[实用新型]中频反应溅射镀膜设备中反应气体的供气装置

说明书

本实用新型涉及一种镀膜设备中的供气装置，特别适合于用作中频反应溅射制备SiO₂膜设备中的供氧装置。

中频反应溅射镀膜系统中反应气体的供气装置设计对镀膜系统所需形成的稳定的闭环控制将起到关键性的作用，现有反应溅射镀膜系统中反应气体的供气装置设计难以满足工艺要求，其存在的不足在于：1、布气管道提供到基片表面的反应气体难以做到均匀，造成镀到基片上的镀膜成分及膜厚不均匀；2、部分反应气体未布到基片表面而是到了靶表面，造成靶中毒；3、压电阀对反应气体流量的调控必须很快反映到基片表面，要求压电阀以后的管道尽可能的短，但许多供气装置由于结构上的原因，难以做到。

本实用新型的目的意在克服上述现有技术的不足，提出一种布气均匀、靶中毒现象得到有效抑制的中频反应溅射镀膜设备中反应气体的供气装置。

实现上述目的的技术方案：一种中频反应溅射镀膜设备中反应气体的供气装置，包括真空室、进气管和压电阀，在真空室内置有靶、反应气体布气管和工作气体布气管，接有压电阀的进气管与反应气体布气管相通，在真空室内两靶的对称轴线上置有管道两边呈对称开有若干通气出孔的气体布气管，两根工作气体布气管置于两靶的外侧轴线上，工作气体布气管上均匀开有布气孔。

真空室内有具折角的挡板，反应气体布气管置于挡板的折角内。

进气管与反应气体布气管在两只靶的几何对称中心相通。

压电阀置于贴近真空室外壁处。

采用上述方案，由于在真空室内两靶的对称轴线部位布气，保证在靶的长边方向布气均匀，布气管道提供到基片表面的反应气体做到了均匀布气，为镀到基片上的镀膜成分及膜厚均匀提供了先决条件。由于上述结构合理，本实用新型经实际以硅作靶，氧气作反应气体，氩气作工作气体，基片玻璃运行表明，硅的氧化绝大部分都在基片表面进行，氧气分子较少到达硅靶表面，若在氧气布气管上加一折角挡板，氧气分子通过挡板折射到基片表面，氧气分子到达硅靶表面的几率大大减小，硅靶中毒现象进一步得到有效抑制。另外，压电阀贴近真空室外壁处，保证了使压电阀对氧气流量的调控很快反映到基片表面。本实用新型完全满足透明导电玻璃对镀制SiO₂膜层的布气质量要求。

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明：

图1是本实用新型的一种结构图。

图2是图1中的A-A视图。

图3是图1中反应气体布气管在几何中心处的横向剖视图。

实施例：结合图1～图3，一种中频反应溅射镀膜设备中反应气体的供气装置，包括真空室1、靶2、反应气体(氧气)布气管6、具折角的挡板7、反应气体进气管8、压电阀4和工作气体(氩气)布气管5。在真空室1内两靶2的对称轴线上有管道两边呈对称开有若干通气出孔的反应气体布气管6，反应气体布气管6置于挡板7的折角内，接有压电阀4的反应气体进气管8与反应气体布气管8在两只靶2的几何对称中心相通，挡板7的相应处开有通孔，压电阀4接于贴近真空室1的外壁处，两根工作气体布气管5置于两靶2的外侧轴线上，工作气体布气管5上均匀开有布气孔。工作时，通过外接中频电源对两个硅靶2进行电极溅射，在从工作气体布气管中出来的氩气作用下，溅射出的硅与从氧气布气管6的通孔出来的通过挡板7折射到基片3表面的氧气分子进行氧化，在基片3上镀制成导电玻璃的SiO₂膜层，本实用新型对中频反应镀制SiO₂膜层成分及膜厚均匀起到关键作用。