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[发明专利]一种降解纤维素的曲霉及其生产的菌剂-CN200910232525.7无效
发明人：李顺鹏;赵方圆;黄星;范宁杰;朱建春 -专利权人：南京农业大学
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C12N1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种纤维素降解菌及其生产的菌剂，属于生物技术领域，YN1菌种接种于PDA平板培养基、PDA液体培养基、种子罐培养基、生产罐培养，发酵结束后菌体的有效活菌数达到1亿个/ml以上。YN1菌株经液体发酵培养，内切酶、外切酶、β-糖苷酶、木聚糖酶活及总纤维素酶活性分别为95.7U/mL、14.6U/mL、20.5U/mL、71.6U/mL和26.6U/mL。YN1菌株经固体发酵培养，内切酶、外切酶、β-糖苷酶、木聚糖酶活和总纤维素酶活性分别为1192.2U/g、100.6U/g、136.9U/g、1118.0U/g和210.7U/g。YN1在7d内可降解41.87％的秸秆，31.59％的稻壳。
一种降解纤维素曲霉及其生产

[发明专利]降解咪唑乙烟酸的马氏芽孢杆菌YN1及土壤修复固定化菌剂-CN202210262413.1在审
发明人：张浩;唐亚楠;梁爽;何海涛;郑丽宁;吴宪 -专利权人：吉林农业大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：降解咪唑乙烟酸的马氏芽孢杆菌YN1及土壤修复固定化菌剂，属于微生物技术领域。本发明所述菌株为革兰氏染色阳性菌，在中国典型培养物保藏中心(CCTCC)的保藏号为CCTCC NO：M 2021538。本发明所述的马氏芽孢杆菌YN1可以用于制备土壤修复固定化菌剂修复咪唑乙烟酸污染的土壤。该菌株以咪唑乙烟酸为唯一氮源生长，在液体培养基中通过咪唑乙烟酸诱导增加菌体活性，提高对咪唑乙烟酸的降解能力。
降解咪唑烟酸芽孢杆菌 yn1 土壤修复固定化菌剂

[发明专利]一种提高松茸菌根化育苗的方法-CN201810032985.4有效
发明人：康恒;陈新;牟春叶;边银丙 -专利权人：华中农业大学
申请日： 2018-01-14 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： A01G18/00 文献下载
摘要：本发明包括：通过温差法，分离筛选和鉴定得到一个与松树根际共生的松茸菌株YN1，其保藏编号为CCTCC NO：M 2017719；以直径为14.5cm的大平板为菌根化的容器，以松树种子为试材，将无菌萌发的松树苗和松茸菌株YN1接种于铺好玻璃纸的平板内，用无菌的铁丝网将松苗固定进行共培养，在光照培养箱中静置培养2—3个月后，在体视显微镜下可观察到明显的松茸菌根结构。
一种提高菌根育苗方法

[发明专利]对鳞翅目害虫高毒力的苏云金杆菌YN108、培养方法及其应用-CN201810251762.7有效
发明人：金大勇 -专利权人：延边大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明属于微生物杀虫剂技术领域，具体涉及一种对鳞翅目害虫高毒力的苏云金杆菌YN108、培养方法及其应用，所述苏云金杆菌YN108为Bacillus thuringiensis subsp.aizawai本发明公开的苏云金杆菌YN108对鳞翅目害虫的毒力很高，尤其对斜纹夜蛾3龄幼虫的半致死浓度(LC50)只有3.25×105cfu/mL，比已经公开发表的YN1‑1菌株及CAB109菌株还要小。此外，本发明的苏云金杆菌YN108使用过后无残留，无抗药性，绿色环保。
鳞翅目害虫毒力苏云金杆菌 yn108 培养方法及其应用

[发明专利]电光学装置及其制造方法和电子设备-CN200510106339.0有效
发明人：奥山智幸;原弘幸;木村睦 -专利权人：精工爱普生株式会社;学校法人龙谷大学
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：该电光学装置包括：接受驱动电流的供给，实现发光的电光学元件(21)；驱动电路(20)，其通过供给恒定值的驱动电流，并且可变地设定上述驱动电流的供给期间，从而进行灰度控制，以驱动上述电光学元件；多根信号线(Yn1，Yn2，Xm)，其从外部向上述驱动电路供给信号，上述信号线每一条设定由通过该信号线而产生的电阻成分和电容成分确定的时间常数，以便使通过该信号线供给的上述信号的延迟在10％以内。
光学装置及其制造方法电子设备

