供一硅晶片的基底；

第二步骤，在该基底上形成该薄膜无源元件，该第二步骤包括如下子步骤：

形成一电阻层及一第一金属导电层的子步骤，是以溅射或蒸发的技术在该基底上依序形成一电阻层及一第一金属导电层，且藉由光刻及蚀刻技术，在该电阻层中形成作为电阻的图案，且在此第一金属导电层中形成作为电阻的两个电极的图案；

形成一电介质层的子步骤，是以溅射或CVD的技术在此第一金属导电层之上形成一介电层，且藉由光刻及蚀刻技术，形成该介电层的图案；

形成一第二金属导电层的子步骤，是以溅射或蒸发的技术在该电介质层之上形成第二金属导电层，且藉由光刻及蚀刻技术，形成该第二金属导电层的图案；

第三步骤，以现有的丝网印刷方式，制作其护层，并进行盖印、晶背研磨、及切割，以形成多个元件晶粒；

第四步骤，利用一用于厚膜无源元件的玻璃基底，经由一次切割与二次切割后，形成一适当的大小形状；

第五步骤，在上述的玻璃基底表面，涂布粘着剂；

第六步骤，将上述的元件晶粒，在一适当的温度、压力下，将晶粒背面与上述已涂布粘着剂的玻璃基底表面，使其彼此相接合；

第七步骤，采用厚膜封装的方式进行封装，该第七步骤具有如下子步骤：

端银的子步骤，制作端电极且进行干燥；

电镀的子步骤，进行电镀处理；

电性检测的子步骤，对所形成的该薄膜无源元件进行电特性的全面检测；

包装的子步骤，是对所形成的该薄膜无源元件进行包装。

6.如权利要求5的方法，其中，在形成该第二金属导电层的子步骤之后，加上如下子步骤：

回火处理的子步骤，对所形成的晶片进行回火处理，以消除应力；

激光修正的子步骤，采用激光修正技术对晶片进行电阻值的修正；

电测量的子步骤，对晶片进行电阻及电容的电测量。