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[发明专利]用于ⅢA-N族器件的缓冲堆叠-CN201580065604.7有效
发明人： Q·法里德;A·M·海尔德 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：第一有空隙IIIA‑N族层沉积(102)在衬底上，并且然后第一基本无空隙IIIA‑N族层沉积(103)在第一有空隙IIIA‑N族层上。第一高粗糙度IIIA‑N族层沉积(104)在第一基本无空隙IIIA‑N族层上，并且第一基本平滑IIIA‑N族层沉积(105)在第一高粗糙度IIIA‑N族层上。然后至少一个IIIA‑N族表面层沉积(106)在第一基本平滑IIIA‑N族层上。
用于器件缓冲堆叠

[发明专利]ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法-CN200910179450.0无效
发明人：吉田丈洋 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制贴合界面的空隙等发生的IIIA族氮化物半导体复合基板、IIIA族氮化物半导体基板和IIIA族氮化物半导体复合基板的制造方法。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体复合基板包括由具有导电性且熔点为1100℃以上的导电性材料形成的基材(10)、设置在基材(10)上的IIIA族氮化物层(20)和设置在IIIA族氮化物层(20)上的IIIA族氮化物单晶膜(30)，IIIA族氮化物层(20)在IIIA族氮化物层(20)的与IIIA族氮化物单晶膜(30)相接的面上，具有由凹凸形成的波纹，该波纹的0.1(/μm)以上但小于1(/μm)的空间波长区域内的一元功率谱密度为小于
氮化物半导体复合制造方法

[发明专利]ⅢA族氮化物半导体晶体的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法-CN201010508646.2无效
发明人：大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种IIIA族氮化物半导体晶体的制造方法和IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法。所述IIIA族氮化物半导体晶体的制造方包括：制备晶种的步骤；以及生长所述IIIA族氮化物半导体晶体的凸面生长步骤，其中所述IIIA族氮化物半导体晶体的生长面仅由多个不垂直于生长方向的表面构成，并且由所述多个表面构成的所述生长面作为整体形成为凸面形状所述IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法是通过切割由所述凸面生长步骤获得的IIIA族氮化物半导体晶体来制备IIIA族氮化物半导体衬底。
氮化物半导体晶体制造方法衬底

[发明专利]一种鉴别猪肠粘膜肝素中羊来源肝素掺杂比例的方法-CN202211198447.5有效
发明人：李玮涛;赵丽丽;王娟娟;赵娟;艾自明 -专利权人：东营天东制药有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N30/06 文献下载
摘要：本发明提出一种鉴别猪肠粘膜肝素中羊来源肝素掺杂比例的方法，属于肝素来源鉴别技术领域，所述方法包括如下步骤：1)将待检测肝素样品进行酶解，得到待检测肝素酶解液；2)采用液相色谱检测待检测肝素酶解液的△IS和△IIIA含量；3)计算△IS/△IIIA的比值，Y＝△IS/△IIIA；4)计算待检测肝素中羊肝素的比例X：Y＝[(△IS/△IIIA)羊‑(△IS/△IIIA)猪]X+(△IS/△IIIA)猪。
一种鉴别粘膜肝素来源掺杂比例方法

[发明专利]导电的IIIA族氮化物晶体的制造方法,导电的IIIA族氮化物衬底的制造方法及导电的IIIA族氮化物衬底-CN201010293721.8有效
发明人：吉田丈洋 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：提供一种具有足够的导电率并且能够在短时间内生长的IIIA族氮化物晶体，用IIIA族卤化物气体和NH3气通过气相沉积以大于450μm/小时且2mm/小时以下的生长速率在基板上生长IIIA族氮化物晶体，其中用GeCl4作为掺杂源将Ge掺杂到IIIA族氮化物晶体中，使IIIA族氮化物晶体的电阻率为1×10-3Ω·cm以上且1×10-2Ω·cm以下。
导电 iiia 氮化物晶体制造方法衬底

[发明专利]形成化合物半导体膜和制作相关电子器件的方法-CN98102989.2无效
发明人：布伦特·M·巴索尔;维杰伊·K·卡普尔;阿尔文德·T·哈拉尼;克雷格·R·莱德霍尔姆;罗伯特·A·罗 -专利权人：国际太阳能电子技术公司
申请日： 1998-05-16 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种形成化合物膜的方法，包括步骤：制备源材料，其包括含有IB-IIIA族合金的颗粒，至少具有一个IB-IIIA族合金相，IB-IIIA族合金在所述源材料中构成大于大约50摩尔百分比的IB族元素及大于大约50摩尔百分比的IIIA族元素；在一基底上以先质膜形式沉积所述源材料；以及在合适的环境下加热所述先质膜，以形成含有IB-IIIA-VIA族化合物的膜。
形成化合物半导体制作相关电子器件方法

[发明专利]IIIA族氮化物晶体的制造方法-CN201210336715.5有效
发明人：林昌弘;皿山正二;佐藤隆;南部洋志;木村千春;三好直哉 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
iiia 氮化物晶体制造方法

[发明专利]制备取代的咪唑基甲酰胺的方法-CN201880032126.3在审
发明人： M·莫斯林;M·维洛特;J-R·詹森 -专利权人：拜耳公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明涉及由式(I)的化合物开始经由式(IIIa)或(IIIb)的中间体阶段来制备式(II)的取代的咪唑基甲酰胺的方法，其中式(I)、(II)、(IIIa)和(IIIb)中所示的结构元素具有上述含义。本发明还涉及式(IIIa)和(IIIb)的化合物。
式( I )中间体阶段结构元素甲酰胺咪唑基制备

