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[发明专利]一种基于排列有序的Cu(OH)2-CN201910982319.1有效
发明人：王瑾;胡森林;余莹 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于排列有序的Cu(OH)2纳米线制备取向Cu‑MOF薄膜的方法。该方法主要通过Cu(OH)2纳米线与有机配体发生置换反应，进而生成高取向性Cu‑MOF薄膜。该方法首先通过流体辅助法对Cu(OH)2纳米线进行排列，得到附着均匀连续、且排列有序的Cu(OH)2纳米线阵列的基板。进一步，基于附着排列有序的Cu(OH)2纳米线阵列的基板制备Cu‑MOF薄膜，从而获得高取向性的Cu‑MOF薄膜，且薄膜均匀连续、厚度可控。本发明制备过程简单，原料来源广泛，重复性较好，为开发高取向性、均匀连续、厚度可控的Cu‑MOF薄膜提供了新的方法。
一种基于排列有序 cu oh base sub

[发明专利]一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法-CN202011006926.3有效
发明人：李明雨;杨婉春;郑威 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B23K35/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法，该制备方法包括：制备亚微米Cu颗粒，所述亚微米Cu颗粒的粒径为100 nm~5000 nm；使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆‑增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒；在制备Cu@Ag颗粒时，调节溶液的pH值为1~4；制备有机载体；将亚微米Cu@Ag颗粒与有机载体搅拌混合均匀，获得亚微米Cu@Ag焊膏，亚微米Cu
一种微米 cu ag 及其制备方法

[发明专利]基于梯度与方差的H.266/VVC快速CU划分决策方法-CN202110086854.6有效
发明人：张秋闻;刘伟华;赵永博;崔腾耀;郭睿骁;赵进超;王晓;蒋斌;黄立勋;张伟伟;钱晓亮;吴庆岗;常化文;魏涛;孙丽君 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H04N19/119 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于梯度与方差的H.266/VVC快速CU划分方法，其步骤为：首先根据方差值评估当前CU的同质性，判断是否能提前终止当前CU被进一步划分。然后利用Sobel算子提取当前CU的梯度特征，判断当前CU能否进行QT划分，从而跳过BT和TT划分。最后利用Canny算子提取当前CU纹理的边缘特征，根据当前CU的纹理趋向排除垂直或水平划分方向上的MT划分，将另一个方向的MT划分作为候选，将RDO‑cost最小的一个划分方式作为最优划分方式。本发明逐步对CU划分进行决策，通过早期终止和早期跳过加速CU划分过程，在保证编码质量的情况下，明显降低了CU划分的复杂度，大大提高了编码效率。
基于梯度方差 266 vvc 快速 cu 划分决策方法

[发明专利]编码单元CU的划分方法、装置、电子设备和存储介质-CN202110320748.X有效
发明人：张旭;丁文鹏 -专利权人：北京百度网讯科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04N19/119 文献下载
摘要：本申请公开了编码单元CU的划分方法、装置、电子设备和存储介质，涉及云计算和视频编码技术领域。具体实现方案为：获取当前CU的多个参考CU的平均深度值和深度检测极值；根据平均深度值和深度检测极值生成参考值；在参考值小于阈值的情况下，则继续减少当前CU的最小深度值；在参考值大于或等于阈值的情况下，则将深度检测极值作为当前CU的最小深度值。该方法通过参考CU的平均深度值和深度检测极值生成当前CU的参考值，并将参考值与阈值进行比较后确定当前CU的最小深度值，可跳过一些冗余的大尺寸CU的深度计算，有效地减少了CU划分过程中冗余的计算过程，节省了大量计算量
编码单元 cu 划分方法装置电子设备存储介质

[发明专利]动态3D点云压缩帧内CU快速划分方法、设备及介质-CN202011256612.9有效
发明人：李跃;杨高波;万亚平;陈灵娜;屈爱平;刘杰 -专利权人：南华大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H04N19/11 文献下载
摘要：本申请公开了一种动态3D点云压缩帧内CU快速划分方法、设备及介质，包括：判断当前动态3D点云压缩编码帧是否为I帧；若是，则顺序提取需要压缩编码的目标编码CU，获取目标编码CU的原始亮度像素值并进行变换；当目标编码CU的宽度和高度为64，并满足第一预设条件；或者，当目标编码CU的宽度和高度为32，并满足第二预设条件；或者，当目标编码CU的宽度和高度为16，并满足第三预设条件，则停止对目标编码CU进行进一步划分上述方法能够提前且准确地预测CTU中目标编码CU是否是最优编码，从而省略或者跳过递归划分方法的繁琐步骤，进而保证目标编码CU的编码质量，显著降低在对目标编码CU进行划分过程中的计算复杂度。
动态压缩 cu 快速划分方法设备介质

