“黑硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果342583个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种Cu基纳米黑硅制绒添加剂制备方法-CN201710597588.7有效
发明人：时宝;蓝家平 -专利权人：江苏科来材料科技有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种Cu基纳米黑硅制绒添加剂制备方法。本发明用纳米Cu颗粒作为金属辅助催化黑硅制绒添加剂主要原材料，用于黑硅制绒中能够大大降低物料成本，同时又有很好的制绒效果，形成绒面尺度小，均匀性好无色差。
一种 cu 纳米黑硅制绒添加剂制备方法

[发明专利]一种有助于提高苋菜对氮利用率的高效肥料及其制备方法-CN201610240863.5在审
发明人：陈雷 -专利权人：南京耀凯蔬菜土地专业合作社
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有助于提高苋菜对氮利用率的高效肥料，包括以下重量份组分褪黑素、水溶性硅肥、沸石粉、腐殖酸、红薯渣、酵母菌复合粉、牡蛎壳粉、黑骨炭等。本发明采用褪黑素、水溶性硅肥等配合黑骨炭制备氮利用促进剂，小分子水溶性硅粉参与细胞新陈代谢、褪黑素加速植物的光合作用促进氮元素和草酸的利用，可以有效减少苋菜体内氮和草酸的富集，提高苋菜质量。
一种有助于提高苋菜利用率高效肥料及其制备方法

[发明专利]一种黑硅生产用的除杂装置-CN201910218375.8在审
发明人：何其金;张靖;何飞 -专利权人：江苏德润光电科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及黑硅生产技术领域，且公开了一种黑硅生产用的除杂装置，包括底座，所述底座的顶部固定安装有二级除氟箱，所述二级除氟箱的顶部固定安装有一级除氟箱，所述一级除氟箱的顶部固定安装有除银箱，所述除银箱的顶部固定安装有废水进水管该黑硅生产用的除杂装置，能够有效的除去黑硅废水中的杂质，被除杂后的废水达到排放标准后即可通过排料孔排出，除杂效果好。
一种生产装置

[发明专利]基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法-CN201910669697.4在审
发明人：陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器及其制备方法,所述Si‑APD光电探测器包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)、位于N+黑硅层(5)上表面的量子点区(9)、位于本征Si衬底(1)下方的P+区(7)、位于量子点区(9)和环形保护区本发明以覆盖了量子点的黑硅层作为光敏层，利用其高的红外吸收特性，解决了传统Si‑APD光电探测器无法响应近红外波段或者近红外响应度低等问题；本发明能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小
量子点本征Si衬底黑硅层近红外波段上表面黑硅制备红外吸收特性光电探测器光谱响应红外响应电极光波保护区光敏层下表面下电极响应度环区噪声响应覆盖吸收加工

[发明专利]黑硅光阴极的制备方法及其应用-CN201610963328.2有效
发明人：方亮;苏晓东;蔡卫东 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅光阴极的制备方法，包括以下步骤S1、提供一硅片；S2、将硅片放入氢氟酸溶液中清洗，再放入氢氧化钾和异丙醇的混合溶液中反应，最后在盐酸和过氧化氢的混合溶液中反应，在硅片表面进行制绒；S3然后放入金属盐溶液中反应，将反应完的硅片放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中反应，对硅片表面的绒面进行刻蚀；S4、在刻蚀后的硅片表面沉积活性薄膜层，活性薄膜层包括钴、镍、钴化合物、镍化合物中的一种或多种，得到黑硅光阴极本发明中的黑硅光阴极在硅片的绒面上进一步沉积活性薄膜层，可有效提高黑硅光阴极的光电转换性能，大大提高了光电器件的光开路电压，能够增加光电转换效率。
黑硅光阴极制备方法及其应用

[发明专利]一种改善多晶黑硅太阳电池晶向间差异的工艺方法-CN201710874428.2有效
发明人：刘庆平;张明明;黄明;陆祥;杨晓琴;付少剑 -专利权人：江西展宇新能源股份有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善多晶黑硅太阳电池晶向间差异的工艺方法，此方法通过控制黑硅工艺中对硅片进行碱抛光处理的碱性溶液的浓度、温度及反应副产物的积累量来控制硅片在此溶液中的反应程度，达到降低多晶硅片各晶向间绒面差异的目的所述工艺方法由下列步骤组成：第一步：碱抛光；第二步：正常湿法黑硅制绒。此方法的碱抛光槽体可以定量补加化学品、水，可以定量排放溶液；此方法通过控制碱性溶液的浓度、温度及反应副产物的积累量解决黑硅电池各晶向差异大的问题。
一种改善多晶太阳电池差异工艺方法

[实用新型]一种黑硅生产用的除杂装置-CN201920365374.1有效
发明人：何其金;张靖;何飞 -专利权人：江苏德润光电科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及黑硅生产技术领域，且公开了一种黑硅生产用的除杂装置，包括底座，所述底座的顶部固定安装有二级除氟箱，所述二级除氟箱的顶部固定安装有一级除氟箱，所述一级除氟箱的顶部固定安装有除银箱，所述除银箱的顶部固定安装有废水进水管该黑硅生产用的除杂装置，能够有效的除去黑硅废水中的杂质，被除杂后的废水达到排放标准后即可通过排料孔排出，除杂效果好。
一种生产装置

[实用新型]一种HIT太阳能电池-CN201420719001.7有效
发明人：杨与胜;葛洪;张超华 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HIT太阳能电池，其包括：N型硅片：所述N型硅片的受光面为具有绒面结构的黑硅层；本征非晶硅层：所述本征非晶硅层分别沉积在黑硅层的表面和N型硅片的背光面；P型非晶硅层及N型非晶硅层：所述P型非晶硅层及N型非晶硅层之间有间隔且交替排布在N型硅片背光面的本征非晶硅层的表面上；及设在P型非晶硅层及N型非晶硅层上的栅线电极。
一种 hit 太阳能电池