[发明专利]一种变压器分裂变联接组结构-CN201910422779.9在审
发明人：谢辉;王晓磊;杨静;何磊;关雯缤;李刚;唐春颖 -专利权人：保定天威保变电气股份有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种变压器分裂变联接组结构，特别是联结组(YN yn10‑yn10+d)结构，属于大型变压器制造技术领域。技术方案是：高压线圈A相（4）与低压线圈c相（1）同柱，高压线圈B相（5）与低压线圈a相（2）同柱，高压线圈C相（6）与低压线圈b相（3）同柱；平衡线圈Pa相（7）与高压线圈A相（4）同柱，平衡线圈Pb相（8）与高压线圈B相（5）同柱，平衡线圈Pc相（9）与高压线圈C相（6）同柱；构成联结组YN yn（1）0‑yn（1）0+d结构。本发明的有益效果是：实现联结组(YN yn10‑yn10+d)结构，满足用户用电系统的切换要求。
高压线圈低压线圈平衡线圈联结组结构变压器联接大型变压器用户用电分裂制造

[发明专利]一种AlyInxGa1‑x‑yN薄膜的外延结构及生长方法-CN201410219231.1有效
发明人：全知觉;刘军林;吴小明;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlyInxGa1‑x‑yN薄膜的外延结构及生长方法，自下而上依次包括衬底、AlN缓冲层、InxGa1‑xN(0≤x≤1)缓冲层、AlyGa1‑yN(0≤y≤1)掩模层和AlyInxGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层，其特征在于在所述AlyGa1‑yN掩模层中、InxGa1‑xN(0≤x≤1)缓冲层和AlyInxGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层之间，设有呈间隔排布、竖向的微孔，在每个微孔的下对应位置的InxGa1‑xN缓冲层中设有一个空腔；微孔的直径小于空腔的直径。本发明是通过一次性在线生长的外延工艺，在衬底与外延材料之间的缓冲层中设计了大量的空腔，这种空腔有两个作用(1)增加了薄膜柔性，为应力的弛豫提供了变形空间，可以释放AlyInxGa1‑x‑yN薄膜所受到的来自衬底的应力
一种 alyinxga1 yn 薄膜外延结构生长方法

[发明专利]一种低温厚规格特殊钢活套控制方法-CN201110317493.8无效
发明人：张世厚;武海平 -专利权人：山西太钢不锈钢股份有限公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B21B41/00 文献下载
摘要：一种低温厚规格特殊钢活套控制方法，目的是解决精轧机架间活套振荡现象、保证热轧正常生产；本发明方法是：如带钢精轧出口目标温度低于830℃，成品厚度大于7mm，通过一级计算机按照下列公式来确定每一个机架间活套的控制参数：Yn＝Yn-1+Kp*{〔1+TA/TN〕*ΔYn-ΔYn-1}；Yn为采样时刻n的活套套量对本机架速度的附加量m/s；TA为程序扫描时间；TN为积分时间；Kp为比例系数；ΔYn为采样时刻n的活套套量差mm
一种温厚规格特殊钢活套控制方法

[发明专利]组分渐变Al_yGa_1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构-CN201210446920.7无效
发明人：彭大青;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：本发明公开了一种组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，采用组分渐变AlyGa1-yN缓冲层依然能够与GaN沟道层形成导带带阶，增强2DEG限域性，提高器件的微波性能和功率特性；AlyGa1-yN缓冲层采用组分由0渐变到y的结构，可以提高缓冲层热导率，有效降低AlGaN缓冲层HEMT器件的自热效应；相比常规的组分恒定AlyGa1-yN缓冲层，采用这种组分渐变AlyGa1-yN
组分渐变 al sub ga 缓冲氮化物电子迁移率晶体管外延结构

[实用新型]一种采用图形化记录方法的测力仪-CN201020263512.4有效
发明人：陈圣陶;吴百中;金良慈;应庭爽;欧阳忠伟 -专利权人：温州山度仪器有限公司
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： G01L1/26 文献下载
摘要：第二定时测量力值存储器、第三定时测量力值存储器及比较器，所述定时测量力值定时器用于产生两次定时测量力值的间隔时间Δt，所述第一、第二、及第三定时测量力值存储器分别用于存储三次连续定时测量力值所得的数值Yn-1、Yn、Yn+1，通过对连续采集的三次测量力值Yn-1、Yn、Yn+1进行相互比较，确定波峰和波谷产生的时间tn和相应力值Yn。
一种采用图形记录方法测力

