专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]双效型吸收式制冷机-CN95115372.2无效
  • 井上修行 - 株式会社荏原制作所
  • 1995-08-09 - 2003-11-26 - F25B49/04
  • 双效型吸收式制冷机(其中,高温发生器GH产生的制冷剂蒸汽作为低温发生器GL的热源)包括一个用于检测高温发生器GH出口处液位的液位检测换热器XC,它不需任何活动部件以及气密和/或液密密封部分,从而可从长期可靠地检测液位液位检测换热器XC包括随连接高温发生器GH溶液出口部分和高温换热器XH的溶液管道中的液位而变化的有效传热面积。
  • 双效型吸收制冷机
  • [发明专利]一种改善PECVD制程良率的方法-CN201410700949.2在审
  • 谢雄伟;李建;任思雨;苏君海;李建华;黄亚清 - 信利(惠州)智能显示有限公司
  • 2014-11-28 - 2015-04-08 - C23C16/52
  • 本发明公开一种改善PECVD制程良率的方法,该PECVD即AS膜沉膜在GE膜21上,其中,GE膜21为设置在玻璃基板20上的金属膜,AS膜是半导体膜且进一步细分为5层,其中AS膜与GE膜直接接触的是GH层25,GH膜的厚度记为H,其特征在于,包括预沉膜、毛刷清洗、再沉膜;预沉膜,选取一定厚度的GH层22对GE膜表面进行沉膜,该厚度记为H1;毛刷清洗,使用毛刷对上述预沉膜后的半成品表面进行清洗,将此时处于表面的异物23清除,表面的异物23被清除后留下凹坑24;再沉膜,再次选取一定厚度的GH层对上述带有凹坑的表面进行二次沉膜,该厚度记为H2,且H2=H-H1;上述凹坑处的GH层厚度为H与凹坑深度之差。
  • 一种改善pecvd制程良率方法

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