[发明专利]视频编码方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211178192.6有效
发明人：简云瑞;林镇安;唐楷承;白瑞;闻兴 -专利权人：北京达佳互联信息技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H04N19/105 文献下载
摘要：本公开关于一种视频编码方法、装置、电子设备及存储介质，所述视频编码方法包括：针对待编码的视频块，遍历所述视频块的多种编码单元CU划分模式，在遍历过程中，针对每种CU划分模式下的每个CU的各预测单元PU划分模式，基于PU的尺寸形状确定每种PU划分模式下的各PU的编码失真参数，基于各PU的编码失真参数，确定该PU划分模式对应的率失真代价；根据获取到的每个CU的各PU划分模式对应的率失真代价，确定每个CU的候选PU划分模式；从所述候选PU划分模式中确定针对每个CU的最终编码模式；根据确定出的最终编码模式从所述视频块的所有CU划分模式中确定最终的CU划分模式，并根据所述最终的CU划分模式下的各CU的最终编码模式进行编码
视频编码方法装置电子设备存储介质

[发明专利]电容式触摸屏导电线路的生产工艺-CN201110138436.3无效
发明人：白震勇;王雪镅 -专利权人：意力（广州）电子科技有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容式触摸屏导电线路的生产工艺，其包括下列步骤：（1）将感光干膜贴在ITO-Cu膜的Cu层的表面上，曝光，使Cu导电线路图案对应的感光干膜固化，再去除未固化的感光干膜，然后去除未被感光干膜遮盖的Cu层，获得Cu导电线路；（2）将油墨通过丝网印刷方式在ITO-Cu膜的未被Cu层遮盖的ITO层的表面形成ITO导电线路图形，干燥油墨，再去除未被Cu层和油墨遮盖的ITO层，获得ITO导电线路；（3）去除Cu层和ITO层上的屏蔽油墨。本发明的电容式触摸屏导电线路的制造方法，其制作的Cu导电线路更细，具有很好的流畅性，且线路无毛边、无锯齿现象，而且，可连续性生产。
电容触摸屏导电线路生产工艺

[发明专利]配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置-CN200980125535.9无效
发明人：川上信之;福间信也;三木绫;越智元隆;森田晋也;横田嘉宏;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。
结构薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

[发明专利]钎料合金和使用其的安装结构体-CN201710255093.6在审
发明人：日根清裕;秋山真之介;北浦秀敏;古泽彰男 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C22C13/00 文献下载
摘要：其是一种包含Sn、Ag、Bi、In、Cu的钎料合金，其特征在于，将各自的含有率(质量％)表示为[Sn]、[Ag]、[Bi]、[In]、[Cu]时，含有1.0≤[Ag]≤4.0的范围的Ag、0.5≤[Cu]≤1.2的范围的Cu，0.5≤[Cu]≤1.0时，满足6.74‑1.55×[Cu]≤[In]≤6.5，1.0＜[Cu]≤1.2时，含有5.168≤[In]≤6.5的范围的In、1.5≤[Bi]≤3.0
合金使用安装结构

[发明专利]一种Cu-Fe-C系合金及其制备方法-CN201810260002.2有效
发明人：许磊;霍晓阳;王有超;孙丽虹;历长云;宋政骢;米国发 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu‑Fe‑C系合金及其制备方法，该Cu‑Fe‑C系合金按质量百分比由如下组分组成：Cu，85‑90％；Fe‑C合金，10‑15％。其制备方法包括：Cu的熔炼步骤，Fe‑C合金的加入步骤，快速凝固步骤，以得到Fe‑C合金颗粒均匀分布于Cu基体中的Cu‑Fe‑C系合金。本发明方法可以提高Cu‑Fe合金的导电率和抗拉强度，得到的铸态合金的抗拉强度为410‑470MPa，导电率为30‑50％IACS。
合金制备导电率质量百分比合金颗粒快速凝固铸态合金熔炼

