[实用新型]加速度传感器无效

专利信息
申请号: 00208869.X 申请日: 2000-04-27
公开(公告)号: CN2427809Y 公开(公告)日: 2001-04-25
发明(设计)人: 杨喜子 申请(专利权)人: 国营第七四九厂
主分类号: G01P15/097 分类号: G01P15/097;G01D5/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 741000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 加速度 传感器
【说明书】:

实用新型涉及一种用于一般测量的敏感器件传感器,特别是加速度传感器。

现有技术用于测量加速度值的加速度传感器有金属应变式、压电式、硅压阻(电容)式等。其中金属应变式加速度传感器的应变片采用胶粘剂粘接,具有迟滞、重复性差、体积大的缺点。压电式加速度传感器的输出阻抗高,信号放大前需要进行阻抗变换,且无法测量恒定加速度。硅压阻(电容)式加速度传感器克服了上述两种传感器的不足,特别是硅压阻式加速度传感器能满足高量程的测量需要,但其存在的不足是,设备投资大,制造工艺复杂,生产周期长,产品成本较高。

本实用新型的目的在于,提供一种加速度传感器,其不仅具有硅压阻式加速度传感器的技术优点,而且设备投资小,制造工艺简单,生产周期短,产品成本低。

本实用新型是这样实现的:本传感器采用了陶瓷厚膜式结构,在传感器内设置有底板,在该底板上,设置有垫块,在垫块上设置有条形Al2O3陶瓷悬臂梁(或称陶瓷弹性梁),在该陶瓷悬臂梁上印制有构成惠斯通电桥的厚膜电阻。通过采用上述结构,当传感器受到加速度力作用时,上述陶瓷弹性梁则产生振动运动,该运动在弹性梁上形成的应力应变使弹性梁上厚膜电阻产生压阻效应,并通过惠斯通电桥形成电压信号输出。

本实用新型的优点是,上述结构的产品生产工艺大部分兼容厚膜生产工艺,因而比硅压阻式加速度传感器生产的设备投资小,生产工艺简单,产品生产周期短,产品成本低,而工作性能同于或优于硅压阻式传感器。

以下结合附图对本实用新型进一步说明。

图1为本实用新型整体结构示意图。

图2为图1A-A剖视图。

图3为本实用新型厚膜电阻惠斯通电桥电路联接图。

根据图1和图2,本实用新型具有金属外壳1,在金属外壳1内充有甲基硅油2,其Al2O3陶瓷底板5连接在金属支架6上,在金属支架6上设置有引线管脚7,在陶瓷底板5上设置有垫块3,在垫块3上设置有条形Al2O3陶瓷悬臂梁4,在悬臂梁4上印制有厚膜电阻9,在底板5上印制有银钯导带或金导带10,用于同厚膜电阻9构成惠斯通电桥的相关电路连接,其陶瓷悬臂梁4、垫块3、陶瓷底板5的连结方式可由低温玻璃烧结,或者用印制的银钯导带焊接,或者胶结。图3的a图和b图分别为本实用新型厚膜电阻惠斯通电桥的不同联接形式。

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