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[外观设计]切碎机（QSJ-Q40M5）-CN202230251666.X有效
发明人：牛似金;卢安琪;李一峰 -专利权人：佛山市小熊厨房电器有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：切碎机（QSJ‑Q40M5）。2.本外观设计产品的用途：用于切碎食物。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
切碎 qsj q40m5

[发明专利]一种单晶硅材料的深、微孔加工方法-CN202210058980.5有效
发明人：郭朋飞;李善维;杨佐东 -专利权人：重庆臻宝实业有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：base:Sub>＝(36％～40％)L，Q2＝(26％～30％)L，Q3＝(15％～18％)L，Q4＝(10％～12％)L，Q5＝(6％～8％)L；步骤2：计算单次切削时长H，H＝Q/F，式中F为切削进给速度；步骤3：计算单次切削时超声震动发生器的超声频率M；其中M1为初始频率，M2＝(70％～50％)M1，M3＝(50％～40％)M1，M4＝(40％～30％)M1Q；D＝20％Q；步骤5：依据上述数据进行加工；本发明意在解决单晶硅采用机械打孔加工效率低，加工孔壁质量和孔垂直度较差的问题。
一种单晶硅材料微孔加工方法

[外观设计]风冷声光Q开关（WG-40M-A）-CN201830328529.5有效
发明人：阿里克谢;钱晓锋 -专利权人：武汉市威佳激光有限责任公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：风冷声光Q开关（WG‑40M‑A）。
外观设计声光Q开关风冷激光高速扫描光电子系统单元器件光纤通讯激光测量激光光源激光频率激光显示分析图片

[发明专利]一种带高阶补偿电路的基准源电路结构-CN201911312751.6有效
发明人：王红义;王竞成;张海峰;刘沛;张国和 -专利权人：西安交通大学;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种带高阶补偿电路的基准源电路结构，包括：pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，p型MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8，n型MOS管M9，M10，电阻R1、R2、R3，以及单端输出运放A1；p型MOS管M1、M2、M3，单端输出运放A1，电阻R1，以及pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4构成正温度系数电流产生电路，用于产生包含一阶项和高阶项的电流；其中，Q1并联在Q2上，Q3并联在Q4；p型MOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10，电阻R3，以及pnp型三极管Q5构成零温度系数电流产生电路，用于为Q3提供电流偏置；p型MOS管M4，电阻R2，以及pnp型三极管Q5
一种带高阶补偿电路基准结构

[发明专利]永磁体、电动机及发电机-CN201480002269.1有效
发明人：堀内阳介;樱田新哉;萩原将也;小林刚史;小林忠彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01F1/055 文献下载
摘要：具备：以组成式：R_pFe_qM_rCu_tCo_{100‑p‑q‑r‑t}(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从由Zr、Ti和Hf所构成的组中选出的至少一种元素，p是满足10.8≤p≤12.5原子％的数，q是满足25≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.3原子％的数，t是满足3.5≤t≤13.5构成主相的晶粒中，具有10μm以下粒径的晶粒的比例在5％以下，且具有在与易磁化轴偏移30度以上的方向上与Th₂Zn₁₇型晶相的(001)面垂直的结晶方位的晶粒的比例在40％以下。
永磁体电动机发电机

[外观设计]发动机（40‑5M）-CN201630565072.0有效
发明人：胡全宇 -专利权人：永康市普天园林机械有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： 08-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：发动机（40‑5M）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于发动机。3．本外观设计产品的设计要点：外部形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
发动机 40

[发明专利]城市污水处理结构及其处理方法-CN202110109834.6在审
发明人：刘浩;丁照杰;陈义飞;张乐婷 -专利权人：青岛李村河水务有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及城市污水处理结构及其处理方法，COD检测设备分为位于臭氧接触池进水端；所述处理结构的处理方法如下：S1.设定臭氧与COD反应比例为α＝O3∶COD5∶＝2∶1；S2.设定总出水COD的控制值为28mg/L；S3.设定保安臭氧投加比例20％；S4.设定保安臭氧投加比例40％；S5.测量高速气浮池出水水量Q1和MBR出水水量Q2；S6.计算总水量Q总＝Q1+Q2；S7.测量高速气浮池出水污染物浓度CQ1，MBR膜池出水水渠臭氧投加量m2＝20％×10mg/L*Q2；S10.计算总臭氧产量：m总＝m1+m2；S11.通过FCV1控制FIT1接近m1，通过FCV2控制FIT2接近m2。
城市污水处理结构及其处理方法

[发明专利]颜料的分散体-CN99806174.3无效
发明人： A·鲍维;L·A·J·麦特修斯 -专利权人：帝国化学工业公司
申请日： 1999-04-30 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： C09D17/00 文献下载
摘要：(CH₂)_m].CH.[(CH₂)_p.O.(AO)_q.H]式中n和m各自独立为1-13；而p是1或2；这样，n+m+p是5-19，特别是7-17；AO是具有2-4个碳原子的氧化烯基团，且特别是氧化乙烯基团、氧化丙烯基团或氧化乙烯和氧化丙烯基团的混合物；和q是5-40。采用的总分散剂理想地包括至少 40％(重量)式(1)的化合物。该颜料分散体可以包括各种无机的、有机的颜料或炭黑且可用于油漆中。
颜料散体

