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[发明专利]一种低温连接高温使用Cu/Sn/Cu钎焊界面的制备方法及结构-CN201610391373.5在审
发明人：李晓延;姚鹏;梁晓波;余波 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-06-04 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：一种低温连接高温使用Cu/Sn/Cu钎焊界面的制备方法及结构，属于金属材料界面钎焊工艺领域。本发明选取金属Cu作为钎焊母材，于待焊面预置厚度均匀的Sn钎料层，将两个预置有Sn钎料层的金属Cu于Sn层处以最大面积相互接触，并对两Sn钎料层沿Sn层厚度方向施加一定压力，进而形成两层Sn紧密接触的Cu/Sn/Cu结构，对该结构进行低温炉中钎焊，控制工艺使Sn钎料完全与Cu反应形成Cu‑Sn金属间化合物(Cu₆Sn₅、Cu₃Sn)。
一种低温连接高温使用 cu sn 钎焊界面制备方法结构

[发明专利]Ni-Sn系金属间化合物及其制备方法和应用-CN202211004376.0在审
发明人：秦红波;汪健;黄家强;李望云;杨道国;张国旗 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ni‑Sn系金属间化合物及其制备方法和应用。该Ni‑Sn系金属间化合物的制备方法包括：将Ni粉和Sn粉的球磨混合粉末压制成型后，再进行真空熔炼，以获得Ni‑Sn系金属间化合物。通过将Ni粉和Sn粉进行压制，使得Ni和Sn的相对位置能够固定，进而Ni和Sn在真空熔炼时，Ni和Sn能够充分进行反应，避免了在反应过程中生成Ni‑Sn金属间化合物的阻挡层，影响Ni和Sn的继续反应。因此，将熔炼获得高纯度的Ni‑Sn金属间化合物再次球磨等方式能够破碎粉末形态的Ni‑Sn金属间化合物。
ni sn 金属化合物及其制备方法应用

[发明专利]PCB端子及其制造方法-CN201110397050.4有效
发明人：真砂靖;平浩一;三井俊幸;角本淳一;西村昌康 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：提供一种PCB端子及其制造方法，其在与阴端子嵌合的嵌合部的最外表面依次形成作为表面被覆层的Cu-Sn合金被覆层和Sn被覆层，所述Sn被覆层通过回流处理而被平滑化，所述Cu-Sn合金被覆层的一部分露出在最外表面，其中，形成具有可适当控制的俯视形状的Sn被覆层和Cu-Sn合金被覆层。作为表面被覆层形成作为多条平行线而观察到的Sn被覆层组X，Cu-Sn合金被覆层(2)在构成该Sn被覆层组(X)的各个Sn被覆层(1a～1d)的两侧露出到最外表面。Sn被覆层(1a～1d)的宽度是1～500μm，相邻的Sn被覆层彼此的间隔是1～2000μm，最外表面的端子插入方向的最大高度粗糙度Rz是10μm以下。
pcb 端子及其制造方法

[发明专利]亚共晶锡锌合金基无铅钎料-CN200610020034.2无效
发明人：魏秀琴;周浪;黄惠珍;谭敦强 -专利权人：南昌大学
申请日： 2006-08-21 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明通过大量试验证明Sn－6.3Zn、Sn－6.5Zn、Sn－6.6Zn的对铜片的润湿力甚至优于Sn－9Zn、Sn－6Zn、Sn－7Zn。Sn－6.3Zn、Sn－6.5Zn、Sn－6.6Zn在润湿性、抗氧化性、组织与焊点界面结构、抗蠕变强度各方面均优于被一般采纳的共晶的Sn－9Zn合金，而在一般升温条件下其实际熔点与Sn－9Zn合金一致。因Sn－6.5Zn不需要添加复杂的多组元添加剂，可以简化工艺过程，非常具有实用性。
亚共晶锡锌合金基无铅钎料

