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[发明专利]基于GE9F燃机的燃机排气温度保护控制方法及系统-CN202210913117.3在审
发明人：贾海星 -专利权人：广州发展电力科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F01D21/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于GE9F燃机的燃机排气温度保护控制方法，包括：获取对燃机进行控制的MARK VIE逻辑及调用MARK VIE逻辑的服务器，服务器上设有对排气温度热电偶故障控制的控制面板，MARK VIE
基于 ge9f 排气温度保护控制方法系统

[发明专利]一种耐低温弯曲不敏感单模光纤-CN201710625328.6有效
发明人：方足成;王瑞春;姜胜斌;张磊 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：Δ_F‑core为‑0.04～‑0.10％，芯层Ge掺杂的相对折射率贡献量Δ_Ge‑core为0.35～0.48％；内包层F掺杂相对折射率贡献量Δ_{F‑innerclad}为‑0.10～‑0.24％，内包层Ge掺杂的相对折射率贡献量Δ_{Ge‑inner clad}为0.05～0.20％，且|Δ_{F‑inner clad}|≥Δ_{Ge‑inner clad}；下陷外包层F掺杂相对折射率贡献量Δ_F‑trench为‑0.20～‑0.35％；且，芯层、内包层和下陷外包层中F掺杂的相对折射率贡献量存在以下关系：|Δ_F‑Trench|≥|Δ_F‑core|+|Δ_{F‑inner clad}|，且1.5*|Δ_F‑core|≤|Δ_{F‑inner clad}|。
一种低温弯曲敏感单模光纤

[发明专利]方法和装置-CN202080050620.X在审
发明人： M·哈帕涅米;M·雷萨南;S·萨雷拉;A·韦恩霍;J·米科南;O·兰茨;T·维塔-阿霍;E·阿格斯特罗姆;S·玛基玛蒂拉;K·维尼卡拉;P·埃格林格;T·里纳;P·科雷 -专利权人：通力股份公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B66B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在在建建筑物(1)内部运输建筑材料和/或设备的方法，其中在建建筑物(1)包括多个竖直移位楼层(F0至Fn)，该方法包括：在在建建筑物(1)中提供用于运输运输集装箱(9)的升降机(GE)，所述升降机(GE)包括至少一个负载接收单元(7)，该至少一个负载接收单元(7)在形成于在建建筑物(1)中的升降机竖井(S)中沿着一个或多个导轨线(16)竖直可移动；以及提供多个运输集装箱(9)，每个运输集装箱(18a至18d)，用于当集装箱(9)的标识(10)在一个或多个检测器(18a至18d)的检测范围内时，检测集装箱(9)的标识(10)；将属于多个运输集装箱(9)的第一运输集装箱(9)移动到装载楼层(F0F1至Fn)包括：至少使用检测器(18a至18d)检测第一运输集装箱(9)的标识(10)；以及将负载接收单元(7)在升降机竖井(S)中竖直自动移动到第一集装箱(9)的目的地楼层(F1至Fn)；以及将第一运输集装箱(9)从负载接收单元(7)卸载到第一集装箱(9)的目的地楼层(F1至Fn)。
方法装置

[发明专利]方法和升降机装置-CN202080050606.X在审
发明人： M·哈帕涅米;M·雷萨南;S·萨雷拉;A·韦恩霍;J·米科南;O·兰茨;T·维塔-阿霍;P·科雷 -专利权人：通力股份公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B66B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将建造材料和/或设备运输到在建建筑物(1)中和内部的方法，其中在建建筑物(1)包括多个竖直移位楼层(F0至Fn)，该方法包括：提供控制系统(11)，被配置为自动操作至少包括升降机(GE)的一个或多个运输设备(2至6、GE)；以及在建筑物的建造工地处提供储存装置(8)；以及将包含建造材料和/或设备的多个运输集装箱(9)运输到在建建筑物(1)的建造工地处的储存装置(8)中；以及将所述运输集装箱(9)存储在储存装置(8)中；以及将属于所述多个运输集装箱的运输集装箱(9)从所述储存装置(8)输送到不同的目的地楼层(F1至Fn)，该输送包括：获得输送运输集装箱(9)的命令，该命令标识待输送运输集装箱(9)；以及从储存装置(8)中检索在命令中标识的运输集装箱(9)；以及将运输集装箱(9)至少水平移动到在建建筑物(1)的集装箱装载楼层(F0)；以及将用于移动到其目的地楼层的所述运输集装箱(9)装载在负载接收单元(9)的目的地楼层。
方法升降机装置

