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[发明专利]高声压反应系统-CN201810402719.6在审
发明人：雷光荣;宋丹;张明军 -专利权人：重庆海扶医疗科技股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G21B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高声压反应系统，包括用于产生高声压的高声压腔，高声压腔内设置有超声换能器和反应腔，反应腔位于超声换能器的声压焦域，反应腔用于容纳核聚变反应的原料氘核和/或氚核，超声换能器发射的超声波能够穿透反应腔的腔室壁作用到反应腔内的物料，高声压反应系统还包括：用于探测反应腔内中子的中子探测装置，中子探测装置设置于高声压腔内或高声压腔外。本发明的高声压反应系统，可以提高声致核聚变反应发生的可能性，有效利用了高静水压力环境中空化泡破裂所释放的能量，在高声压环境下，精确、有效地检测反应过程释放的中子。
反应腔反应系统压腔超声换能器中子探测装置核聚变反应高静水压力检测反应探测反应释放超声波腔室壁有效地中空腔内声压氘核氚核穿透破裂容纳发射

[实用新型]高声压反应系统-CN201820632126.4有效
发明人：雷光荣;宋丹;张明军 -专利权人：重庆海扶医疗科技股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G21B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高声压反应系统，包括用于产生高声压的高声压腔，高声压腔内设置有超声换能器和反应腔，反应腔位于超声换能器的声压焦域，反应腔用于容纳核聚变反应的原料氘核和/或氚核，超声换能器发射的超声波能够穿透反应腔的腔室壁作用到反应腔内的物料，高声压反应系统还包括：用于探测反应腔内中子的中子探测装置，中子探测装置设置于高声压腔内或高声压腔外。本实用新型的高声压反应系统，可以提高声致核聚变反应发生的可能性，有效利用了高静水压力环境中空化泡破裂所释放的能量，在高声压环境下，精确、有效地检测反应过程释放的中子。
反应腔反应系统压腔超声换能器中子探测装置本实用新型核聚变反应高静水压力检测反应探测反应释放超声波腔室壁有效地中空腔内声压氘核氚核穿透破裂容纳发射

[发明专利]复合体声波谐振器-CN201110107703.0无效
发明人：庞慰;张浩 -专利权人：庞慰;张浩
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种声波谐振器，包括：带有空气腔的基底；在基底上形成并位于空气腔之上的第一低、高声阻抗层对；在第一低、高声阻抗层对上形成的种子层；在种子层上形成的第一电极；在第一电极上形成的压电层；在压电层上形成的第二电极；在第二电极上形成的第二低、高声阻抗层对；在第二低、高声阻抗层对上形成的钝化层。第一低、高声阻抗层对包括位于空气腔之上的第一高声阻抗层，和位于第一高声阻抗层与种子层之间的第一低声阻抗层；第二低、高声阻抗层对包括在第二电极上形成的第二低声阻抗层，和在第二低声阻抗层与钝化层之间形成的第二高声阻抗层本发明可以提高声波谐振器对环境变化和自身老化的抵抗能力，减小频率修正灵敏度，和/或优化声波谐振器的色散特性。
复合体声波谐振器

[发明专利]一种高声阻抗高声衰减声学材料的制备方法-CN202310616619.4在审
发明人：岳晴雯;李腾苹;刘东旭;陆华伟;邓吉 -专利权人：平拓（上海）新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B22F1/10 文献下载
摘要：本发明公开一种高声阻抗高声衰减声学材料的制备方法，涉及声学材料制造领域。该高声阻抗高声衰减声学材料的制备方法，通过选取微米量级在20um左右宽粒度的占背衬总体积80%的钨粉和占背衬体积20%的热塑性聚氨酯树脂，通过制备设备进行材料的预处理，再将复合颗粒放入背衬模具中，通过热压机进行热压成型该高声阻抗高声衰减声学材料的制备方法，能达到一种慢反射，高吸收的效果，同时对钨粉颗粒进行表面预处理能降低材料电导率，提高阻抗，钨粉与树脂之间结合得更加紧密，更加均匀，最后热压成型保证了材料之间结合力够强，常温固化排塑进一步增加了材料的密度，使得材料拥有良好的高声衰减高声阻抗性能。
一种高声阻抗衰减声学材料制备方法

