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[发明专利]一种可实现过渡金属硫化物相转变的方法-CN202210652668.9有效
发明人：冀梁;申胜平;陈曦;盛唐;冯威 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现过渡金属硫化物相转变的方法，用于实现过渡金属硫化物在半导体态2H相和金属态1T相之间完全的、可逆的转变。通过调控气体环境、温度和真空度控制相转变过程。本发明解决了过渡金属硫化物相转变过程不彻底、不可逆的技术难题，丰富了实现其稳定相转变的技术方法，拓宽了天然半导体态过渡金属硫化物在智能器件中的应用前景。
一种实现过渡金属硫化物转变方法

[发明专利]一种具有金属绝缘体转变功能的器件的制备方法-CN201710557648.2有效
发明人：李润伟;薛武红;刘钢 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有金属绝缘体转变功能的器件的制备方法，该方法采用由底电极/高价金属氧化物/顶电极构成的三明治结构器件，该高价金属氧化物中的金属元素是具有多价态的元素，且其低价氧化物具有金属绝缘体转变特性；通过在电场作用下驱动该高价稳定金属氧化物中的氧离子迁移以及微区电退火的方法，在高价金属氧化物体相中形成具有金属绝缘体转变功能的低价金属氧化物，从而制得具有金属绝缘体转变功能的器件。与现有技术相比，该方法简单有效，制得器件的金属绝缘体转变均一、迅速、低能。
金属绝缘体转变高价金属氧化物制备低价金属氧化物稳定金属氧化物退火低价氧化物三明治结构氧离子迁移电场作用金属元素底电极顶电极多价态均一微区驱动

[发明专利]一种超导转变边沿传感器、制备方法及微量能器-CN202111194967.4在审
发明人：黎发军;梁亚杰;王烨儒;王国乐;王思凡;丁骄;崔伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导转变边沿传感器、制备方法及微量能器，其中超导转变边沿传感器制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底的上表面形成超导金属薄膜；在所述超导金属薄膜的上表面形成正常金属薄膜，所述超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度之比为1‑10；所述超导金属薄膜和正常金属薄膜在真空腔内形成。通过在衬底上形成超导金属薄膜和正常金属薄膜，并使超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度之比保持在1‑10的范围内。通过对超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度比进行控制，提高了TES的转变温度Tc均匀性和转变区间可控性。
一种超导转变边沿传感器制备方法微量

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201310170875.1有效
发明人：金秀吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据本发明的可变电阻存储器件包括第一电极；第二电极，与第一电极间隔开；电阻可变层和金属绝缘体转变层，提供在第一电极与第二电极之间；以及热阻挡层，提供在（i）第一电极和金属绝缘体转变层之间，（ii）金属绝缘体转变层和电阻可变层之间，或者（iii）第二电极和金属绝缘体转变层之间。本发明利用热边界电阻TBR现象来防止在金属绝缘体转变层中产生的热的耗散，因而可以减小操作可变电阻存储器件的电流和电压。
可变电阻存储器件

[发明专利]电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控-CN200910048823.0无效
发明人：李效民;杨蕊;于伟东;刘新军;曹逊;王群;张亦文;杨长 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。顶电极为活泼金属，阻变层为稀土锰氧化物薄膜，底电极为贵金属或氧化物导电薄膜。通过控制活泼金属顶电极的厚度和施加特殊的电压扫描或脉冲过程实现了单/双电阻转变效应以及双极性电阻转变效应的极性翻转。在同一种存储结构中实现多种电阻转变方式的调控，可发挥多种电阻转变方式的优势，如单极性电阻转变的高转变率，双极性电阻转变的快速度。因此可在同一存储阵列中满足不同的存储要求，有利于其实际应用。
电阻随机存储器用多层薄膜结构转变方式调控

