专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]MOM电容失配模型及其提取方法-CN201811581776.1有效
  • 张瑜;商干兵;王斐 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-12-24 - 2023-08-18 - G06F30/398
  • 本发明涉及一种MOM电容失配模型,涉及半导体集成电路,所述MOM电容失配模型为:mis_main=f(mis_geo,mis_lay)=’(mis_a*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5+mis_geo)+mis_c*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5‑mis_geo)+mis_d+mis_e*power(mis_lay,mis_f))*mis_con’其中,mis_geo代表MOM电容尺寸,mis_lay代表MOM结构的金属层数,mis_a、mis_b、mis_c和mis_d为与MOM电容尺寸相关的参数,mis_e和mis_f为与MOM结构的金属层数相关的参数,mis_con’=f(w,l,nr,s,mis_lay,V,T)为基本的MOM电容模型,其中w为MOM电容版图中每个金属层的宽度,L为MOM电容版图中每个金属层的长度,nr为每一电极包括的金属层的个数
  • mom电容失配模型及其提取方法
  • [发明专利]输出电路装置-CN03120116.4无效
  • 衣川宏树;石川好宜 - 松下电器产业株式会社
  • 2003-03-07 - 2003-09-24 - H02M3/155
  • 一种输出电路装置,从过大电流中保护输出用MIS晶体管,提供更高效的电源,它包括、电源供给部分(1);同时连接在电源供应部分(1)上的输出用MIS晶体管(6)和参照用MIS晶体管(18);为产生参照电压Vref的电流供应部分(9);为供给负荷电路(2)电流的输出终端(5);比较器(10);逻辑电路(17);为控制输出用MIS晶体管(6)的开/关的控制电路(14)。利用输出用MIS晶体管(6)及参照用MIS晶体管(18)的接通电阻比较参照电压Vref和输出终端电压Vout,检出输出电流的大小。当输出电流超越目标值时,切断输出用MIS晶体管(6),从过大电流中保护输出用MIS晶体管(6)。
  • 输出电路装置
  • [发明专利]YWK-II蛋白/APLP2作为MIS的新受体及其介导的信号传导通路-CN200410004792.6无效
  • 尹雪茜;杨茂君;缪时英;王琳芳 - 中国医学科学院基础医学研究所
  • 2004-03-11 - 2005-09-14 - G01N33/566
  • 本发明为发现YWK-II蛋白/APLP2作为MIS的新受体及其介导的信号传导通路,涉及蛋白质新功能的研究与应用领域。内容包括:体外共洗脱实验验证了两种蛋白质的相互作用;构建表达EGFP-YWK-II蛋白/APLP2的真核表达质粒,转染CHO细胞,荧光和免疫荧光观察显示,表达的重组蛋白定位于细胞膜上;筛选稳定表达EGFP-YWK-II蛋白/APLP2的CHO细胞系,发现MIS促进该细胞系的增殖;MIS通过与YWK-II蛋白/APLP2相互作用激活细胞ERK1/2,这一作用是通过Go蛋白实现的,Go1和Go2功能相似,其中主要经Goβγ介导,分别激活Ras和PKC,最终导致ERK1/2激活。发现YWK-II蛋白/APLP2MIS的受体配体关系对于了解MIS促进精子存活力和活动力功能的分子机制以及YWK-II蛋白/APLP2MIS的功能多态性有重要意义,为在精子冷冻技术中采用MIS作为精子的保护剂提供实验依据
  • ywkii蛋白aplp2作为mis受体及其信号传导通路
  • [发明专利]半导体装置以及其试验方法-CN200410002725.0无效
  • 阿部恒夫 - 尔必达存储器株式会社
  • 2004-01-19 - 2004-08-11 - G01R31/28
  • 在半导体装置(100)的特性试验时,第1输出电路对应的控制电路(102)把P型MIS晶体管TP1以及N型MIS晶体管TN1双方设成导通状态,而第2输出电路对应的控制电路(102)则把P型MIS晶体管TP2设成导通状态把N型MIS晶体管TN2设成闭合状态。从探针#1至探针#4之间连接电流源,因而根据使用探针#2、#3测量第1输出电路中输出端子Doutl与第2输出电路中输出端子Dout2间的电位差,从而测量P型MIS晶体管TP1的导通电阻
  • 半导体装置及其试验方法

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