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- [发明专利]CIS器件的制作方法-CN202010679937.1有效
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焦鹏;王晓日;程刘锁
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华虹半导体(无锡)有限公司
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2020-07-15
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2022-09-20
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H01L27/146
- 本申请公开了一种CIS器件的制作方法,涉及半导体制造领域。该CIS器件的制作方法包括在具有第一导电类型的衬底上定义像素区,所述像素区包括用于形成CIS器件的MOS管区域和光电二极管区域;在所述光电二极管区域形成具有第二导电类型的阱区,第一导电类型与第二导电类型相反;在所述衬底表面形成富硅氧化层,所述富硅氧化层为具有不同折射率的双层结构,上层富硅氧化层的折射率小于下层富硅氧化层的折射率,所述上层富硅氧化层的厚度大于所述下层富硅氧化层的厚度;解决目前CIS器件容易产生ghost现象的问题,达到了改善CIS器件的白像素缺陷和ghost缺陷的效果。
- cis器件制作方法
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