[发明专利][18-CN202010023208.0在审
发明人：周维燕;陆秀宏;孔艳艳;李明;华涛;管一晖 -专利权人：复旦大学附属华山医院
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C07C319/14 文献下载
摘要：本发明公开了[18F]‑GE‑179的合成方法，步骤如下：步骤1，回旋加速器产生H+质子轰击18O‑重氧水，利用核反应18O(p,n)18F产生18F‑离子；18F‑；前体2与[K/K2.2.2]+18F‑反应生成中间体3；步骤2，溶解前体1，加入碱性还原剂得到还原的中间体4；步骤3，将中间体3直接加入步骤2的反应溶液中，得到18F‑GE179本发明提供的[18F]‑GE‑179的合成方法采用巯基二聚体作为标记前体，还原后立即进行亲核取代反应得到18F‑GE179
base sup 18

[发明专利]用于肺栓塞诊断的糖链标志物及其应用-CN202310215537.9有效
发明人：荆志成;张泽建;刘超;连天宇;孙凯;徐希奇;丁东 -专利权人：中国医学科学院北京协和医院
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明提供的用于肺栓塞诊断的标志物包括以下糖链标志物中的一种或多种的组合：A3FS、A2GS、A4GS、A3FGS、A4F0GS、A2F0E、A3FE、A2GE、A2F0GE、A3FGE、A4F0GE、A2F0L、A2F0GL。
用于肺栓塞诊断标志及其应用

[发明专利]红外线透射玻璃-CN202080009039.3有效
发明人：松下佳雅;佐藤史雄 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C03C3/32 文献下载
摘要：该红外线透射玻璃的特征在于：以摩尔％计，含有大于0且为9％以下的Ge、大于0且为50％以下的Ga、50～90％的Te、0～40％的Si+Al+Ti+Cu+In+Sn+Bi+Cr+Sb+Zn+Mn+Cs+Ag+As+Pb和0～40％的F+Cl+Br+I。
红外线透射玻璃

[发明专利]三维多孔碳负载Na₂Ge₄O₉复合物及其制备方法-CN201610323970.4有效
发明人：刘雪娇;宰建陶;钱雪峰;李波;何青泉;马对;李晓敏;张敏敏;刘园园;张洋;邹健;徐哲颖 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法，以纳米碳膜组成的3D多级碳网为骨架，碳膜上镶嵌Na2Ge4O9纳米粒子的结构。Na2Ge4O9在循环过程中产生的Na2O、Li2O可以作为柔性基质缓解Ge充放电过程中的体积膨胀问题。而3D碳网一方面增加了材料的导电性，另一方面分散了Na2Ge4O9纳米粒子，提供Ge体积膨胀的空间。与现有技术相比，本发明利用简单易得的NaCl模板，制备出多级结构，方法简单，设计巧妙。
三维多孔负载 na sub ge 复合物及其制备方法

[发明专利]一种F^-、Zn²⁺、B³⁺离子协同掺杂的NASICON型固体锂离子电解质-CN201110217362.2有效
发明人：水淼;舒杰;任元龙;徐丹;郑卫东;任政娟;王青春;黄峰涛 -专利权人：宁波大学
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：一种F-、Zn2+、B3+离子共掺杂的NASICON型锂离子固体电解质，其特征在于化学计量式为Li1+2x+2z-yZnxBzM2-xP3-zO12-yFy，其中：x＝0.1-0.5；y＝0.1-0.2；z＝0.1-0.3；M为Ti，Ge，Zr中的一种；将ZnO∶LiF∶B2O3∶MO2(M＝Ti，Ge，Zr)∶NH4H2PO4∶Li2CO3为0.1-0.5∶0.1-0.2∶0.05-0.15∶1.5-1.9∶2.7-2.9∶0.5-1.2(摩尔比)的比例均匀混合，经过球磨、压制、烧结而成；能够获得大于9·10-4S/cm的室温锂离子电导率。
一种 sup zn 离子协同掺杂 nasicon 固体锂离子电解质

[发明专利]H9亚型禽流感重组鸭肠炎病毒rDEVΔgE-H9株的构建及其应用-CN201510835611.2在审
发明人：杨承槐;陈光华;李俊平;孙莹;李岭;李启红;曹明慧;李慧姣 -专利权人：中国兽医药品监察所
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C12N7/01 文献下载
摘要：具体地，本发明构建了缺失gE基因、携带绿色荧光标记的重组鸭肠炎病毒载体rDEVΔgE-GFP，通过同源重组的方法，可获得表达外源基因的重组鸭肠炎病毒，为鸭肠炎病毒作为载体构建抗鸭瘟和其他病原的新型重组疫苗打下基础；构建了表达H9亚型禽流感病毒血凝素(HA)基因的重组鸭肠炎病毒rDEVΔgE-H9株。本发明提供所述表达H9亚型禽流感病毒血凝素(HA)基因的重组鸭肠炎病毒(rDEVΔgE-H9)的应用，其用于制备预防鸭瘟和H9亚型禽流感的疫苗。
h9 禽流感重组肠炎病毒 rdev ge 构建及其应用