[发明专利]电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料及屏蔽电缆-CN201480079441.3有效
发明人：田中幸一郎 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：解决手段为电磁波屏蔽用金属箔10，其中，在由金属箔1构成的基材的一面或两面形成由Ni构成的基底层2，在该基底层的表面形成Sn‑Ni合金层3，Sn‑Ni合金层含有20~80质量%的Sn，在将Sn的总附着量记为T_Sn[μg/dm²]，将Sn‑Ni合金中Sn的比例记为A_Sn[质量%]，将Ni的总附着量记为T_Ni[μg/dm²]，将Sn‑Ni合金中Ni的比例记为A_Ni[质量%]时，T_Sn：500~91000μg/dm²，T_Ni：2200~236000μg/dm²，170000≥{T_Ni‑T_Sn×(A_Ni/A_Sn
电磁波屏蔽金属材料电缆

[发明专利]实现业务链接的方法、设备及系统-CN201580001752.2有效
发明人：郝卫国;梁乾灯;黄世碧 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H04L12/723 文献下载
摘要：本发明一些实施方式中，方法包括：中间SN接收所述业务链路径上与中间SN直接相邻的下游SN发送的扩展的第一边界网关协议BGP报文，扩展的第一BGP报文中包括业务链路径标识和第一业务链路径，业务链路径标识用于标识业务链路径，第一业务链路径为包括从入口SN到中间SN的业务链路径的一条路径；中间SN确定在第一业务链路径上，与中间SN直接相邻的上游SN；中间SN向上游SN发送扩展的第二BGP报文；扩展的第二BGP报文中包括业务链路径标识和第二业务链路径，第二业务链路径为包括从入口SN到上游SN的业务链路径的一条路径。
实现业务链接方法设备系统

[发明专利]用于具有多个网络节点的通信网络中的时间同步的方法-CN201480033078.1有效
发明人： M.阿姆布鲁斯特;M.B.布尔;D.奥布拉多维奇 -专利权人：西门子公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H04J3/06 文献下载
摘要：在通信网络中规定一个或多个子网络（SN1、SN2、SN3、SN4），所述子网络分别包括多个来自所述通信网络的网络节点（N1、N2、N14），其中所述子网络中的一个或多个表示预先确定的子网络（SN1、SN2、SN3），在所述预先确定的子网络中各一个预先确定的网络节点（N1、N3、N5）不仅具有全局从节点（GS）的功能而且具有本地主节点（LM）的功能并且相应的预先确定的子网络（SN1、SN2、SN3）的一个或多个其它网络节点所述方法的特征在于，除了通过使用全局主节点（GM）和全局从节点（GS）进行全局同步之外，也在所述预先确定的子网络（SN1、SN2、SN3）中通过使用本地主节点（LM）和本地从节点（LS）来执行本地同步。以这种方式实现在一个预先确定的子网络（SN1、SN2、SN3）之外的错误情况下可以继续本地同步，而所述全局同步被中断。以这种方式避免有错误的同步在相应的子网络中被继续。
用于具有网络节点通信中的时间同步方法

[发明专利]一种锡基金属-有机框架光催化材料及制备方法和应用-CN202110575220.7有效
发明人：潘丽坤;刘心娟;陆婷;张新鲁;胡嘉培;孟凡越 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡基金属‑有机框架光催化材料及其制备方法，所述材料为锡基金属‑有机框架(Sn‑MOF)，所述Sn‑MOF为Sn‑TPA、Sn‑DHTPA、Sn‑TPA‑NH2或Sn‑TPA‑NO2。所述Sn‑DHTPA的晶体结构为正方晶系，空间群为P‑421c，经验分子式为H4O8Sn6Sn‑DHTPA中Sn为Sn4+/Sn2+混合价态，电导率为0.8所述Sn‑TPA为二维片状结构，直径为4‑5μm，厚度为0.3‑0.5μm。所述Sn‑TPA‑NH2为二维片状堆叠结构，厚度为0.04‑0.08μm。
一种基金有机框架光催化材料制备方法应用