[发明专利]一种基于金属绝缘体转变器件的1S1C存储器及其操作方法-CN202211666512.2在审
发明人：童浩;汪宾浩;王瑶;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属绝缘体转变器件的1S1C存储器及其操作方法，该1S1C存储器包括串联的MIT选通器件和电容器件，MIT选通器件中的转变层包括由过渡金属氧化物制成的金属绝缘体转变层，具有正反向导通特性；当在MIT选通器件上大于导通阈值电压的电压时，金属绝缘体转变层由高阻态的半导体单斜相转变为低阻态的金属态金红石相，此时MIT选通器件两端的电压下降，当MIT选通器件两端电压幅值降为小于保持电压时，金属绝缘体转变层由低阻态的金属态金红石相转变为高阻态的半导体单斜相
一种基于金属绝缘体转变器件 s1c 存储器及其操作方法

[发明专利]一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法-CN200910302938.8无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;王琴;左青云;王艳;刘琦;张森 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二元金属氧化物阻变存储器及其制作方法，属于信息存储技术领域。所述方法包括：在衬底上形成下电极；在所述下电极上形成电阻转变存储层；在惰性气体的环境下并于100℃～1000℃下对所述电阻转变存储层进行退火处理；在所述电阻转变存储层上形成上电极即可。本发明的制作方法简单、成本低并且与传统CMOS工艺兼容，采用金属掺杂的二元金属氧化物作为电阻转变存储层，再经过退火处理，不仅可以使二元金属氧化物薄膜结晶，而且还可以在二元金属氧化物中形成大量的金属缺陷，在器件第一次由高阻态向低阻态转变时，不再需要一个高的操作电压来激活器件，从而可以消除Forming现象。
一种二元金属氧化物存储器及其制作方法

[发明专利]高温退火处理诱导相转变合成金属性氮化铪薄膜的方法-CN200810227479.7无效
发明人：王文武;陈世杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-11-26 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温退火处理诱导相转变合成金属性氮化铪薄膜的方法，该方法包括：采用化学合成方法制备绝缘性金属氮化铪薄膜；采用高温退火处理诱导相转变，将该绝缘性金属氮化铪薄膜转变为金属性金属氮化铪薄膜。利用本发明，可以有效地使绝缘性金属氮化铪薄膜在高温热处理的条件下发生相转变，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。另外，本发明中涉及的高温处理温度为1000摄氏度左右，这和MOS晶体管中的源-漏极掺杂激活退火工艺的温度相近，因此高温诱导相转变制备氮化物栅电极可以和源-漏极激活退火同时进行，具有很好的工艺兼容性。
高温退火处理诱导转变合成金属性氮化薄膜方法

[发明专利]通过高速变形而形成的不等强度材料-CN88102197.0无效
发明人：雨果·斯坦利·弗格森 -专利权人： MRE公司
申请日： 1988-03-26 - 公布日： 1993-05-26 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：这种材料通过使有带状组织的金属母材高速变形而制成，目的是使金属母材产生高速的内能变化。内能的高速变化压低了金属母材的转变温度并引起同素异构转变。具体说，金属母材在变形前要保持相当低的温度而工具则要保持相当高的温度。高速变形使表面区域产生极高的加热速度，压低了转变温度，使之转变为等轴晶粒，而芯部因温度不够高，仍保持冷作加工后的带状组织。
通过高速变形形成不等强度材料

[发明专利]一种用以获得电阻转变存储器多转变模式的操作方法-CN201410557784.8在审
发明人：孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以获得电阻转变存储器多转变模式的操作方法，包括：选择器件；对选择的器件进行第一次电激励；以及对器件进行电学操作，获得电阻转变存储器多转变模式。利用本发明，通过选取基于金属导电细丝机制的电阻转变存储器件，通过调整第一次电激励过程中的限制电流的大小，从而实现后续不同的电阻转变模式，这种方法简单实用，并且可以在同一个器件中获得转变模式的改变，实现多转变模式操作，可以获得第一次电激励过程中限制电流对导电细丝通道影响的间接证据，对于深入理解金属细丝机制的电阻转变存储器的阻变机理具有深刻意义。
一种用以获得电阻转变存储器模式操作方法

