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[发明专利]一种非晶GeH的高压制备方法-CN201911213390.X有效
发明人：李全军;荆晓玲;赵海洋;杜轶;刘冰冰 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C01B6/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶GeH的制备方法，属于非晶GeH制备技术领域。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：将晶体GeH、压力标定物和传压介质密封在金刚石对顶砧压机的腔体内，调节腔体内的压力，得到非晶GeH。本发明在密封的金刚石对顶砧压机中，对GeH施加压力，使GeH的非晶化过程在室温条件下能够实现，且在制备过程中不易引入杂质，能够获得纯净的非晶态GeH。且本发明提供的方法操作简单，重复性好。
一种 geh 高压制备方法

[发明专利]锗化氢/还原氧化石墨烯/导电炭黑纳米复合锂离子电池负极材料及其制备方法-CN201710934288.3在审
发明人：封伟;赵付来;王宇;张盼盼;冯奕钰;李瑀 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：/导电炭黑纳米复合锂离子电池负极材料及其制备方法，高温熔炼法制备CaGe₂晶体，然后将CaGe₂晶体作为锗源分散于浓盐酸中，在室温下快速搅拌反应，得到层状的GeH然后将GeH分散在异丙醇中超声处理，室温真空干燥得到少层的GeH纳米片。再将GeH纳米片与RGO和SP分散在异丙醇中共同超声，室温真空干燥得到GeH/RGO/SP纳米复合负极材料。本发明制备的GeH/RGO/SP纳米复合负极材料，GeH为纳米片，减少材料循环过程中的粉化，导电性能良好的RGO的加入以及导电剂SP的均匀分散，增大材料的比表面积，有效减缓锗基材料的体积膨胀，同时为锂离子提供更多的扩散渠道
纳米复合纳米片制备锂离子电池负极材料还原氧化石墨烯室温真空干燥导电炭黑负极材料异丙醇锗化氢电子导电性锂离子电池超声处理导电剂SP 导电性能高温熔炼减少材料快速搅拌体积膨胀循环过程整体材料比容量长循环大倍率浓盐酸锂离子超声粉化少层锗基锗源扩散渠道

[发明专利]一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法-CN202110625764.X有效
发明人：罗劭娟;吴梓环;招家富;王林杰;邱全源;李泽宇;陆凤连;冯斯桐;欧金法;吴传德 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法，Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤：S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧，冷却后得到混合物；锗单质与钙单质的质量比为1：(0.4～0.8)；S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合，在真空条件下搅拌反应40～55h，洗涤，超声处理，所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能，可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。
一种二维层状异质结 ge geh 光电阳极材料及其制备方法

[发明专利]一种高容量的层状二硫化锗纳米片及其制备方法和应用-CN201810291405.3有效
发明人：李成超;王博;耿红波;张宇斐 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C01G17/00 文献下载
摘要：所述层状二硫化锗纳米片是由锗源和钙源混合后在900℃～1050℃下经退火Ⅰ，将所得产物加入盐酸溶液中，在‑20℃～‑40℃搅拌，得到GeH，然后将GeH和硫源在650℃～850℃下经退火Ⅱ，经洗涤，干燥制得本发明制备的层状GeS2单层厚度约为1.2nm，相比于利用机械力的高能球磨方法，本发明利用原位转化法制备的GeS2，完整地保持了GeH
一种容量层状硫化纳米及其制备方法应用

[外观设计]逆变器（GEH US）-CN202230347238.7有效
发明人：王惠惠;张旭;夏梦倩;黄敏;方刚 -专利权人：固德威技术股份有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：逆变器（GEH US）。2.本外观设计产品的用途：用于电力设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
逆变器 geh us

[发明专利]电子器具-CN03807199.1无效
发明人： M·佩特里切克;T·罗特迈尔 -专利权人：奥地利西门子公司
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种具有一个外壳(GEH)的电子器具(GER)，在该外壳中设有至少一个具有配备面(BES)的电路板(STT)，其中在该配备面上设置至少一个电子构件(BAU)，其中在对置于配备面(BES)中的一个的内侧面的、基本上平行于电路板(STT)延伸的外壳(GEH)侧壁(SEI)上设置一个基本为板状的金属冷却元件(KUE)，该元件在装配状态中与所述至少一个布置在配备面(BES)上的构件(BAU)进行热连接。
电子器具