[发明专利]In-Ga-Sn系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体膜、及半导体元件-CN201610292859.3有效
发明人：糸濑将之;西村麻美;笠见雅司;矢野公规 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)，0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)，0.0001<Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。
in ga sn 氧化物烧结半导体元件

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880009025.4有效
发明人：井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

[发明专利]Sn镀覆材料及其制造方法-CN202011428605.2在审
发明人：村田达则;小谷浩隆;远藤秀树;菅原章;园田悠太;加藤哲男;大住英树;豊泉隼 -专利权人：同和金属技术有限公司;矢崎总业株式会社
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：在由铜或铜合金构成的基材(10)的表面实施了Sn镀覆的镀Sn材料中，基材(10)的表面形成由Ni和Cu‑Ni中的至少一方构成的基底层(12)，该基底层(12)的表面形成通过由大量的Cu‑Sn类合金的结晶粒构成的Cu‑Sn类合金层(14)、和最外表面的位于相邻的Cu‑Sn类合金的结晶粒间的凹部内的Sn层(16)构成的最外层，最外表面中Sn层(16)所占的面积率为20～80％，Sn层(16)的最大厚度小于Cu‑Sn
sn 镀覆材料及其制造方法

[发明专利]一种数据包处理方法和装置-CN201610164708.X有效
发明人：韩虎贲 -专利权人：深圳市中兴微电子技术有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H04L12/931 文献下载
摘要：在终端侧，获取当前协议数据单元(PDU)对应的第一序列号(SN)、前一个PDU对应的第二SN、当前多播/组播单频网络(MBSFN)子帧、和无线链路控制(RLC)组包SN复位时间点；比较所述第一SN和所述第二SN，当所述第一SN和第二SN不连续时，根据所述第一SN、以及所述当前MBSFN子帧与所述SN复位时间点的关系，采用不同方式进行PDU解包。
一种数据包处理方法装置

[发明专利]Sn镀覆材料及其制造方法-CN201580011733.8在审
发明人：村田达则;小谷浩隆;远藤秀树;菅原章;园田悠太;加藤哲男;大住英树;豊泉隼 -专利权人：同和金属技术有限公司;矢崎总业株式会社
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：在由铜或铜合金构成的基材10的表面实施了Sn镀覆的镀Sn材料中，基材10的表面形成由Ni和Cu‑Ni中的至少一方构成的基底层12，该基底层12的表面形成通过由大量的Cu‑Sn类合金的结晶粒构成的Cu‑Sn类合金层14、和最外表面的位于相邻的Cu‑Sn类合金的结晶粒间的凹部内的Sn层16构成的最外层，最外表面中Sn层16所占的面积率为20～80％，Sn层16的最大厚度小于Cu‑Sn类合金的结晶粒的平均粒径
sn 镀覆材料及其制造方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶-CN202080007374.X在审
发明人：寺前裕美;西山功兵;越智元隆;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。
氧化物半导体薄膜薄膜晶体管溅射

[发明专利]用在EPS或5GS中的MN或SN中的装置-CN202110464751.9在审
发明人：韩载珉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H04W74/08 文献下载
摘要：本申请涉及用在EPS或5GS中的MN或SN中的装置。用在MN中的装置包括：RF接口；耦合到RF接口的处理器电路，用于在UE借助于该MN从RRC_非活动状态变换到RRC_连接状态时：从UE接收测量报告消息，并基于测量报告消息决定是否将服务UE的SN从源SN变为目标SN；生成提取UE上下文请求消息；经由RF接口，将提取UE上下文请求消息发送到作为UE的上一个主服务节点的旧MN；经由RF接口，从旧MN接收提取UE上下文响应消息；生成SN添加请求消息；经由RF接口，将SN添加请求消息发送到目标SN，以将服务UE的SN从源SN变为目标SN；以及经由RF接口，接收SN添加请求确认消息。
eps gs 中的 mn sn 装置