[发明专利]锂金属磷酸盐的制造方法-CN201180042177.2有效
发明人：白川彰彦;河边功;利根川明央 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：一种锂金属磷酸盐的制造方法，其包括：在极性溶剂的存在下，使从氢氧化锂等锂离子(Li+)源、二价过渡金属硫酸盐等二价过渡金属离子(M2+)源和磷酸等磷酸根离子(PO43-)源向锂金属磷酸盐转变的转变反应在前述转变反应通过使包含锂离子、二价过渡金属离子和磷酸根离子中的任一种离子的液体A与液体B在150℃以上接触而开始进行，其中，所述液体B包含除液体A中含有的上述离子之外的离子，或者，前述转变反应通过使包含锂离子、二价过渡金属离子和磷酸根离子的pH不足4的液体C的pH达到4以上而开始进行。
金属磷酸盐制造方法

[发明专利]超导薄膜、采用共沉积的制备方法、超导转变边沿探测器、应用-CN202111426732.3有效
发明人：徐骁龙;李劲劲;王雪深;陈建;钟青;钟源;曹文会;王仕建 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2021-11-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导薄膜、制备方法、超导转变边沿探测器及应用。该超导薄膜包括超导金属膜层、合金膜层和正常态金属膜层，所述合金膜层的合金包括所述超导金属膜层中的超导金属与所述正常态金属膜层中的正常态金属，所述合金膜层层叠设置于所述超导金属膜层与所述正常态金属膜层之间合金膜层的引入不仅能够有效降低超导薄膜的超导转变温度，还能够用于在维持该超导薄膜整体的热容不变的情况下调控超导薄膜整体的超导转变温度。
超导薄膜采用沉积制备方法转变边沿探测器应用

[发明专利]具有同构的金属绝缘体转变的二氧化钒异质结构-CN201880030668.7有效
发明人： C-B·严;D·李 -专利权人：威斯康星州男校友研究基金会
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B32B5/16 文献下载
摘要：双层的特征在于它们在电子转变温度下经历了单步、集体的金属‑绝缘体转变。在电子转变温度以下的温度，二氧化钒的具有较高金红石至单斜相变温度的层具有绝缘的单斜晶相，其在电子转变温度以上的温度下转化为金属单斜晶相。
具有同构金属绝缘体转变氧化钒异质结构

[发明专利]利用金属绝缘体突变的温度传感器和具有该温度传感器的警报器-CN200680046618.5无效
发明人：金铉卓;姜光镛;李镕旭;蔡秉圭;金俸准;崔相国;尹善真 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： G08B17/06 文献下载
摘要：提供的是一种使用金属绝缘体转变器件的温度传感器和包括该温度传感器的警报器，该金属绝缘体转变器件在特定温度下经历金属绝缘体突变。该金属绝缘体突变器件包括金属绝缘体突变薄膜和接触该金属绝缘体突变薄膜的至少两个电极薄膜。该金属绝缘体突变器件在特定转变温度下产生金属绝缘体突变。该警报器包括具有金属绝缘体突变器件的温度传感器，以及串联连接到该温度传感器的警报信号发生器。因此，通过包括使用金属绝缘体突变器件的该温度传感器，该警报器能制造得具有简单电路且是小尺寸的。
利用金属绝缘体突变温度传感器具有警报器

[发明专利]控制双峰树脂管熔体破裂-CN201380028242.5在审
发明人： Y·因;P·J·德斯劳列尔斯;杨清;A·M·苏卡迪亚;D·C·罗尔芬;P·L·马杰 -专利权人：切弗朗菲利浦化学公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G01N11/04 文献下载
摘要：改良聚乙烯树脂加工的方法，包括获得多个多峰茂金属催化的聚乙烯样品；使用毛细管流变测定法测量多个多峰茂金属催化的聚乙烯样品的为剪切速率函数的剪切应力，其中测量得到滑-粘大小、光滑至粗糙转变的应力和光滑至粗糙转变的剪切速率的值；以及从多个多峰茂金属催化的聚乙烯样品中识别具有熔体破裂降低趋势的单独的多峰茂金属催化的聚乙烯树脂，所述熔体破裂降低趋势由大于大约300psi的滑-粘大小、大于大约90kPa的光滑至粗糙转变的应力和大于大约10s^-1的光滑至粗糙转变的剪切速率表征。
控制双峰树脂管熔体破裂

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