[发明专利]用于测定包含可溶性Fcγ受体的组合物的稳定性的体外方法-CN201480054299.7有效
发明人： P·松德尔曼;T·波尔;D·特米尔 -专利权人：苏伯利莫尔公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明实质上涉及一种用于测定包含可溶性人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB或实质上由可溶性人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB组成的组合物的稳定性例如放置稳定性、时间稳定性、保质期的体外方法，所述方法包括以下步骤使包含人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB的表面与设置量的聚集人IgG接触；使包含人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB的所述表面与设置量的所述可溶性人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB的组合物接触；测定结合至包含所述人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB的所述表面的聚集人IgG的量，和将如在步骤(c)测得的结合至所述表面的聚集人IgG的量与参考值比较，并且(由此)测定所述包含可溶性人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB或实质上由可溶性人Fcγ受体IIA、IIB、IIIA和/或IIIB组成的组合物的稳定性(放置稳定性
用于测定包含可溶性 fc 受体组合稳定性体外方法

[发明专利]整合素GPIIb/IIIa拮抗剂及其和抗VEGF抗体联合用药的应用-CN202210867481.0在审
发明人：杨少伟;俞金泉;李胜峰 -专利权人：百奥泰生物制药股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A61K38/12 文献下载
摘要：本发明公开了整合素GPIIb/IIIa拮抗剂及其与VEGF拮抗剂联合用药在治疗眼类疾病中的应用，治疗方法包括向有需要的患者给药有效量的整合素GPIIb/IIIa拮抗剂或整合素GPIIb/IIIa拮抗剂和
整合 gpiib iiia 拮抗剂及其 vegf 抗体联合用药应用

[发明专利]多元合金及其制备方法、超晶格及其制备方法和应用、激光器、光电探测器、太阳能电池-CN201980097161.8在审
发明人：杜鹏 -专利权人：杜鹏
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：所述多元合金的制备方法包括采用分子束外延交替层叠生长至少两种IIIA‑VA二元合金、至少两种IIIA‑VA三元合金、或至少一种IIIA‑VA二元合金和至少一种IIIA‑VA三元合金，得到所述多元合金，其中，IIIA‑VA二元合金的厚度和IIIA‑VA三元合金的厚度均低于一个分子层厚的多元合金的厚度。
多元合金及其制备方法晶格应用激光器光电探测器太阳能电池

[发明专利]ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底-CN200910149875.7有效
发明人：大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，其可以在短时间内制造高精度、高纯度的IIIA族氮化物半导体衬底，以及用该方法制造的氮化物半导体衬底。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，包括：准备具有一个晶面和比该晶面硬度小的其它晶面的IIIA族氮化物半导体单晶的大块晶体的大块晶体准备工序，和从准备好的大块晶体的其它晶面侧朝向该一个晶面侧切断大块晶体的切断工序
氮化物半导体衬底制造方法

[发明专利]硫属元素化物太阳能电池-CN200680052019.4无效
发明人： J·K·J·万杜伦;B·波尔曼;M·R·罗斯彻森;B·M·萨格 -专利权人：纳米太阳能公司
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：公开了用于形成IB族－IIIA族－硫属元素化物化合物膜的前体材料以及制造这种膜的方法。该膜包含IB族－硫属元素化物纳米颗粒和/或IIIA族－硫属元素化物纳米颗粒和/或纳米球和/或纳米液滴和额外硫属元素源。作为替代，该膜可以含有核壳纳米颗粒，该核壳纳米颗粒具有包括IB族和/或IIIA族元素的核心纳米颗粒，该核心纳米颗粒涂覆有单质硫属元素材料的外壳。制造IB族－IIIA族－硫属元素化物化合物膜的方法包括混合纳米颗粒和/或纳米球和/或纳米液滴来形成油墨，将该油墨沉积在衬底上，加热以便熔化额外硫属元素并使硫属元素与IB族和IIIA族元素和/或硫属元素化物反应形成致密的膜
元素太阳能电池

[发明专利]IB－IIIA－VIA₂黄铜矿类固溶体化合物-CN200510009615.1有效
发明人：杨春晖;王锐;朱崇强;王佳 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2005-01-12 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：IB－IIIA－VIA₂黄铜矿类固溶体化合物，它涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿类化合物。现有黄铜矿类化合物的吸收带边都是固定的，限制了这些材料的应用范围。本发明IB－IIIA－VIA₂黄铜矿类固溶体化合物为，在原有黄铜矿类化合物IB－IIIA－VIA₂中，由S、Se、Te任选其中两种共同占据上述化学式中VIA元素的位置所形成的化合物，该化合物的分子式为IB－IIIA－(S_1－xSe_x)₂或IB－IIIA－(S_1－xTe_x)₂或IB－IIIA－(Te_1－xSe_x)₂，其中x的取值范围为：0＜X＜1，通过调节X取值，可以改变化合物组成和化合物吸收带边
ib iiia via sub 黄铜矿固溶体化合物

[发明专利]识别血小板膜糖蛋白的单克隆抗体及其在抗血栓治疗中的应用-CN02125227.0有效
发明人：阮长耿;叶庆炜 -专利权人：阮长耿;叶庆炜
申请日： 2002-07-17 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： C07K16/18 文献下载
摘要：本发明涉及由分别作用于血小板GPIIb－IIIa不同位点的抗体组合而成的双抗体。本发明的双抗体能够完全封闭GPIIb－IIIa的受体活性，完全抑制血小板的聚集活性，从而抑制血小板血栓的形成。因此，本发明的双抗体作为一种新的血小板受体GPIIb－IIIa阻断剂，具有常规抗血小板药物不可比拟的优点和潜在应用价值。
识别血小板糖蛋白单克隆抗体及其血栓治疗中的应用

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