[发明专利]集成电路器件的形成方法及由该方法形成的集成电路器件

权利要求书

1．一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成一对互连图形，衬底具有设置在成对互连图形之间的半导体区；

在成对互连图形和衬底上形成腐蚀中止层；然后

在成对互连图形和半导体区上形成包括第一材料的牺牲绝缘层；

选择性地腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层；

在成对互连图形和覆盖半导体区的牺牲绝缘层的一部分之间的间隙区上部中形成包括第二材料并在成对互连图形的侧壁部分上延伸的侧壁绝缘间隔层；和

使用侧壁绝缘间隔层作为腐蚀掩模，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层，以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽。

2．如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

腐蚀腐蚀中止层的一部分，该部分通过从半导体区的表面上选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以在侧壁绝缘间隔层下面形成凹槽的部分腐蚀中止层的步骤而露出；和

在成对互连图形之间形成导电焊盘，从而导电焊盘接合半导体区。

3．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽的步骤包括：

选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽，同时保留侧壁绝缘间隔层和衬底之间的间隙区下部的成对互连图形的侧壁部分上的牺牲绝缘层。

4．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面凹槽的步骤包括：

选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽，从而从侧壁绝缘间隔层和衬底之间的间隙区下部中的成对互连图形的侧壁部分上除去牺牲绝缘层。

5．如权利要求1所述的方法，其特征在于，腐蚀中止层具有约200到约1000的厚度。

6．如权利要求1所述的方法，其特征在于，腐蚀中止层由第二材料构成。

7．如权利要求1所述的方法，其特征在于，第二材料包括氮化硅(SiN)。

8．如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一材料包括选自下列材料组中的材料：高密度等离子体(HDP)氧化物、等离子体增强的原硅酸四乙脂(PE-TEOS)以及未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)。

9．如权利要求1所述的方法，其特征在于，在小于约800℃的温度下进行形成牺牲绝缘层的步骤。

10．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层的步骤包括：

各向同性地腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀中止层。

11．如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽的步骤包括：

各向异性地腐蚀覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层以形成侧壁绝缘间隔层下面的凹槽。

12．一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤：

在衬底中形成隔离层以形成存储单元区和周边电路区；

在存储单元区中的衬底上形成一对字线图形；

在周边电路区中形成栅极图形；

在成对字线图形之间形成牺牲绝缘层，从而基本上填充了成对字线图形之间的间隙；

腐蚀牺牲绝缘层，从而牺牲绝缘层填充邻近衬底的成对字线图形之间的间隙区下部；和

在存储单元区和周边电路区上形成层间绝缘层，从而从层间绝缘层的上表面到存储单元区中的衬底表面的距离大于从层间绝缘层的上表面到周边电路区中的衬底的距离。

13．如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

从存储单元区腐蚀层间绝缘层；

腐蚀牺牲绝缘层以露出字线图形之间的衬底；

在存储单元区和周边电路区上形成导电层，从而从导电层的上表面到存储单元区中的衬底表面的距离大于从导电层的上表面到周边电路区中的衬底表面的距离。