[发明专利]抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法

权利要求书

1.一种减少抛光过程中铜混入到单晶硅晶片中的方法，包括下列步骤：

 a)向含铜的抛光混合物中加入控制铜的添加剂，所述控制铜的添加剂

  与抛光混合物中的铜反应，形成溶度积(Ksp)小于约10^-20的铜化合

  物；和

b)然后使晶片表面与抛光材料和抛光混合物接触，随着晶片相对于抛

光材料运动，抛光晶片的表面。

2.一种根据权利要求1的方法，其中，所述控制铜的添加剂包含选自

  由磷酸根、硫化物、硒化物和砷酸根组成的组中的阴离子，所述阴

  离子与铜反应形成所述铜化合物。

3.一种根据权利要求1的方法，其中，所述控制铜的添加剂选自由磷

  酸一氢钾、磷酸钾、硫化氢、硫化铵、硒化钾、磷酸一氢铵组成的

  组中。

4.一种根据权利要求3的方法，其中，所述控制铜的添加剂是磷酸一

  氢钾。

5.一种根据权利要求3的方法，其中，所述控制铜的添加剂是硫化氢。

6.一种根据权利要求1的方法，其中，所形成的铜化合物选自由磷酸

  铜(II)、硫化铜(II)、硒化铜(II)和砷酸铜(II)组成的组中。

7.一种根据权利要求1的方法，其中，所形成的铜化合物具有小于约

  10^-23的溶度积(K_sp)。

8.一种根据权利要求7的方法，其中，所形成的铜化合物具有小于约

  10^-26的溶度积(K_sp)。

9.一种根据权利要求1的方法，其中，加入到所述抛光混合物中的控

  制铜的添加剂的量至少在化学计量上等于抛光混合物的铜含量。

10.一种根据权利要求9的方法，其中，加入到所述抛光混合物中的控

  制铜的添加剂的量至少为所述抛光混合物的铜含量的化学计量当量

  的约100倍。

11.一种根据权利要求10的方法，其中，加入到所述抛光混合物中的

   控制铜的添加剂的量为所述抛光混合物的铜含量的化学计量当量的

   约100倍-约10,000倍。

12.一种根据权利要求1的方法，其中，只有在控制铜的添加剂加入到

   抛光混合物之后至少24小时后，才抛光晶片表面。

13.一种用于抛光单晶硅晶片并减少抛光过程中铜在晶片中的混入的抛

   光混合物，所述抛光混合物包含无机碱、胶体二氧化硅、和使加入

   到所述抛光混合物中的控制铜的添加剂与抛光混合物中存在的铜反

   应而形成的溶度积(K_sp)小于约10^-20的铜化合物。

14.一种根据权利要求13的抛光混合物，其中，所述控制铜的添加剂

   包含选自由磷酸根、硫化物、硒化物和砷酸根组成的组中的阴离子，

   所述阴离子与铜反应形成所述铜化合物。

15.一种根据权利要求13的抛光混合物，其中，所述控制铜的添加剂

   选自由磷酸一氢钾、磷酸钾、硫化氢、硫化铵、硒化钾、磷酸一氢

   铵组成的组中。

16.一种根据权利要求15的抛光混合物，其中，所述控制铜的添加剂

   是磷酸一氢钾。

17.一种根据权利要求15的抛光混合物，其中，所述控制铜的添加剂

   是硫化氢。

18.一种根据权利要求13的抛光混合物，其中，所形成的铜化合物选

   自由磷酸铜(II)、硫化铜(II)、硒化铜(II)和砷酸铜(II)组成的组

   中。

19.一种根据权利要求13的抛光混合物，其中，所述铜化合物具有小

   于约10^-23的溶度积(K_sp)。