[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，包括形成于基片上的薄膜晶体管，所说半导体器件包括：

形成为与所说薄膜晶体管的有源层的一个表面接触的基膜；

形成为与所说有源层的另一表面接触的栅绝缘膜；

形成为与所说栅绝缘膜接触的栅极；及

形成于所说栅极上的层间绝缘膜，

其中所说基膜、所说栅绝缘膜和所说层间绝缘膜中的至少一个由包括浓度为55-70原子％的氧、浓度为0.1-6原子％的氮和浓度为0.1-3原子％的氢的氢化氧氮化硅膜形成。

2、根据权利要求1的半导体器件，其中所说半导体器件是选自个人电脑、视频摄像机、便携式信息终端、数字摄像机、数字视盘播放器、电子游戏设备和投影仪等中的一种。

3、根据权利要求1的半导体器件，其中所说半导体器件是EL显示器件。

4、一种半导体器件，包括形成于基片上的薄膜晶体管，所说半导体器件包括：

形成为与所说薄膜晶体管的有源层的一个表面接触的基膜；

形成为与所说有源层的另一表面接触的栅绝缘膜；

形成为与所说栅绝缘膜接触的栅极；及

形成于所说栅极上的层间绝缘膜，

其中构成所说基膜、所说栅绝缘膜和所说层间绝缘膜的至少一层绝缘膜由包括浓度为55-70原子％的氧、浓度为0.1-6原子％的氮和浓度为0.1-3原子％的氢的氢化氧氮化硅膜形成。

5、根据权利要求4的半导体器件，其中所说半导体器件是选自个人电脑、视频摄像机、便携式信息终端、数字摄像机、数字视盘播放器、电子游戏设备和投影仪等中的一种。

6、根据权利要求4的半导体器件，其中所说半导体器件是EL显示器件。

7、一种半导体器件，包括形成于基片上的薄膜晶体管，所说薄膜晶体管包括：

形成为与所说薄膜晶体管的有源层的一个表面接触的栅绝缘膜；

形成为与所说栅绝缘膜接触的栅极；及

形成于所说有源层的另一表面上的保护绝缘膜或层间绝缘膜；

其中所说栅绝缘膜和所说保护绝缘膜或所说层间绝缘膜中的至少一个由包括浓度为55-70原子％的氧、浓度为0.1-6原子％的氮和浓度为0.1-3原子％的氢的氢化氧氮化硅膜形成。

8、根据权利要求7的半导体器件，其中所说半导体器件是选自个人电脑、视频摄像机、便携式信息终端、数字摄像机、数字视盘播放器、电子游戏设备和投影仪等中的一种。

9、根据权利要求7的半导体器件，其中所说半导体器件是EL显示器件。

10、一种半导体器件，包括形成于基片上的薄膜晶体管，所说薄膜晶体管包括：

形成为与所说薄膜晶体管的有源层的一个表面接触的栅绝缘膜；

形成为与所说栅绝缘膜接触的栅极；及

形成于所说有源层的另一表面上的保护绝缘膜或层间绝缘膜；

其中构成所说栅绝缘膜和所说保护绝缘膜或所说层间绝缘膜的至少一层绝缘膜由包括浓度为55-70原子％的氧、浓度为0.1-6原子％的氮和浓度为0.1-3原子％的氢的氢化氧氮化硅膜形成。

11、根据权利要求10的半导体器件，其中所说半导体器件是选自个人电脑、视频摄像机、便携式信息终端、数字摄像机、数字视盘播放器、电子游戏设备和投影仪等中的一种。

12、根据权利要求10的半导体器件，其中所说半导体器件是EL显示器件。

13、一种制造半导体器件的方法，所说半导体器件包括形成于基片上的薄膜晶体管，所说方法包括以下步骤：

形成与所说薄膜晶体管的有源层的一个表面接触的基膜；

形成与所说有源层的另一表面接触的栅绝缘膜；

形成与所说栅绝缘膜接触的栅极；及

在所说栅极上形成层间绝缘膜，

其中在所说各步骤中的至少一个步骤中，由SiH₄、N₂O和H₂形成氢化氧氮化硅膜。

14、根据权利要求13的制造半导体器件的方法，其中至少氢化氧氮化硅膜中所含的氢通过热处理扩散到所说有源层。