[发明专利]视窗保护玻璃面板和抗冲击的强化视窗防护玻璃面板-CN202111610965.9在审
发明人：沈子涵;刘再进;张俊;胡正宜;陈佳佳;梁雅琼 -专利权人：四川虹科创新科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C03C3/085 文献下载
摘要：视窗保护玻璃面板的顶面30‑40μm深度位置的吸光度强度Q1的范围为：1.8≤Q1≤3.2，其中，吸光度强度Q1为波数为1380‑1420的最高峰值的吸光度强度；所述视窗保护玻璃面板的底面30‑40μm深度位置的吸光度强度Q2的范围为：2.1≤Q2≤3.8，其中，吸光度强度Q2为波数为1380‑1420的最高峰值的吸光度强度。
视窗保护玻璃面板冲击强化防护

[发明专利]波长转换构件及发光装置-CN202111140903.6在审
发明人：吉田茂希;渡边浩之;松家衣里 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：波长转换构件的所述荧光体层的厚度为5μm以上且155μm以下，在与所述波长转换层对于所述支撑体的配置面正交的截面中，相对于所述波长转换层的截面积，所述荧光体的粒子截面积的总和的比率为5％以上且小于40。下述式(1)中，M1表示La及Ce以外的选自稀土类元素中的至少1种，M1中的Y、Gd及Lu的总摩尔含有率为90％以上，p、q、r及s满足2.7≤p+q+r≤3.3、0≤r≤1.2、10≤s≤12、以及0＜q≤1.2。LapCeqM1rSi
波长转换构件发光装置

[发明专利]可聚合化合物和其作为蜡的用途-CN01101716.3无效
发明人： F－L·海因里其斯;E·克兰德林格;H·艾尔哈德特;A·翰兹 -专利权人：科莱恩有限公司
申请日： 2001-01-23 - 公布日： 2001-09-12 - 主分类号： C07C69/533 文献下载
摘要：本发明涉及下式化合物Zk－(Y－(W)(m－p－l－k)(X)q)n)其中Z是含有1－4个COOH基团和碳原子数为4－40的羧酸,Y是含有m个OH基团的多元醇,X是含有3－5个碳原子的烯属不饱和酸,W是褐煤酸,p是0－2.5的值,k是0－2的值,q是0.5－1.5的值,n是1－6的整数,m是3－8的整数,和其作为蜡型可聚合添加剂在表面涂层中的应用。
聚合化合物作为用途

[发明专利]一种高硬高强耐磨化合物涂层及其制备方法-CN202111161885.X有效
发明人：王志新;马明星;张志汉;聂绍乾;姚培琳 -专利权人：郑州启航精密科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：HCP1和HCP2三相结构的AlxCeyCoCrNiOpTbqTiYmZr(0.1≤x≤1.3；0.1≤y≤1；0.1≤p≤0.5；0.1≤q≤1；0.1≤m≤1；0.01x/(x+y+m+p+q+5)0.25；0.01y/(x+y+m+p+q+5)0.20；0.01p/(x+y+m+p+q+5)0.10；0.01q/(x+y+m+p+q+5)0.20；0.01m/(x+y+m+p+q+5)0.20)然后在喷砂处理后的工件表面进行沉积镀膜并原位生成梯度涂层，所制备的(AlxCeyCoCrNiOpTbqTiYmZr)N涂层硬度高，可显著提高工件的耐磨性能和使用寿命，且绿色环保，适合工业化生产。
一种高强耐磨化合物涂层及其制备方法

[发明专利]一种超低碳钢顶渣氧化性稳定控制的方法-CN202010072370.1有效
发明人：李玉德;李叶忠;马勇;张相春;王成青;陈志威;齐志宇;朱国强;刘振中 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C21C7/10 文献下载
摘要：包括如下步骤：1)根据大罐直径、渣厚计算渣量；计算公式如下：M＝π×(D/2)2×H×p；M为渣量，kg；D钢水罐直径，m；H为渣厚，m；P为炉渣密度，kg/m3；2)根据渣中FeO含量、渣量和FeO含量控制目标值计算改质剂加入量；计算公式如下：Q＝0.25×(W％‑5％)×M/40％；Q为改质剂加入量，kg；W％为进站渣中
一种低碳钢氧化稳定控制方法

[发明专利]抗腐蚀膜、形成有抗腐蚀层的金属基材以及其制备方法-CN201310333316.8无效
发明人：曾重仁;郑宪清;郑天钧;吴佩蓉;林泓成;蔡佩桦 -专利权人：中央大学
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：>，其中，45≤a≤75，25≤b≤35，5≤c≤15，5≤d≤15，0.1≤x≤10；[式2](Zr_eCu_fAl_gAg_h)_100-ySi_y，其中，35≤e≤55，35≤f≤55，5≤g≤15，5≤h≤15，0.1≤y≤10；[式3]Ti_iCu_jPd_kZr_lSi_m，其中，40≤i≤75，30≤j≤40，10≤k≤20，5≤l≤15，0.05≤m≤2；[式4]Ti_nTa_oSi_pZr_q，其中，30≤n≤80，0≤o≤40，1≤p≤20，5≤q≤40；[式5]Ti_rCu_sZr_tPd_u，其中，40≤r≤75，30≤s≤40，5≤t≤15，10≤u≤20。
腐蚀形成金属基材及其制备方法

[发明专利]一种带隙基准电压源-CN201210043266.5有效
发明人：周泽坤;张竹贤;徐祥柱;石跃;黄建刚;邱实;明鑫;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电压源，包括启动电路、核心带隙基准电路和高阶补偿电路，其中，核心带隙基准电路包括：PMOS管M1、M2、M3，NPN三极管Q1、Q2，以及电阻单元R1、RB1、RB2、RA；高阶补偿电路包括：PMOS管M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11，NPN三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8，以及电阻单元R2、R3。
一种基准电压

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