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[发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置-CN200710167674.0有效
发明人：长谷部一秀;石田义弘;藤田武彦;小川淳;中岛滋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-09-06 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。
半导体处理方法装置

[实用新型]一种气体处理装置-CN201320397550.2有效
发明人：冈田武将;池野友明;滨松健 -专利权人：东洋纺株式会社
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B01D53/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气体处理装置，其可以利用吸附剂高效而连续地对含有有机溶剂的气体进行吸收和解吸。该气体处理装置具有：处理气体入口管线（32），其导入被处理气体；预处理用吸附槽（29），其设置于所述处理气体入口管线（32），并且容纳预处理用吸附剂30；回流气体管线（28），其使由解吸气体从冷凝器及/或分离器挤出的回流气体返回到处理气体入口管线（32）的预处理用吸附槽（29）的上游侧。
一种气体处理装置

[实用新型]一种简易气相色谱气路-CN201721632168.X有效
发明人：郑国锋;王栋;王海超 -专利权人：汉威科技集团股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G01N30/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种简易气相色谱气路，包括预处理气路、尾气吹扫气路、电磁三通阀、放空气路、色谱柱气路和检测器，所述预处理气路用于对输入气体进行预处理，获得洁净的输入气体，所述输入气体为环境空气或待测气体；所述放空气路通过所述电磁三通阀与所述预处理气路连通，用于判断所述输入气体是否是待测气体；所述色谱柱气路通过所述电磁三通阀与所述预处理气路连通，用于分离所述待测气体中的气体组分；所述尾气吹扫气路用于吹扫出预处理气路中残留的待测气体；所述检测器分别与所述尾气吹扫气路、所述放空气路和所述色谱柱气路连通，用于检测输入气体中的气体组分及含量。
预处理气路待测气体输入气体电磁三通阀吹扫气路气路连通放空气色谱柱检测器气相色谱气路尾气简易本实用新型环境空气检测输入吹扫残留洁净

[发明专利]硅外延层的形成方法-CN200310115692.6有效
发明人：田村明威;冈哲史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。
外延形成方法

[发明专利]低K介质阻挡层及其形成方法-CN201210142983.3有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种低K介质阻挡层及其形成方法，在形成低K介质阻挡层之前，先利用预处理气体对衬底进行等离子体工艺预处理，所述预处理气体包括：碳氢气体及惰性气体，由此，可在衬底(即在低K介质层)表面形成一层含碳此外，由于利用了预处理气体对衬底进行等离子体工艺预处理，在形成低K介质阻挡层时，器件将处于充满预处理气体的氛围中，此时，即使产生氧离子，也将在一定程度上对氧离子进行稀释，即避免了氧离子对于低K介质层的损伤
介质阻挡及其形成方法

[发明专利]一种MOCVD气体喷淋头预处理方法-CN201510747873.3有效
发明人：刘英斌;杜志游 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种对MOCVD气体喷淋头气体喷淋头预处理的方法，包括提供一反应腔，位于反应腔底部的抽气系统和固定在反应腔顶部的气体喷淋头，所述气体喷淋头内包括位于底部的冷却板和位于顶部的进气管道系统，处理步骤包括向反应腔内充入高压的预处理气体‑排出预处理气体‑充入空气‑排出空气等多个步骤，循环执行上述步骤直到完成对反应腔内气体喷淋头及其它暴露部件的预处理。
一种 mocvd 气体喷淋预处理方法

[发明专利]一种过滤装置及油烟净化器-CN202210047152.1在审
发明人：任富佳;陈尼青;费本开;黄一丁 -专利权人：杭州老板电器股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： F24C15/20 文献下载
摘要：该过滤装置包括分离机构和出风管，分离机构包括进口以及出口，从进口进入的油烟经分离机构分离形成预处理气体，预处理气体从出口排出，出风管与分离机构相连接，出风管上开设有与出口相连通的第一通道，第一通道的横截面积沿预处理气体的排出方向逐渐增大，该结构的第一通道能够降低排出预处理气体的流速，以保证油烟净化器整体较好的净化效果。
一种过滤装置油烟净化器

[发明专利]用于后续高温第三族沉积的基材预处理-CN201080023547.3无效
发明人： Y·梅尔尼克;O·克利里欧科;H·科吉里;石川哲也 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及制造诸如发光二极管(LEDs)或激光二极管(LDs)的器件的基材预处理设备与方法。本发明的一个实施例包括通过将含氧化铝基材的表面暴露于预处理气体混合物来预处理含氧化铝基材，其中预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。
用于后续高温第三沉积基材预处理