[发明专利]一种具有薄双层结构的高性能声表面波器件及其制备方法-CN202110539227.3在审
发明人：潘峰;沈君尧;曾飞;傅肃磊;苏荣宣;徐惠平 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明器件的结构包括压电单晶基片、叉指换能器、高声速层和二氧化硅层；压电单晶基片上设置叉指换能器和高声速层；当高声速层厚度小于等于叉指换能器的厚度时，高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙；当高声速层厚度大于叉指换能器的厚度时，高声速层设置于叉指换能器的相邻叉指间隙或同时设置于叉指换能器上及其相邻叉指间隙处；二氧化硅层设置于高声速层和/或叉指换能器的上方。本发将高声速层覆盖在传统压电单晶基片上方提高了器件频率；高声速层上方设置二氧化硅层抑制声表面波的向下耗散；二氧化硅层的加入也起到了增加器件温度稳定性的作用；其结构简单，造价低廉。
一种具有双层结构性能表面波器件及其制备方法

[发明专利]弹性波装置-CN202080015501.0在审
发明人：大门克也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：弹性波装置(1)具备支承基板(3)、设置在支承基板(3)上的第一高声速膜(4)、设置在第一高声速膜(4)上的低声速膜(5)、设置在低声速膜(5)上的第二高声速膜(6)、设置在第二高声速膜(6)上的压电体层(7)以及设置在压电体层(7)上的IDT电极(8)，在低声速膜(5)传播的体波的声速比在压电体层(7)传播的体波的声速低，在第一高声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(7)传播的弹性波的声速高，在第二高声速膜(6)传播的体波的声速为在第一高声速膜(4)传播的体波的声速以上。
弹性装置

[发明专利]一种声波谐振器及其制备方法-CN202010627339.X有效
发明人：欧欣;周鸿燕;张师斌;郑鹏程;黄凯;李忠旭 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请涉及一种声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性波声速。本申请通过在压电层下设置高声速层，可以有效提高器件的工作频率和品质因子；且利用离子束剥离和键合技术可重复转移价格昂贵或无法直接在衬底上外延得到的单晶薄膜层，如此，可以降低制备成本；同时利用外延技术在单晶薄膜层上沉积高声速层，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
一种声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种声表面谐振器及滤波器-CN202110917845.7在审
发明人：姜建利;肖功亚;崔坤;黄亮;李勇;朱卫俊;庞旗旗 -专利权人：中电科技德清华莹电子有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面谐振器，包括IDT电极、压电膜层、低声速层、高声速层、高声速支撑组件和反射器，IDT电极和反射器均设于压电性基板上；IDT电极设置在压电膜层上，低声速层叠于压电膜层与高声速层之间，高声速层设于高声速支撑组件上，或者高声速层和高声速支撑组件为一体成型，IDT电极包括两侧的第一汇流条、第三IDT电极、第四IDT电极和第十二假电极指，第三IDT电极梳状指条与第四IDT电极梳状指条部分交叠插入形成声波传输通道
一种表面谐振器滤波器

[发明专利]一种高声压源结合相位控制的高声强级校准装置及方法-CN201210044639.0有效
发明人：杨晓伟;闫磊;朱刚;刘鑫;孙凤举 -专利权人：北京航天计量测试技术研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G01H17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高声压源结合相位控制的高声强级校准装置及方法。通过两个扬声器发出声波，在两个驻波管内形成驻波声场，使两个耦合腔内声压级升高失真度降低形成高声压源。两支参考传声器作为监控，计算机控制双通道信号源，通过音频功率放大器驱动扬声器使耦合腔内的声压级与相位差达到设定值，实现模拟标准高声强环境。被校声强测量仪的两支传声器分别连接两个耦合腔，使其处于高声强环境，可实现声强测量仪的高声强校准。本发明由于采用高声压源技术，突破活塞发生器124dB声压级上限，可产生94dB～160dB声压级，信号失真度＜1％，使用频率范围：500Hz～800Hz。
一种声压结合相位控制声强校准装置方法

[发明专利]产生超高声压的方法、超高声压产生装置-CN201810404153.0有效
发明人：王芷龙;赵纯亮;李三勇;宋丹;雷光荣;张明军;许贵华 -专利权人：重庆海扶医疗科技股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： A61N7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种产生超高声压的方法、超高声压产生装置，属于高强度聚焦超声技术及高能物理技术领域，其可解决现有的声空化内部的超高声压难以控制，导致其无法被有效利用的问题。本发明的产生超高声压的方法包括：通过设于传声媒质中的发声面发射聚焦的超声波，发声面反射至少部分超声波，所述发射的超声波和反射的超声波在发声面内侧形成聚焦的驻波声场；在驻波声场的焦域区域内引发空化，空化泡崩溃产生超高声压
产生超高声压方法装置