[发明专利]含水胶态气黑悬液-CN200510009097.3有效
发明人：维尔纳·卡尔比茨;格尔德·陶贝尔;海因茨·措赫;斯特凡·吕特克;托马斯·吕特格;拉尔夫·麦金托什 -专利权人：德古萨股份公司
申请日： 2005-02-18 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C09C1/48 文献下载
摘要：本发明涉及含水胶态气黑悬液，其含有至少一种气黑、通式1的偶氮化合物和水，所述含水胶态气黑悬液是通过将气黑和通式1的偶氮化合物分散于水中制得的。所述含水胶态气黑悬液可用于制备油墨、喷墨油墨、油漆、印刷油墨、胶乳、纺织品、皮革、粘合剂、聚硅氧烷、塑料材料、混凝土和建筑材料。
水胶态气黑悬液

[发明专利]一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法-CN201910982886.7有效
发明人：张丹;甘阳;申健;陈远东;汪郑扬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法，本发明涉及低反射率黑硅衬底制备领域。本发明要解决现有硅衬底表面反射率高，导致太阳能电池效率低的问题。利用Cu金属催化辅助的化学蚀刻法，采用CuNO3、HF和H2O2混合溶液对硅衬底进行蚀刻本发明制备具有微纳图形阵列的硅衬底实现了超低的表面反射率，高效地制备微纳图形阵列结构，重复性高，并通过优化蚀刻条件可调控其反射率。本发明制备的具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底用于太阳能电池中。
一种具有反射率复合结构衬底制备方法

[发明专利]一种皮革用黑色染料及其制备方法-CN202011096329.4在审
发明人：邢红军;于富强;邢鲁宁 -专利权人：威海圣凯化工科技有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C09B67/22 文献下载
摘要：黑色染料包括直接黑染料700‑800份，酸性黑染料500‑600份，分散剂10‑20份，有机硅增艳剂1‑5份，氯化钠10‑20份，抗紫外线剂10‑20份。黑色染料的制备包括以下步骤：取直接黑染料700‑800份，酸性黑染料500‑600份，分散剂10‑20份，有机硅增艳剂1‑5份，氯化钠10‑20份，抗紫外线剂10‑20份混合均匀，得皮革用黑色染料。
一种皮革黑色染料及其制备方法

[发明专利]选择性发射极黑硅双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法-CN201810167076.1在审
发明人：陈丽萍 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性发射极黑硅双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在硅片正面和背面采用金属催化化学腐蚀法制备黑硅绒面；（2）对硅片进行高温磷扩散形成PN结；（3）去除扩散后硅片正面磷硅玻璃和背面及边缘的本发明降低表面反射率，提高黑硅电池转换效率，降低了制造成本。
硅片正面硅片黑硅背面晶体硅太阳能电池选择性发射极氮化硅减反射膜退火电池转换效率表面反射率高温磷扩散钝化薄膜硅片背面化学腐蚀激光掺杂金属催化磷硅玻璃磷酸溶液图形区域正面沉积制造成本激光器电镀打线槽氮化硅副栅线主栅线氧化铝打线叠层喷涂绒面沉积去除制作激光扩散

[发明专利]一种晶体硅光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法-CN201810734803.8在审
发明人：刘伟 -专利权人：一零零二信息科技（沧州）有限责任公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅光伏电池组件黑片缺陷失效分析方法，包括：步骤1：进行I‑V测试；步骤二，采用电致发光(electroluminescent，EL)测试软件进行EL测试，对晶体硅光伏组件通1‑40mA电流，并采用600W像素的EL相机拍摄组件；步骤三，进行红外线(IR)测试，对晶体硅光伏电池组件通不同的电流，并记录其温度；步骤四，进行反向偏压致发光(ReBEL)测试，对晶体硅光伏电池组件施加一定的反向电压，采用600W像素的EL相机拍摄组件；步骤五，进行显微成像测试，分别进行500倍和3000倍显微成像测试；步骤六，进行能量色散X射线(EDX)测试；步骤七，根据步骤一到步骤六的检测结果对缺陷黑片进行分类；步骤八，对于步骤七确定的缺陷黑片分类分别进行成因确定。
测试光伏电池组件晶体硅失效分析显微成像相机拍摄像素晶体硅光伏组件测试软件电致发光反向电压反向偏压检测结果能量色散红外线分类发光施加记录

[发明专利]一种氧化锌纳米棒/黑硅异质结纳米光电探测器及其制备方法-CN201710025876.5有效
发明人：王莉;任治飞;何淑娟;李晶晶;于永强;吴春艳;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌纳米棒/黑硅异质结纳米光电探测器及其制备方法，其特征在于是以p‑型硅片为衬底，在衬底的上表面形成有黑硅层，在黑硅层上形成有氧化锌纳米棒阵列层；在氧化锌纳米棒阵列层上设置有顶电极；在衬底的下表面设置有底电极
一种氧化锌纳米黑硅异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种黑硅制绒片的清洗方法-CN202010361624.1有效
发明人：徐卓;王红芳;李倩;张春旭;李锋;史金超;尚琪;陈志军 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种黑硅制绒片的清洗方法。所述黑硅制绒片通过金属离子诱导的黑硅制绒技术得到；所述清洗方法为：依次用臭氧水溶液、纯水、混合酸溶液、纯水、臭氧水溶液、纯水对硅片进行浸泡处理，然后烘干；所述混合酸溶液由质量浓度为40‑49％的氢氟酸溶液和质量浓度为
一种黑硅制绒片清洗方法