[发明专利]有源矩阵阵列衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵阵列，其特征在于，它包含：多个在衬底上排列成矩阵阵列的有源元件；

对所述多个有源元件进行扫描的多条扫描线；

向所述多个有源元件提供多个图象数据的多条数据线；

公共扫描总线；

公共数据总线；

多个扫描线测试电阻，用来将所述多条扫描线中的每一条与所述公共扫描线相连；以及

多个数据线测试电阻，用来将所述数据线中的每一条与所述公共数据总线相连；

其中，所述数据线中的每一条和所述公共数据总线包含含有多个金属层的合成多层结构，

具有上金属层和下金属层的合成多层结构，以及

所述多个扫描线测试电阻中的每一个和所述多个数据线测试电阻中的每一个包含没有至少所述上金属层的所述多层结构。

2.如权利要求1所述的有源矩阵阵列，其特征在于，所述多个扫描线测试电阻中的每一个和所述数据线测试电阻中的每一个仅包含一个金属层，所述金属层是所述下金属层。

3.如权利要求1所述的有源矩阵阵列，其特征在于，它还包含：

用相同材料和包括所述上、下层的所述数据线的多层结构同时由每一条所述数据线形成的多个漏电极；

包住每一所述漏电极的保护绝缘层；以及

在所述保护绝缘层上形成的多个象素电极；

其中，所述多个象素电极中的每一个通过所述保护绝缘层中具有的接触窗口与所述漏电极中的每一个相连。

4.如权利要求3所述的有源矩阵阵列，其特征在于，至少在一部分与所述多个象素电极相连的地方，去掉每一所述漏电极的所述多层结构的所述上层。

5.如权利要求3所述的有源矩阵阵列，其特征在于，所述多个象素电极包含ITO。

6.如权利要求3所述的有源矩阵阵列，其特征在于，所述多个象素电极包含从Al和Ag组成的族中选择出来的金属，并且所述多个象素电极反射入射辐射。

7.如权利要求1所述的有源矩阵阵列，其特征在于，所述多个有源元件是薄膜晶体管。

8.如权利要求2所述的有源矩阵阵列，其特征在于，所述多层结构包含由Al制成的上层和由从Cr、Ti、W、Mo和Ta组成的族中选出的至少一种金属制成的下金属层。

9.如权利要求1所述的有源矩阵阵列，其特征在于，所述多条扫描线中的每一条是Al合金。

10.一种制造有源矩阵阵列的方法，其特征在于，它包含：

(A)在衬底表面上形成排列成矩阵阵列的多个有源元件；

(B)在所述衬底上形成多条扫描线和公共扫描总线，所述扫描线中的每一条通过第一临时连接与所述公共扫描总线相连；

(C)形成多条用来将图象数据提供给多个有源元件的数据线，与所述多条数据线相连的公共数据总线，以及通过淀积和形成至少两个金属层的图形在所述多个扫描线中的每一条与所述公共扫描总线之间形成第二连接的多个扫描线桥，从而形成所述数据线、所述公共数据总线和所述扫描线桥作为包含多个金属层的多层结构，所述多个金属层包括上金属层和下金属层；

(D)断开所述公共扫描总线和所述扫描线中每一条之间的所述第一临时连接中的每一条；以及

(E)通过从与公共数据总线相邻的每一条所述数据线的一部分中以及从每一条所述扫描线中去掉除所述下金属层以外的一个所述金属层，形成连接每一条所述数据线和所述公共数据总线相连以及连接每一条所述扫描线和所述公共扫描总线的测试电阻。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述多条扫描线、公共扫描总线和第一临时连接是同时形成的。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在步骤(C)中，所述图形的形成是对所有数据线、公共数据总线和扫描线桥同时出现的。

13.一种制造如权利要求10所述的有源矩阵阵列的方法，其特征在于，形成所述多条数据线的所述步骤(C)和断开所述第一临时连接线的所述步骤(D)是在一个步骤中执行的。

14.一种制造如权利要求10所述的有源矩阵阵列的方法，其特征在于，在所述步骤(E)中，去掉上金属层，从而形成所述测试电阻。