“liga3ge2o9”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8739564个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Ge2O9-CN201610598857.7在审
发明人：相怀成;段炼;唐莹 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Ge2O9及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和GeO2的原始粉末按LiGa3Ge2O9的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在950～1000℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。
温度稳定型超低介电常数微波陶瓷 liga3ge2o9

[发明专利]一种Si4+-CN201811412927.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：启东茂材实业有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8:Cr3+的制备方法，步骤如下：将Li2CO3Ga2O3、Cr2O3、SiO2、GeO2和SnO2置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨该方法简便、快捷、易操作，制备的Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa
一种 si base sup

[发明专利]可见光响应的光催化剂LiGa3Sn2O9及其制备方法-CN201610583974.6在审
发明人：陈爽;段炼;苏和平 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2016-07-24 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B01J23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽频高效的可见光响应光催化剂LiGa3Sn2O9及其制备方法。该光催化剂的化学组成式为LiGa3Sn2O9。本发明还公开了上述材料的制备方法。
可见光响应光催化剂 liga3sn2o9 及其制备方法

[发明专利]三维多孔碳负载Na₂Ge₄O₉复合物及其制备方法-CN201610323970.4有效
发明人：刘雪娇;宰建陶;钱雪峰;李波;何青泉;马对;李晓敏;张敏敏;刘园园;张洋;邹健;徐哲颖 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法，以纳米碳膜组成的3D多级碳网为骨架，碳膜上镶嵌Na2Ge4O9纳米粒子的结构。Na2Ge4O9在循环过程中产生的Na2O、Li2O可以作为柔性基质缓解Ge充放电过程中的体积膨胀问题。而3D碳网一方面增加了材料的导电性，另一方面分散了Na2Ge4O9纳米粒子，提供Ge体积膨胀的空间。与现有技术相比，本发明利用简单易得的NaCl模板，制备出多级结构，方法简单，设计巧妙。
三维多孔负载 na sub ge 复合物及其制备方法

[发明专利]温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Si2O9-CN201610587351.6在审
发明人：徐敏育;段炼;唐莹 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2016-07-24 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGa3Si2O9及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li2CO3、Ga2O3和SiO2的原始粉末按LiGa3Si2O9的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在900℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在950～1000℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。
温度稳定型超低介电常数微波陶瓷 liga3si2o9

[发明专利]一种低成本、高性能氧化物固态电解质及其制备方法和用途-CN202010106678.3在审
发明人：何天贤;范伟贞;周萌;罗海英;高远鹏;赵经纬;徐三善;徐金富 -专利权人：广州天赐高新材料股份有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：:Sub>、Li4Zn3Ga2Ge2O12、Li8Zn3Ga2Ge2O14或Li12Zn3Ga2Ge2O16中的任意一种。所述方法包括：1)按氧化物固态电解质化学式的摩尔计量比称取原料，混合并进行湿法球磨；2)蒸发干燥；3)预烧结；4)破碎、压片，再次烧结。
一种低成本性能氧化物固态电解质及其制备方法用途

[发明专利]一种Mn⁴⁺掺杂的锗酸盐红光材料及其制备方法-CN201511025717.2在审
发明人：潘跃晓;李丽;刘桂;吴紫英;谢淑君;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：该材料以K₂Ge₄O₉为基质，以Mn⁴⁺作为激活剂，化学组成为K₂Ge₄O₉:Mn⁴⁺；Mn⁴⁺部分取代Ge⁴⁺，相对于基质K₂Ge₄O₉，Mn⁴⁺的摩尔掺杂浓度为0.001％～1％。制备方法如下：以K₂CO₃、碳酸锰、氧化锗为原料，按化学计量比准确称量，研磨，在300～400℃预烧1～3小时，取出研磨，在500～700℃烧结2～6小时，冷却后取出
一种 mn sup 掺杂锗酸盐红光材料及其制备方法

[发明专利]在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法-CN201310723739.0无效
发明人：刘洪刚;韩乐;王盛凯;孙兵;常虎东;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。该方法还适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。
ge 衬底制备超薄氧化界面修复方法

