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[发明专利]一种高储能密度铌酸锶钠-钛酸铋钾无铅储能陶瓷及制备方法-CN202310285132.2有效
发明人：郑鹏;斯裴笑看;白王峰;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度铌酸锶钠‑钛酸铋钾无铅储能陶瓷及制备方法，采用固相合成方法，以填充型钨青铜材料Sr2NaNb5O15为基础，掺入一定量钙钛矿材料(Bi0.5K0.5)TiO
一种高储能密度铌酸锶钠钛酸铋钾无铅储能陶瓷制备方法

[发明专利]钛镁酸铋－铋锌基钙钛矿－钛酸铅三元系高温压电陶瓷及其制备方法-CN201110187134.5有效
发明人：左如忠;赵万里;左文武;齐世顺;刘隆冬;吕洋 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛镁酸铋-铋锌基钙钛矿-钛酸铅三元系高温压电陶瓷及其制备方法，本压电陶瓷的组成由通式(1-n)[uBi(Mg0.5Ti0.5)O3+v??本发明压电陶瓷组成拥有钙钛矿结构且具有菱形铁电相和四方铁电相的准同型相界，具有较优异的压电性能，较高的居里温度，使其更加适合于高温领域，且具有较低的介电损耗，电极化工艺更容易和方便，可采用传统压电陶瓷的制备技术特别是较廉价的工业用原料制备
钛镁酸铋铋锌基钙钛矿钛酸铅三元高温压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201710314003.6有效
发明人：马万里;凌旭峰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法。在阴极基底上旋涂五氯化铌与水反应生成的氧化铌水合物溶液，制备厚度为40～200纳米的氧化铌薄膜，形成钙钛矿太阳能电池的电子传输层；在电子传输层上依次制备钙钛矿吸光层、空穴传输层以及收集空穴的金属阳极，得到钙钛矿太阳能电池本发明利用溶液法制备氧化铌电子传输层的方法，具有工艺简单、易于调控的特点，制备的氧化铌薄膜均匀、平整、致密，可实现大规模及卷对卷生产工艺；同时，制备氧化铌电子传输层的过程在低温下进行（≤150°C），无需高温煅烧，适合于采用柔性衬底制备钙钛矿太阳能电池。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种铜-铋/钒酸铋复合光催化剂的制备和应用-CN201811429661.0在审
发明人：陈立妙;丰欣妍;段泽宇 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： B01J23/843 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜–铋/钒酸铋复合光催化材料的制备方法，属于光催化技术领域。该铜纳米片–铋纳米颗粒/钒酸铋复合光催化材料由铜纳米薄片包覆在具有网状结构的铋/钒酸铋表面形成。其制备方法是以偏钒酸铵和硝酸铋为原料，在乙二醇溶液中经溶剂热反应得到铋/钒酸铋网状纳米结构。将上述铋/钒酸铋分散在醋酸铜溶液混合后，进行水热反应，利用部分铋单质将铜离子还原成铜单质，同时非晶态钒酸铋转化为晶态钒酸铋，从而制备出铜纳米片–铋纳米颗粒/钒酸铋复合光催化剂。所述复合光催化剂利用钒酸铋、铋和铜的协同作用，增加了光响应范围，提高了光生电子‑空穴对的分离效率，从而提高了光催化还原二氧化碳的光催化活性。
钒酸铋复合光催化剂制备复合光催化材料纳米颗粒纳米片网状纳米结构醋酸铜溶液光催化还原光催化活性溶剂热反应乙二醇溶液制备和应用空穴表面形成分离效率光生电子纳米薄片偏钒酸铵水热反应网状结构非晶态光催化光响应铜离子硝酸铋铋单质二氧化碳包覆单质晶态还原转化

[发明专利]一种铋/钒酸铋复合光催化剂及其制备方法和在光催化降解有机物中的应用-CN201611243187.3有效
发明人：陈立妙;吴敏;景奇锋;丰欣妍 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： B01J23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋/钒酸铋复合光催化剂及其制备方法和在光催化降解有机物中的应用，该铋/钒酸铋复合光催化剂由纳米铋颗粒原位生长在钒酸铋颗粒表面形成，其制备方法是将含钒源的水溶液和含铋源的乙二醇溶液混合后，进行溶剂热反应，得到钒酸铋；所述钒酸铋分散至水中，得到钒酸铋分散液，所述钒酸铋分散液与还原剂溶液混合后，进行水热反应，即得光吸收范围宽、可见光利用率高、光催化活性高的铋/钒酸铋复合光催化剂，相比于钒酸铋催化剂而言，在光催化降解有机物方面具有更高的催化活性，且铋/钒酸铋复合光催化剂的合成方法简单，原料廉价易得，生产成本较低。
一种钒酸铋复合光催化剂及其制备方法光催化降解有机物中的应用

[发明专利]具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构-CN96196432.4无效
发明人：吾妻正道;卡洛斯·帕斯·德阿劳约 -专利权人：塞姆特里克斯公司;松下电子工业株式会社
申请日： 1996-08-19 - 公布日： 1998-09-23 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：该层状的超晶格材料(26)优选是锶铋钽酸盐、锶铋铌酸盐或锶铋铌钽酸盐。该器件按照一种优选的方法构成,该方法包括在层状超晶格材料沉积之前在该半导体基板上形成氮化硅。
具有极化兼容缓冲金属绝缘体半导体结构

