[发明专利]凹凸检测传感器、指纹对照装置和个人判别装置无效
申请号: | 00105331.0 | 申请日: | 2000-03-31 |
公开(公告)号: | CN1268719A | 公开(公告)日: | 2000-10-04 |
发明(设计)人: | 桥户隆一;浦壁隆浩;铃木昭弘;岩田明彦 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00;A61B5/117 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凹凸 检测 传感器 指纹 对照 装置 个人 判别 | ||
1.一种凹凸检测传感器,其特征是:具备:
探测器件阵列,其构成为:把由探测电极和把在该探测电极附近的物体与上述探测电极之间形成的电容变换成电压或电流的变换电路构成的探测器件,配置成纵N行×横M列的阵列;
扫描线,沿着上述探测器件阵列的各列进行配置;
输出线,沿着上述探测器件阵列的各行进行配置,
上述探测器件分别连接到上述扫描线和输出线上。
2、权利要求1所述的凹凸检测传感器,其特征是:上述变换电路由一个MOS晶体管构成,该MOS晶体管的栅极电极在上述感测电极上,上述MOS晶体管的漏极电极和源极电极之内的一方的电极和另一方的电极分别连接到上述扫描线和上述输出线上。
3、权利要求2所述的凹凸检测传感器,其特征是:把上述MOS晶体管作成为无定形硅制造的MOS晶体管或多晶硅制造的MOS晶体管。
4、权利要求2所述的凹凸检测传感器,其特征是:在连接上述MOS晶体管和输出线的布线上设置二极管,使得从上述MOS晶体管的端子朝向上述输出线的方向变成为正向。
5、权利要求2所述的凹凸检测传感器,其特征是:在连接上述MOS晶体管和输出线的布线上,设置与上述晶体管不同的另一MOS晶体管,使得从上述MOS晶体管的端子朝向上述输出线的方向变成为正向。
6、权利要求1~5中的任何一项所述的凹凸检测传感器,其特征是:还具备沿着上述探测器件阵列的各列配置的复位线,上述探测器件,具有一端连接到上述探测电极和上述变换电路之间的连接点上,另一端连接到上述复位线上的开关。
7、权利要求6所述的凹凸检测传感器,其特征是:还具备沿着上述探测器件阵列的各列配置的控制线,上述开关是具有控制端子的3端器件,并把该控制端子连接到控制线上。
8、权利要求6所述的凹凸检测传感器,其特征是:上述开关是2端子的二极管,或使栅极电极和漏极电极短路后变成为二极管连接的MOS晶体管。
9、权利要求6所述的凹凸检测传感器,其特征是:由在列方向上相邻地排列的探测器件共用上述复位线。
10、权利要求1~5中的任何一项所述的凹凸检测传感器,其特征是:上述探测器件还分别具备二极管,该二极管由2端子的二极管或使栅极电极和漏极电极短路后变成为二极管连接的MOS晶体管构成,使该二极管的一端连接到上述探测电极与上述变换电路之间的连接点上,使上述二极管的另一端连接到上述扫描线上,并把上述二极管连接为在该扫描线上加有扫描信号的时候变成为截止的方向。
11.权利要求1~5中的任何一项所述的凹凸检测传感器,其特征是:在上述探测电极上边淀积电介质。
12.权利要求1~5中的任何一项所述的凹凸检测传感器,其特征是:在电介质基板上边形成上述探测器件和处理来自该探测器件的数据的处理电路。
13.权利要求1~5中的任何一项所述的凹凸检测传感器,其特征是:在与变换电路和布线不同的层上形成上述探测电极,且把上述探测电极配置在与物体接近的一侧。
14.一种对至少一个人的被识别的指纹进行互相对照的指纹对照装置,该装置具备凹凸检测传感器,其特征是:该凹凸检测传感器具备:
探测器件阵列,其构成为:把由探测电极和在该探测电极附近的物体与上述探测电极之间形成的电容变换成电压或电流的变换电路构成的探测器件,配置成纵N行×横M列的阵列;
扫描线,沿着上述探测器件阵列的各列进行配置;
输出线,沿着上述探测器件阵列的各行进行配置,
上述探测器件分别连接到上述扫描线和输出线上。
15.一种个人判别装置,具备具有凹凸检测传感器的指纹对照装置,其特征是:该凹凸检测传感器具备:
探测器件阵列,其构成为:把由探测电极和在该探测电极附近的物体与上述探测电极之间形成的电容变换成电压或电流的变换电路构成的探测器件,配置成纵N行×横M列的阵列;
扫描线,沿着上述探测器件阵列的各列进行配置;
输出线,沿着上述探测器件阵列的各行进行配置,
上述探测器件分别连接到上述扫描线和输出线上。
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