[发明专利]金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法-CN201210247142.9有效
发明人：秦福文;林国强;刘勤华 -专利权人：大连理工常州研究院有限公司
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法，所述LED芯片由金属基片，AlxGayIn1-x-yN缓冲层，未掺杂AlxGayIn1-x-yN层，n型掺杂AlxGayIn1-x-yN层，InxGa1-xN/GaN多量子阱MQW层，p型掺杂AlxGa1-x-N层，p型掺杂AlxGayIn1-x-yN层，n+重掺杂型AlxGayIn1-x-yN层和氧化铟锡ITO层复合沉积构成，在氧化铟锡ITO层表面还有
金属垂直 gan led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种基于CEEMDAN-IFTC-PSR的刀具振动信号处理方法-CN202210873176.2有效
发明人：万烂军;陈科宇;李园园;李长云;王志兵 -专利权人：湖南工业大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B23Q17/09 文献下载
摘要：接着，将所有样本的高频IMF分量放入高频IMFs分量池，低频IMF分量放入低频IMF分量池，并重构融合成n个样本子集Yn(t)，其中包含高频数据Yn,1(t)和低频数据Yn,2(t)。最后，将Yn(t)中的高频数据Yn,1(t)运用相空间重构成Zn,1(t)，低频数据Yn,2(t)重构为Zn,2(t)，从而提取出数控加工刀具剩余使用寿命退化高相关性的特征，并为后续刀具剩余使用寿命预测提供坚实的基础
一种基于 ceemdan iftc psr 刀具振动信号处理方法

[发明专利]一种移动终端自动拨打电话的方法及系统-CN201210568496.3有效
发明人：曾元清;郭明强 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：本发明提供了一种移动终端自动拨打电话的方法及系统，该方法包括以下步骤：获取移动终端静止状态下在三维空间的角度值（X1，Y1，Z1）；实时获取移动终端运动状态下在三维空间的角度值（Xn，Yn，Zn）；计算移动终端运动状态下的角度值（Xn，Yn，Zn）与移动终端静止状态下的角度值（X1，Y1，Z1）之间的角度差值（Xn-X1，Yn-Y1，Zn-Z1）；检测Xn-X1是否在第一预设区间，Yn-Y1是否在第二预设区间及Zn-Z1是否在第三预设区间；当Xn-X1在第一预设区间，Yn-Y1在第二预设区间及Zn-Z1在第三预设区间时，获取该信息发送方的电话号码；及控制移动终端拨打获取到的电话号码。
一种移动终端自动拨打电话方法系统

[发明专利]氮化物半导体发光元件、光源及其制造方法-CN201380000993.6无效
发明人：高桥邦方;加藤亮;吉田俊治;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明所公开的氮化物半导体发光元件是以非极性面为生长面的发光元件，GaN/InGaN多量子阱有源层（105）包括配置于InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）内的、InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）与GaN势垒层（103）之间的、或GaN势垒层（103）的InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）侧的区域的Si掺杂层（110），GaN势垒层（103）的生长方向一侧界面的Si浓度为
氮化物半导体发光元件光源及其制造方法

[发明专利]GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201610271095.X有效
发明人：陈立人;冯猛 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制造方法，所述LED外延结构依次包括：衬底；缓冲层；非故意掺杂GaN层；n型GaN层；InxGa1‑xN/GaN应力释放层，所述InxGa1‑xN/GaN应力释放层包括若干周期堆叠的InxGa1‑xN层和GaN层，InxGa1‑xN层中In与Ga的摩尔比为一定值；InyGa1‑yN/GaN多量子阱层，所述InyGa1‑yN/GaN多量子阱层包括若干周期堆叠的InyGa1‑yN量子阱层和GaN量子垒层，InyGa1‑yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为一定值；p型GaN层。
多量子阱层应力释放层量子阱层外延结构氢气摩尔比堆叠空穴内量子效率方式控制复合效率快速变化量子垒层缓冲层衬底混入制造掺杂

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