专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]光发射模块的热插拔保护电路-CN201420864212.X有效
  • 曾凡晶 - 珠海柏卫宽带电子有限公司
  • 2014-12-31 - 2015-05-13 - H04B10/50
  • 它包括插拔保护IC、场效应管、电阻Ⅰ(R1)、电阻Ⅱ(R2)、电阻Ⅲ(R3)、电阻Ⅳ(R4)、电阻Ⅴ(R5)、电容(C1)、极性电容(C2),所述插拔保护IC为LTC1422,所述场效应管为D3N03,因为场效应管的漏极D有+5V电压输入,所以源极S输出的+5V电压供给光发射模块所有IC和放大模块供电,由于LTC1422中间的缓冲时间作用也就起到了对光发射模块的热插拔保护功能,防止了光发射模块插入光平台机框时出现打火烧黑
  • 发射模块热插拔保护电路
  • [发明专利]高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工艺方法-CN202110274452.9有效
  • 朱袁正;黄薛佺;杨卓 - 无锡新洁能股份有限公司
  • 2021-03-15 - 2022-09-09 - H01L29/78
  • 本发明提供一种高可靠的碳化硅MOSFET器件,包括N+型漏极06和漏极金属09,在N+型漏极06上设有N型外延层04作为MOSFET器件的漂移区,在N型外延层04上方设有两个P型体区03,在P型体区03内设有N+型源极02,在N+型源极02外侧设有P+型源极01,在N型外延层04表面还设有栅极氧化层10,栅极氧化层10起始并终于两个相邻的N+型源极02上方,栅极氧化层10上方设有栅极多晶硅05,N+型源极02和P+型源极01表面还设有源极金属08,源极金属08和栅极多晶硅05之间设有绝缘介质层07隔离;P型体区03由两次P型注入形成,第一P型体区03a的结深比第二P型体区03b的结深浅,且第一P型体区03a的注入宽度大于第二P型体区03b的注入宽度。
  • 可靠碳化硅mosfet器件及其工艺方法
  • [外观设计]男鞋(F03D07-5-CN202030009316.3有效
  • 林天福;陈宗荣;吴成钫 - 贵人鸟股份有限公司
  • 2020-01-07 - 2020-08-14 - 02-04
  • 1.本外观设计产品的名称:男鞋(F03D07‑5)。2.本外观设计产品的用途:用于人们脚部的保护。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位,省略仰视图。
  • f03d07

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