[外观设计]插座(GEH-052)-CN202230071347.0有效
发明人：李明波 -专利权人：宁波宏一电子科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：插座(GEH‑052)。2.本外观设计产品的用途：用于电源插座。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
插座 geh 052

[发明专利]化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法-CN200510095459.5无效
发明人：韩平;王荣华;夏冬梅;刘成祥;谢自力;赵红;修向前;朱顺明;顾书林;施毅;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH₄、C₂H₄为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C₂H₄分压0.01～0.15Pa，GeH₄分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si_1－xGe_x：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH
化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲薄膜方法

[实用新型]双半外圈向心关节轴承-CN02208324.3无效
发明人：何国辉 -专利权人：福建龙溪轴承股份有限公司
申请日： 2002-03-20 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： F16C33/14 文献下载
摘要：适用于GEH...HC、GEH...HT型向心关节轴承。
外圈向心关节轴承

[发明专利]使用沸石吸附剂存储GeH4的存储及运送容器-CN202180068668.8在审
发明人： O·比尔 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F17C13/04 文献下载
摘要：本发明描述用于从其中锗烷(GeH4)与包含沸石咪唑骨架的固体吸附剂介质保持吸附关系的容器选择性地施配所述锗烷作为试剂气体的存储及施配系统以及相关方法。
使用吸附剂存储 geh4 运送容器

[发明专利]一种人脸特征点检测方法-CN201710138179.0在审
发明人：孙艳丰;赵爽;孔德慧;王少帆;尹宝才 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种人脸特征点检测方法，以姿态检测任务作为约束，以多类特征图进行融合的新型三通道GEH(Gray‑Edge‑Hog)模式图像作为输入的人脸特征点检测的方法。具有相当大的影响；同时加入反映人脸图像局部特征表象和形状的Hog特征信息以及用于边缘检测的Sobel算子提取的边缘图像信息可有效降低轮廓特征点检测的复杂度，本发明通过提取图像灰度值，边缘信息及Hog特征生成新型GEH
一种特征检测方法

[发明专利]相变随机存取存储器及制造方法-CN200910198580.9有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：所述相变随机存取存储器的制造方法包括：形成开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的相变层、相变层上的顶部电极；以及在所述底部电极、相变层、顶部电极两侧形成侧墙，所述相变层由H2Se、GeH4采用H2Se、GeH4、SbH3的一种或其组合，替代含Si/N/C的硫系化合物作为相变材料，使得形成相变层时的材料气体和含Si/N/C的掺杂气体互不相关，从而降低了掺杂过程的离子浓度控制的难度。
相变随机存取存储器制造方法

[发明专利]用于电解锗烷工艺的电极-CN201110265726.4有效
发明人： K·雅姆布纳桑;K·R·伯格;R·M·玛查多;D·J·拉斯戴尔 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C25B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用金属合金电极(例如具有例如Sn、Pb、Zn、Cu等的合金元素的富含铜或锡的合金电极)对包含GeO2、氢氧化物和水的水性电解质溶液的电解，以生成锗烷(GeH4)。富含铜的合金电极已被证明与铜金属电极相比提高GeH4的电流效率接近20％。已发现通过使用富含铜的合金电极使得锗沉积不存在或最小化。
用于电解工艺电极

[外观设计]分缝预埋件（GEH硬碰）-CN202230457195.8有效
发明人：彭政 -专利权人：彭政
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： 25-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：分缝预埋件（GEH硬碰）。2.本外观设计产品的用途：用在门套和乳胶漆之间，或者墙体阴角拐弯连接处，使墙体和门套，墙体和墙体之间形成标准的缝隙。
预埋件 geh

[外观设计]预埋件（GEH-A03硬碰）-CN202230457194.3有效
发明人：彭政 -专利权人：彭政
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： 25-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：预埋件（GEH‑A03硬碰）。2.本外观设计产品的用途：用在门窗套和乳胶漆连接处位置处形成标准直线。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
预埋件 geh a03

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