[发明专利]一种预脱锌协同含锗氧化锌烟尘中和法高效富集锗的方法-CN202310187035.X有效
发明人：杨坤;宋雷婷;张利波;李世伟;夏洪应;王仕兴 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C22B7/02 文献下载
摘要：本发明方法包括中性浸出、一段浸出、二段浸出、中和沉锗、中和后液回用5个工序，中性浸出段烟尘中ZnO大量浸出，Pb、Fe、Ge、As、F、Si物相基本不变，实现主要元素Zn与杂质元素的高效分离；一段浸出采用氧化浸出工艺，有效浸出ZnS，打开烟尘中ZnS包裹锗，实现Fe、Ge、As、F、Si大量浸出；二段浸出采用高酸高温浸出工艺，有效浸出难处理Pb5GeO7SiO4、Fe2(SiO3)3，提高Ge、Zn等的浸出；中和沉锗中大量生成Fe(OH)3，实现Ge、As、F的有效富集及杂质元素的脱除；中和后液回用时，残存Fe(OH)3胶体作为中性浸出除F晶种。
一种预脱锌协同氧化锌烟尘中和高效富集方法

[发明专利]100GE数据在光传送网中的传送方法和数据发送装置-CN201010120328.9无效
发明人：沈瑶;董立民;苏伟;向俊凌;丁炽武 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种100GE数据在OTN中的传送方法，包括：获得100GE CBR客户信号；分析所述100GE CBR客户信号，得到100GE CBR时钟信息，并且，将所述100GE CBR客户信号转换为100GE MAC帧数据，通过GFP-F将所述100GE MAC帧数据映射到OPU2-10v中；对所述OPU2-10v进行虚级联处理，形成10路OTU2线路接口数据，其中，对所述OPU2-10v进行虚级联处理包括将所述100GE CBR时钟信息作为开销插入到OTN帧的开销区域中；在OTN线路上发送所述10路OTU2线路接口数据。本发明还提供数据发送装置、100GE数据在OTN中的接收方法和数据接收装置。
100 ge 数据传送中的方法发送装置

[发明专利]激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法-CN201611250913.4在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法，包括：(a)制备衬底层，所述衬底层材料为单晶硅；(b)利用磁控溅射法在所述衬底层上用两步法工艺生长Ge外延层，所述衬底层和所述Ge外延层构成Ge/Si衬底；(c)利用CVD方法在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀清除所有所述氧化层；(f)在所述Ge/Si衬底上制备Ge/GaAs双结太阳能电池层；(g)在所述太阳能电池层上制备接触层和反射膜层，最终形成所述Ge/GaAs双结太阳能电池。本发明激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池的制作方法通过连续激光辅助晶化Ge/Si衬底，可有效降低Ge/Si衬底的位错密度，利于获得高质量Ge/Si衬底Ge/GaAs双结太阳能电池，
衬底双结太阳能电池晶化衬底层外延层激光辅助制备太阳能电池层氧化层制作磁控溅射法两步法工艺单晶硅反射膜层连续激光电转化接触层刻蚀位错生长

[发明专利]用于延伸L波段和S波段放大的硅酸盐波导组合物-CN02826445.2无效
发明人： M·T·安德森;C·R·查特;J·R·昂斯托特;K·D·布德 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2002-11-07 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： C03C13/04 文献下载
摘要：光波导，包括含有二氧化硅、Al、非荧光稀土离子、Ge、Er和Tm的芯体。所述非荧光稀土离子可以是La。示例性组合物浓度如下：Er为15－3000ppm，Al为0.5－12摩尔％，La小于或等于2摩尔％，Tm是15－10000ppm，Ge小于或等于15摩尔％。所述芯体还包含F。F的示例性浓度小于或等于6阴离子摩尔％。
用于延伸波段放大硅酸盐波导组合

[发明专利]GaInP₂/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法-CN201611247545.8在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法,包括(a)选取Si衬底；(b)利用磁控溅射法，在所述Si衬底上形成Ge外延层；(c)利用CVD方法，在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)利用LRC工艺对所述Ge外延层进行晶化；(e)利用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层；(f)利用MOCVD工艺，在所述Ge外延层上形成GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层，以完成所述GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备。本发明实施例采用LRC工艺制备GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，通过连续LRC使Ge横向结晶生长，从而减少由于晶格失配引起的位错，制备出具有品质优良的衬底的GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池
三结太阳能电池外延层制备衬底氧化层干法刻蚀工艺磁控溅射法工艺制备横向结晶晶格失配晶化刻蚀位错生长

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