[发明专利]铌酸锂半导体结构-CN202111403828.8有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
铌酸锂半导体结构

[发明专利]综合利用多金属共生白云岩方法-CN96109199.1无效
发明人：李才全;李道昭 -专利权人：李才全;李道昭
申请日： 1996-08-20 - 公布日： 2000-08-02 - 主分类号： C22B5/00 文献下载
摘要：其中富含钙、镁、铁、铌、稀土矿物，是冶炼稀土镁钙硅铁合金和提取铌产品的廉价优质原料。把现有的稀土硅热法工艺和火法提铌工艺合理组合形成碳热法熔化分离得铌磷生铁和含氟稀土钙镁炉渣。前者在氧气底吹转炉喷钠盐吹炼得钠化铌渣和含残泥的低碳钢，前者进一步得铌产品。含氟稀土钙镁炉渣用硅热法冶炼各种牌号的稀土镁钙硅合金。充分综合利用了这种白云岩。
综合利用金属共生白云岩方法

[发明专利]一种高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板的制备方法-CN202310120364.2在审
发明人：姜滔;敖来远;韩玉成;应建;何创创;陈传庆 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：所述陶瓷粉组分包括碳酸钙、碳酸锶、二氧化锆、五氧化二铌、氧化锌；采用碳酸锶、二氧化锆、二氧化钛合成锆锶钙钛主体材料；采用五氧化二铌、氧化锌及碳酸钙对锆锶钙钛主体材料进行掺杂改性，形成锆锶钙钛基瓷粉，即高温稳定型陶瓷粉所述陶瓷基板制备方法为：(1)在所述锆锶钙钛基瓷粉中，加入分散剂、溶剂、粘结剂；(2)通过球磨工艺制备成流延浆料；(3)所述流延浆料经过流延、裁片、叠片、等静压、热切、排胶、烧结后得到陶瓷基板。解决了现有锆酸钙作为陶瓷主体材料存在介电常数低、烧结温度高、温度特性差的问题。广泛应用于高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板领域。
一种高温稳定陶瓷及其制备方法

[发明专利]压电元件及其制造方法-CN202110254130.8在审
发明人：波多野桂一;塚越功一 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于以低成本提供使用了碱金属铌酸系的压电陶瓷的层叠型压电元件。本发明的技术方案为由银的含量为80质量％以上的金属形成内部电极，并且由以具有钙钛矿型结构的碱金属铌酸盐为主成分且含有选自钙和钡中的至少1种碱土金属元素和银的压电陶瓷构成压电陶瓷层，在将上述碱金属铌酸盐的
压电元件及其制造方法

[发明专利]一种共掺杂磷酸铋基复合光催化材料及其制备方法-CN201410614251.9有效
发明人：李军奇;刘辉;何选盟;朱振峰 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种共掺杂磷酸铋基复合光催化材料，由氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋组成，其中氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋的摩尔比为1：0.1～0.3：0.1～0.3。本发明还公开了其制备方法：将五水硝酸铋、磷酸盐、钨酸铵和偏钒酸铵通过微波水热反应得到混合粉体，然后加入氯化铵再次微波水热反应，离心、干燥得到。本发明共掺杂磷酸铋基复合光催化材料，通过非金属氟和氮离子共掺杂来有效提高磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体界面处电子的捕获能力，增强电子空穴的迁移效率；磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体复合在界面处能够形成异质结构
一种掺杂磷酸复合光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种磷酸铋基复合光催化材料及其制备方法-CN201410613403.3有效
发明人：李军奇;刘辉;何选盟;朱振峰 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷酸铋基复合光催化材料，由氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋组成，其中氟、氮共掺杂的磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋的摩尔比为1∶0.1～0.3∶0.1～0.3。本发明还公开了其制备方法：将五水硝酸铋溶解于硝酸溶液中，然后加入磷酸盐、钨酸铵、偏钒酸铵和氢氧化钠溶液的混合溶液，在经过微波水热反应、离心、干燥得到。本发明磷酸铋基复合光催化材料，通过非金属氟和氮离子共掺杂来有效提高磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体界面处电子的捕获能力，增强电子空穴的迁移效率；磷酸铋、钨酸铋和钒酸铋三种半导体复合在界面处能够形成异质结构
一种磷酸复合光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法-CN202310395496.6在审
发明人：宋睿烜;阮罗渊;陈焕坚;孙沐晨;唐燕如;白石根;杜瑀;林虹宇;单玉凤;邓惠勇;戴宁 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。
一种铁酸铋纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种具有优异磁性能的铁酸铋-钛酸钙-钛酸铋钠三元体系固溶体陶瓷及其制备方法-CN202210410836.3有效
发明人：刘娟;项利林;崔冰;郭祥泰;余子龙;徐东 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及多铁材料技术领域，具体涉及一种具有优异磁性能的铁酸铋‑钛酸钙‑钛酸铋钠三元体系固溶体陶瓷及其制备方法，本发明采用标准固相反应烧结法，其过程包括按照正确的化学计量比称重、配料、一次球磨、烘干、过筛
一种具有优异磁性铁酸铋钛酸钙钛酸铋钠三元体系固溶体陶瓷及其制备方法

[发明专利]掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法-CN200810033105.1无效
发明人：程艳;徐晓东;徐军;姚罡;杨新波;吴锋 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：一种掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法，该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为Yb_xCa_(1－2x/3)Nb₂O₆，其中x
掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法