专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种脊形波导结构及超辐射发光二极管-CN201410304786.6有效
  • 臧志刚;唐孝生 - 重庆大学
  • 2014-06-30 - 2017-03-01 - H01L33/58
  • 本发明公开了一种包括脊形波导结构,包括中心矩形波导、第一锥形波导、第二锥形波导、第一单模矩形波导和第二单模矩形波导,所述第一锥形波导连接于中心矩形波导与第一单模矩形波导间,所述第二锥形波导连接于中心矩形波导与第二单模矩形波导间;所述第一锥形波导从与矩形波导接触面向第一锥形波导与第一单模矩形波导接触面沿伸,所述第一锥形波导的宽度减小;所述第二锥形波导从与中心矩形波导接触面向第二锥形波导与第二单模矩形波导接触面沿伸,所述第二锥形波导宽度减小本发明所述的脊形波导结构采用级联倒锥形波导连接宽的矩形波导作为有源区,提高了器件饱和增益水平和输出功率,有效降低了热阻。
  • 一种脊形波导结构辐射发光二极管
  • [发明专利]一种基于硅波导的全波段起偏器-CN202010418955.4在审
  • 时尧成;刘卫喜 - 浙江大学;舜宇光学(浙江)研究院有限公司
  • 2020-05-18 - 2020-07-28 - G02B6/126
  • 本发明公开了一种基于硅波导的全波段起偏器。本发明由浅刻蚀锥形渐变硅波导和浅刻蚀条形硅波导构成;所述的浅刻蚀锥形渐变硅波导包括第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导;所述的浅刻蚀条形硅波导为第一浅刻蚀条形硅波导构成;输入硅波导与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导相连,第一浅刻蚀条形硅波导分别与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导相连;第二浅刻蚀锥形渐变硅波导与输出硅波导相连。本发明提出的硅波导的全波段起偏器具有低损耗、高消光比、大带宽、加工简单的特点,满足光通信、集成光学等领域的实际需求。
  • 一种基于波导波段起偏器
  • [实用新型]用于激光器与单模硅波导间的耦合结构-CN202120650362.0有效
  • 宋若谷;蔡艳;汪巍;余明斌 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2021-03-30 - 2021-11-23 - G02B6/42
  • 本实用新型提供一种用于激光器与单模硅波导间的耦合结构,耦合结构包括:直波导锥形波导锥形波导的输入端连接于直波导;单模硅波导,连接于锥形波导的输出端;直波导锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层,交替层叠的次数为2次以上,单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段,第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本实用新型可以用于实现大尺寸差下激光器/波导波导间的光耦合,具有耦合效率高,传输损耗小,结构简单,便于加工等优点,在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
  • 用于激光器单模波导耦合结构
  • [发明专利]一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器及其制备方法-CN202211511339.9在审
  • 蔡鑫伦;高升谦 - 中山大学
  • 2022-11-29 - 2023-03-14 - G02B6/122
  • 本发明涉及光学器件技术领域,提出一种基于光纤与铌酸锂波导耦合的端面耦合器,包括衬底、绝缘层、第一平板层、第一波导芯层和第二波导芯层。其中,第一波导芯层包括第一波导和第一锥形波导,第一波导的一侧边与第一锥形波导的一侧边连接,且第一锥形波导和第一波导相连的侧边的宽度相同;第二波导芯层包括第二波导和第二锥形波导,第二波导的一侧边与第二锥形波导的一侧边连接,且第二锥形波导和第二波导相连的侧边的宽度相同。第一锥形波导与第二锥形波导相互反向重合;第二波导远离第二锥形波导的一侧与外接光纤进行模式匹配。第一平板层、第一波导芯层为薄膜铌酸锂材料,第二波导芯层为折射率高于绝缘层的材料或高低折射率周期性分布的材料。
  • 一种基于光纤铌酸锂波导耦合端面耦合器及其制备方法
  • [实用新型]基于硅波导的全波段起偏器-CN202020826535.5有效
  • 时尧成;刘卫喜 - 浙江大学;舜宇光学(浙江)研究院有限公司
  • 2020-05-18 - 2020-12-15 - G02B6/126
  • 本实用新型公开了一种基于硅波导的全波段起偏器。本实用新型由浅刻蚀锥形渐变硅波导和浅刻蚀条形硅波导构成;所述的浅刻蚀锥形渐变硅波导包括第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导;所述的浅刻蚀条形硅波导为第一浅刻蚀条形硅波导构成;输入硅波导与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导相连,第一浅刻蚀条形硅波导分别与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导相连;第二浅刻蚀锥形渐变硅波导与输出硅波导相连。本实用新型提出的硅波导的全波段起偏器具有低损耗、高消光比、大带宽、加工简单的特点,满足光通信、集成光学等领域的实际需求。
  • 基于波导波段起偏器
  • [发明专利]一种模斑变换器-CN202110281584.4在审
  • 李春生;周秋桂;胡云;石文虎;张天明 - 武汉华工正源光子技术有限公司
  • 2021-03-16 - 2021-06-01 - G02B6/14
  • 本发明涉及一种模斑变换器,包括衬底,衬底上从下到上依次设有下包层、覆盖层,下包层的上端从下到上依次设有底层倒锥形波导、第一层波导结构、第二层波导结构,底层倒锥形波导、第一层波导结构、第二层波导结构位于覆盖层内,底层倒锥形波导与第一层波导结构的第一层锥形波导组成第一光场过渡转换结构,第一层波导结构的第一层倒锥形波导与第二层波导结构的第二层锥形波导组成第二光场过渡转换结构,第二层波导结构的第二层倒锥形波导与覆盖层组成模斑扩大结构本发明采用底层倒锥形波导和两组双锥形波导结构实现光场的上拉效果,减小衬底硅材料对模斑形状的影响,并通过顶部倒锥形波导,实现模斑的放大功能,提升与标准单模光纤的耦合效率。
  • 一种变换器
  • [实用新型]一种模斑变换器-CN202120542163.8有效
  • 李春生;周秋桂;胡云;石文虎;张天明 - 武汉华工正源光子技术有限公司
  • 2021-03-16 - 2021-10-26 - G02B6/14
  • 本实用新型涉及一种模斑变换器,包括衬底,衬底上从下到上依次设有下包层、覆盖层,下包层的上端从下到上依次设有底层倒锥形波导、第一层波导结构、第二层波导结构,底层倒锥形波导、第一层波导结构、第二层波导结构位于覆盖层内,底层倒锥形波导与第一层波导结构的第一层锥形波导组成第一光场过渡转换结构,第一层波导结构的第一层倒锥形波导与第二层波导结构的第二层锥形波导组成第二光场过渡转换结构,第二层倒锥形波导与覆盖层组成模斑扩大结构本实用新型采用底层倒锥形波导和两组双锥形波导结构实现光场的上拉效果,减小衬底硅材料对模斑形状的影响,并通过顶部倒锥形波导,实现模斑的放大功能,提升与标准单模光纤的耦合效率。
  • 一种变换器

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