专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2379个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]制造基于栅控横向晶闸管的随机存取存储器(GLTRAM)单元的方法-CN200980119832.2有效
  • H-J·曹 - 格罗方德半导体公司
  • 2009-05-28 - 2011-06-08 - H01L27/102
  • 第一栅极结构(465/408)覆盖该第一阱区(463),第二栅极结构(475/408)覆盖该第二阱区(471),第三栅极结构(485/408)覆盖该第三阱区(486)且与该第二栅极结构(475/408)成为一体,且第四栅极结构(495/408)覆盖该第四阱区(493)。形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一侧壁(414)与相邻于第二到第四栅极结构(475/408、485/408、495/408)的侧壁(412、413、416、417、418、419)的侧壁间隔件形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一源极区(472),形成在该第一和第二栅极结构(465/408、475/408)之间的公共漏极/阴极区(474/464),形成相邻于该第三栅极结构(485/408)的第二源极区(482),形成在该第三和第四栅极结构(485/408、495/408)之间的公共漏极/源极区(484/492),并形成相邻于该第四栅极结构(495/408)的漏极区(494)。
  • 制造基于横向晶闸管随机存取存储器gltram单元方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top