[发明专利]制造半导体激光器的方法及安装板和支撑板

说明书

本发明涉及制造半导体激光器的方法和用于所述制造半导体激光器的方法中的安装板和支撑板，所述半导体激光器包括激光器基片，在该基片中半导体层和各电极膜形成在衬底的同一面上。

最近几年中，已经研究出包括半导体激光器的半导体光发射装置，其中使用了诸如GaN的氮化物半导体作为短波长光的光源。通常，在使用氮化物半导体的半导体激光器的情况下，在由蓝宝石(Al₂O₃)制成的衬底上依次层叠由氮化物半导体制得的n型层、有源层和p型层。在半导体激光器的一对电极膜中，在所述半导体层最上层的n型层上形成p侧(p-side)电极，而在通过刻蚀p型层和有源层而露出的n型层上形成n侧电极。这里，衬底、半导体层、p端电极和n端电极合起来称为激光器基片。

通常，为了使半导体层有效地释放所产生的热，由具有较高导热性的金属制成的支撑板(也称为散热片)来支撑激光器基片。另外，在激光器基片和支撑板之间设置安装板(也称为辅助固定件)，安装板具有引线电极，后者在由绝缘材料制成的支撑体上。对于制造半导体激光器的传统方法而言，焊料将安装板粘接到支撑板上，然后，另外的焊料将安装板粘接到激光器基片。

可是，对于制造半导体激光器的这种传统方法，需要执行两个粘接处理步骤，这就产生了需要比较长的时间来制造半导体激光器的问题。另外，为了融化焊料，需要两个加热处理步骤，由于重复加热，引起半导体激光器性能变坏。

考虑到上述问题而产生了本发明。本发明的目的是提供一种制造半导体激光器的方法和安装板及支撑板，其中所述方法能够减少制造所需的时间并且消除由加热引起的性能变坏。

本发明的制造半导体激光器的方法包括将激光器基片、安装板和支撑板彼此同时粘接的步骤。

本发明的半导体激光器的安装板粘接到激光器基片上，其中在衬底上形成半导体层，为了应用，所述安装板包括支撑体和第一焊料膜及第二焊料膜，各焊料膜分别形成在所述支撑体的两个面上。

本发明的半导体激光器的支撑板支撑包括半导体层的激光器基片，中间具有预定的安装板，所述支撑板包括至少在所述支撑体的一个面上的焊料膜。

采用本发明的制造半导体激光器的方法，所述激光器基片、安装板和支撑板彼此同时粘接在一起，从而不需要两个粘接处理步骤。

采用本发明的半导体激光器的安装板，所述激光器基片设置在所述安装板的一个面上，而所述支撑板设置在所述安装板的另一个面上，这样，所述第一焊料膜将所述激光器基片粘接到所述安装板上，同时，所述第二焊料膜将所述安装板粘接到所述支撑板上。

采用本发明的半导体激光器的支撑板，所述安装板装在所述支撑板的一个面上，从而所述焊料膜将所述安装板粘接到所述支撑板上。

通过下面的描述，将更加充分地显示出本发明的其它目的、特征和优点。

图1是显示半导体光发射装置结构的透视图，其中使用了本发明实施例的半导体激光器；

图2是显示图1所示的半导体光发射装置中的半导体激光器结构的剖面图；

图3是显示图1所示的半导体激光器的激光器基片结构的剖面图；

图4是显示图2所示的半导体激光器的安装板结构的剖面图；

图5是显示图2所示的半导体激光器的支撑板结构的剖面图；

图6是说明在制造图2所示的半导体激光器的方法中的粘接处理过程的剖面图；和

图7是用于描述制造按照本发明实施例的改型的半导体激光器的方法的剖面图。

下文将参考附图来描述本发明的实施例。

[第一实施例]

图1示出半导体光发射装置100的一个例子，其中使用了按照第一实施例的半导体激光器1。半导体光发射装置100包括半导体激光器1和按预定形状覆盖半导体激光器1的封装10。封装10包括支撑盘11和连接到支撑盘11的柱形罩12。柱形罩12纵向上的一端被封闭但留有窗口12a，从半导体激光器1发射的激光束通过窗口12a射出封装10。柱形罩12由诸如铜(Cu)或铁(Fe)等金属制成，而窗口12a由透明玻璃或树脂制成。支撑盘11由诸如铜或铁等金属制成，并且半导体激光器1在支撑盘11的面(图1中正面)上形成。这里，半导体激光器1对应于本发明的“半导体激光器”的一个特定例子。