[发明专利]一种制备室温铁磁性Ge掺杂GaN粉体的方法-CN201310207534.7无效
发明人：简基康;毛德意 -专利权人：新疆大学
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明公开了Ge掺杂GaN室温铁磁性纳米粉体的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。采用直接氮化反应法制备了Ge掺杂GaN粉体。以高纯Ga2O3粉、高纯Ge粉或GeO2粉、NH3气分别作为Ga源、Ge源和N源。将Ga2O3粉和Ge粉或GeO2粉充分混合后置于水平管式炉加热区。将管式炉抽真空至9×10-3Pa，通入Ar气，并对管式炉进行加热。当管式炉加热区的温度达到1000-1100℃时，通入100-250sccm的NH3气并保温1-4h。关掉NH3气，自然冷却到室温，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
一种制备室温铁磁性 ge 掺杂 gan 方法

[发明专利]一种无定形锗基纳米线-石墨烯纳米复合锂离子电池负极材料及制备方法-CN201810998587.8有效
发明人：封伟;赵付来;张鑫;王宇;冯奕钰;李瑀 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：、去离子水洗涤三次后干燥，得到水化Ca5Ge2O9纳米线，再经退火得到无定形Ca5Ge2O9纳米线，再与还原氧化石墨烯和导电炭黑共同超声抽滤，真空干燥得到Ca5Ge2O9/RGO/SP纳米复合负极材料。本发明其合成工艺简单，所制备的Ca5Ge2O9/RGO/SP纳米复合负极材料，其中Ca5Ge2O9为纳米线，减少了材料循环过程中的粉化，导电性能良好的RGO
一种无定形纳米石墨复合锂离子电池负极材料制备方法

[发明专利]一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法-CN201310723730.X无效
发明人：刘洪刚;韩乐;王盛凯;孙兵;常虎东;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法，该方法包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为氧化过程中的O3阻挡层；利用原子层沉积系统中的前驱体O3作为氧化剂，在Al2O3／Ge界面处氧化形成一层GeOx界面层；将在Al2O3／Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质／Al2O3／GeOx／Ge界面质量。本发明实现了Ge基MOS器件中栅叠层所要求的界面稳定性与高质量，适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。
一种采用原位臭氧氧化制备界面修复方法

[发明专利]可见光响应的光催化剂LiIn3Ge2O9及其制备方法-CN201610583441.8在审
发明人：方维双;段炼;唐莹 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： B01J23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽频高效的可见光响应光催化剂LiIn3Ge2O9及其制备方法。该光催化剂的化学组成式为LiIn3Ge2O9。本发明还公开了上述材料的制备方法。
可见光响应光催化剂 liin3ge2o9 及其制备方法

[发明专利]Ba3Ge2B6O16:Eu3+发光材料及其制备方法-CN201510438963.4有效
发明人：刘志宏;孔娜 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ba3Ge2B6O16Eu3+发光材料及其制备方法，该发光材料是以GeO2、BaCO3、H3BO3、H2O和Eu2O3为原料，先采用水热反应法制备成Ba3[Ge2B7O16(OH)2](OH)(H2O)Eu3+前驱体，然后将该前驱体高温焙烧相转化得到Ba3Ge2B6O16Eu3+发光材料。本发明方法原料易得，操作简单，与采用传统高温固相法制备的Ba3Ge2B6O16Eu3+发光材料相比，本发明制备得到的发光材料具有发光强度高、红橙比高、色纯度高的性能，可应用于显示、显像、光源等不同领域中
ba sub ge 16 eu sup 发光材料及其制备方法

[发明专利]一种基于芳香族有机配体的Ge-V-O化合物-CN201910464353.X在审
发明人：郭海洋 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于芳香族有机配体的Ge‑V‑O化合物，其为由Phen作为芳香族有机配体制备Ge‑V‑O化合物；所述Ge‑V‑O化合物为分子式为[H₈Ge₈V>·12.5H₂O的化合物1，或者为分子式为[H₇Ge₈V₁₂O₄₈Cd₂2O的化合物2，或者为分子式为{[Ge₆V₁₅O₄₈(H₂O)][Cd(μ₂‑en)₂]₃[Cd(μ₂‑en)(μ₁‑en)(μ₂‑en)Cd]}[Cd(en)₃]·5H₂O的化合物3。
芳香族有机配体催化效率清洗效果有机染料

[发明专利]一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法-CN201610053917.7在审
发明人：李成;池晓伟;陈松岩;黄巍 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统中，沉积一层Al₂O₃薄膜，实现对Ge衬底的表面钝化，获得Al₂O₃/Ge结构；将Al₂O₃/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al₂O₃/Ge界面态的优化；在处理后的样品上生长HfO₂高K介质；将获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得MOS可优化高K介质/Ge界面态，并能维持钝化层的热稳定性，可减小工艺流程和时间成本。
一种优化堆叠介质界面方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条