[发明专利]视频编解码系统中的视频处理方法及装置-CN201880086475.3有效
发明人：向时达 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H04N19/119 文献下载
摘要：视频编码或解码系统中用于处理拆分成多个编码单元(CU)的条带的视频数据处理方法以及装置。视频编码或解码系统接收当前CU的输入数据以及检查所述当前CU的尺寸。如果所述当前CU的尺寸大于最大尺寸阈值，将所述当前CU的残差设置为0或者在跳过模式中对该当前CU进行编解码。CU具有0残差意味着一个或多个对应的转换块中系数层级值都是0，因此避免了大尺寸块的复杂的转换处理。
视频解码系统中的处理方法装置

[发明专利]含铜导电浆料和由此制成的电极-CN201480081423.9有效
发明人：穆敏芳 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本文公开了含铜(含Cu)导电浆料，通过焙烧基板上的含Cu导电浆料形成的铜(Cu)电极，以及包括具有此类Cu电极的结构元件的制品，其中所述含Cu导电浆料包含分散于有机介质中的经涂覆的铜颗粒粉末和玻璃料。
导电浆料由此制成电极

[发明专利]一种自支撑金刚石膜/Cu复合热沉材料及其制备方法-CN202110380978.5有效
发明人：康雨航;张伟堂;毛样武 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B22F7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑金刚石膜/Cu复合热沉材料及其制备方法。一种自支撑金刚石膜/Cu复合热沉材料，其包括自支撑金刚石膜、Cu基体和位于自支撑金刚石膜和Cu基体之间的复合层；该复合层具有三层结构，该复合层包括与自支撑金刚石膜相邻的Ag‑Cu‑Ti箔层、中间W箔层和与Cu基体相邻的Cu‑TiH2层。本发明的一种自支撑金刚石膜/Cu复合热沉材料采用“三明治”式三层复合结构作为自支撑金刚石膜和Cu基体之间的复合层，该复合层均匀致密，采用该复合层结合后得到的自支撑金刚石膜/Cu复合热沉材料界面结合良好，无裂纹等缺陷，且制得的金刚石膜/Cu复合热沉材料的界面结合强度较高。
一种支撑金刚石 cu 复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高吸附量的有机阴离子染料吸附剂的制备方法及其产品和应用-CN202011192705.X有效
发明人：王成;李文江;吕桂财;刘胜凯 -专利权人：徐州瑞鑫新材料研究院有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：本发明公开一种高吸附量的有机阴离子染料吸附剂的制备方法及其产品和应用，首先取Cu的酸根化合物为Cu源，溶解于去离子水中，之后滴加到浓NaOH溶液中，再滴加少量乙二胺溶液，最后加入水合肼(80％)作为还原剂，从而得到长径比不同的Cu纳米棒；再将Cu纳米棒溶解于过氧化氢(30％)溶液中进行氧化，得到Cu‑CuO或CuO纳米棒；最后将得到的Cu‑CuO或CuO纳米棒与Na2S·9H2O在水溶液中混合进行反应，得到CuS、Cu2S或Cu7SCu的酸根化合物为Cu源，经还原后，再依次经过氧化、硫化，制备得到的Cu2S、Cu7S4<
一种吸附有机阴离子染料吸附剂制备方法及其产品应用

[发明专利]一级变换分割和自适应子块变换-CN201980063156.5在审
发明人：赵欣;赵亮;李翔;刘杉 -专利权人：腾讯美国有限责任公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H04N19/61 文献下载
摘要：一种将编码单元CU分割成至少一个变换单元TU用于对视频序列进行编码的方法，使用至少一个处理器，包括：确定所述CU的高度；确定所述CU的宽度；基于所述CU的高度和所述CU的宽度，确定所述至少一个变换单元TU中每个TU的TU大小；基于所述CU的高度和所述CU的宽度，确定所述至少一个TU的至少一个TU位置；及，基于所述至少一个TU的大小和所述至少一个TU的所述至少一个位置，将所述CU分割成所述至少一个TU。
一级变换分割自适应