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710311595.6有效
发明人：刘轶群;丁士成;金兰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；对所述衬底进行刻蚀处理，在所述衬底中形成第一凹槽；通过预处理气体对所述第一凹槽底部和侧壁进行预处理，形成第二凹槽，所述预处理气体与所述第一凹槽底部和侧壁发生化学反应可以通过通入的预处理气体的流量及刻蚀时间对所述第二凹槽的尺寸进行控制，进而能够对外延层的尺寸进行控制，改善所形成的半导体结构的性能。此外，所述预处理气体的能量较低，从而不容易对第二凹槽侧壁造成损耗，进而能够形成结构完整的外延层。因此，所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种过滤装置及油烟净化器-CN202220105907.4有效
发明人：任富佳;陈尼青;费本开;黄一丁 -专利权人：杭州老板电器股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： F24C15/20 文献下载
摘要：该过滤装置包括分离机构和出风管，分离机构包括进口以及出口，从进口进入的油烟经分离机构分离形成预处理气体，预处理气体从出口排出，出风管与分离机构相连接，出风管上开设有与出口相连通的第一通道，第一通道的横截面积沿预处理气体的排出方向逐渐增大，该结构的第一通道能够降低排出预处理气体的流速，以保证油烟净化器整体较好的净化效果。
一种过滤装置油烟净化器

[发明专利]用于低温热清洁的方法-CN200880009915.1有效
发明人：园部淳;但木雄大;重本隆充;J-M·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：用于从半导体处理室表面清洁不希望有物质的方法和装置。预处理含有氟源和氧源的气体混合物以使其包括活性的氟物质。该预处理的混合物在气体存储装置中贮存一段时间，然后引入半导体处理室。引入预处理气体前，室中的温度降低到等于或低于标准操作温度的温度。通过与预处理气体混合物的化学反应可以除去或清洁不希望有的物质，而不产生等离子体或在室中的高温度条件。
用于温热清洁方法

[发明专利]一种等离子体处理工艺-CN202211295546.5在审
发明人：许晓坤;叶斌 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理工艺，包括步骤：a)将基片放置于基座上；b)向反应腔通入预处理气体，基座的温度为100℃‑140℃，反应腔的压力为0.01Torr‑10Torr，去除基片的氧化层；c)去除基片的氧化层结束，停止通入预处理气体；其中，所述预处理气体包括含氢等离子体和含氟等离子体。本发明提供了合适的工艺窗口，使工艺气体与氧化层结合形成氨基络合物和氨基络合物的升华能够同步在同一个腔室内进行，提高了工艺效率，缩短了工艺时间。
一种等离子体处理工艺

[实用新型]一种环境空气、异味恶臭类及VOC气体监测系统-CN201920743964.3有效
发明人：于立娜;张闯;张雯雯 -专利权人：北京雪域飞虹环保科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环境空气、异味恶臭类及VOC气体监测系统，包括设置在壳体内的气仓和反吹清洗装置，气仓连接真空泵，且内设有传感器模组，所述反吹清洗装置包括气泵和第一三通电磁阀，所述壳体上设有与外界环境连接的第一进气口和用于连接反吹清洗气体源的第二进气口，所述气泵的进气口通过第一过滤装置与所述第一进气口连通，所述第一进气口与所述真空泵之间的气路形成预处理气路；所述第一三通电磁阀的第一入口连接所述预处理气路，第二入口连接所述气泵，出口连接至所述真空泵。本实用新型，通过反吹清洗装置，可以对预处理气路进行反吹清洗，能够防止预处理气路堵塞，或者在预处理气路堵塞时进行清理，从而保证了系统的可靠运行。
进气口预处理反吹清洗装置真空泵气泵气路本实用新型三通电磁阀气路堵塞入口连接反吹气仓传感器模组出口连接过滤装置环境空气监测系统可靠运行气路形成清洗气体外界环境壳体连通异味清洗体内保证

[发明专利]一种应用在分析仪器中的气体预处理方法及装置-CN201010247000.3有效
发明人：叶显君;黄伟;宋旭东;韦俊峥;王健 -专利权人：聚光科技(杭州)股份有限公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用在分析仪器中的气体预处理方法，包括以下步骤：a、提供至少两路处理通道；b、待处理气体进入至少一路处理通道内，并被处理；c、处理后的部分气体通往处理通道的下游，部分气体通往未参与气体处理的处理通道中的至少一路，使其成为再生的处理通道；d、监测处理后的气体；e、根据监测结果、设定值去判断是否需要调整待处理气体经过的处理通道，若判断结果为是，调整待处理气体经过的处理通道，返回到步骤b；若判断结果为否，则返回到步骤本发明还提供了一种用于实施上述方法的气体预处理装置。本发明具有可连续进行气体处理、使用寿命长、维护量小等优点。
一种应用分析仪器中的气体预处理方法装置

[发明专利]一种离子注入机的预处理方法-CN201410710134.2有效
发明人：余德钦;邱裕明;肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机的预处理方法，该方法包括两个预处理阶段；在第一预处理阶段，向所述离子注入机的离子源反应室通入一预处理气体，对所述离子源反应室进行清洗处理；在第二预处理阶段，将离子源能量调节至50keV，终端电压调节至10kV，以产生预设束流，使所述预设束流沿着离子注入机的束流通道射出，用于对所述离子注入机进行清洗处理。采用二氟化硼代替Ar气体作为预处理气体进行清洗处理，缩短了预处理时间，提高了生产周期，以及高清洗和换源效率，并保证了离子束的均一性，其中，清洗效率高达80％～95％。
一种离子注入预处理方法

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