[发明专利]梯度自适应有限元正交配置超高声速飞行器轨迹最优控制系统-CN202211626160.8在审
发明人：谢意;史炤南;马梦颖;张逸然;吴高洁;俞启东;王文海;李洋;张文宇;韦文书;宗凯;刘兴高 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G05D1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度自适应有限元正交配置超高声速飞行器轨迹最优控制系统,用于解决超高声速飞行器再入轨迹最优控制及过程约束全程满足。该系统包括数据预处理模块、动态优化算法模块以及飞行器控制模块。本发明对超高声速飞行器再入轨道过程的重要参数指标进行优化控制，克服已有的超高声速飞行器控制技术算法敏捷性差、难以在较短时间内得到系统最优参数控制从而导致超高声速飞行器控制效果的不足，引入动态优化方法与基于梯度的网格划分正交配置方法，从而得到超高声速飞行器再入轨迹优化最优控制系统，实现的飞行器再入轨迹OCP最优控制Benchmark场景测试结果效果更好、效率更高、易于找到最优控制参数。
梯度自适应有限元正交配置超高声速飞行器轨迹最优控制系统

[发明专利]一种数字化高声压超声无创治疗系统-CN200910308407.X有效
发明人：刘政;苏强华;李汶洲;李俊峰;陈祠松;何跃明;陈兆林;郑国策;张正新 -专利权人：绵阳索尼克电子有限责任公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： A61N7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字化高声压超声无创治疗系统，包括供电系统(16)、显示系统(15)、组合式晶片超声治疗头(14)，还包括工作站控制系统(11)、数字脉冲信号发生器(12)、高声压数字脉冲功率放大器(13)；显示系统(15)、数字脉冲信号发生器(12)、高声压数字脉冲功率放大器(13)、组合式晶片超声治疗头(14)分别与工作站控制系统(11)连接；数字脉冲信号发生器(12)的输出接口与高声压数字脉冲功率放大器(13)的输入接口连接；高声压数字脉冲功率放大器(13)的输出接口与组合式晶片超声治疗头(14)的输入接口连接。本系统可以根据治疗需要，产生所需要的高声压脉冲。
一种数字化声压超声治疗系统

[发明专利]一种声波谐振器件及其制造方法-CN202110512179.9在审
发明人：陈洁 -专利权人：苏州福唐智能科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：该声波谐振器件利用可激光活化物层进行激光活化形成由激光活化金属层构成的高声波阻抗层，其可以精确控制高声波阻抗层的尺寸和位置，无需刻蚀，可以降低寄生电容且高声波阻抗层的粘附性好，不易剥离；进一步的，高声波阻抗层的侧壁通过激光斜向的照射而形成具有一定倾斜角的光滑曲面，以此保证第二低声波阻抗层的沉积质量，且能够降低高声波阻抗层边缘位置的寄生电容。
一种声波谐振器件及其制造方法

[发明专利]一种高声提醒器-CN201510135519.5在审
发明人：尹传喜;陆俊;杨晓虹 -专利权人：淮南圣丹网络工程技术有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： G08B21/24 文献下载
摘要：一种高声提醒器，包括声音传感器、芯片、音效喇叭、电源，声音传感器，声音传感器接收到外界的声音后，将其转变成数字信息传输给芯片，芯片按照设定好的声音强度界线值启动音效喇叭，电源与音效喇叭相连，提供电的供给本发明有益效果：提醒高声说话的人，及时改正高声说话的状态；可作为个人提醒自己降低声音的器具随身携带，也可用于公共场合提醒群众勿高声说话的装置。
一种高声提醒

[发明专利]一种高频近零频率温度系数的窄带滤波器及制造方法-CN202011508296.X在审
发明人：李红浪;许欣;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：该窄带滤波器包括：高声速材料衬底层；形成在高声速材料衬底层之上的欧拉角为(90°,90°,40°)厚度为mλ的LGS低声速材料层；形成在LGS低声速材料层之上的具有c轴取向的厚度为0.1λ的单晶AlN高声速材料压电层，具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层的；以及设在具有c轴取向的单晶AlN高声速材料压电层上的IDT电极，其中，λ是电极激发的声波波长。
一种高频频率温度系数窄带滤波器制造方法

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