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[发明专利]晶片接合方法-CN201910358090.4在审
发明人：周娴;晁阳;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及晶片接合方法。提供了一种晶片接合方法，其包括：提供第一晶片和第二晶片，所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层，所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料；对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行电化学处理，以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的纳米结构；以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层，以接合所述第一晶片和第二晶片。
晶片第二金属层第一金属层接合绝缘层金属材料第一表面晶片接合电化学处理彼此面对纳米结构表面处种晶

[发明专利]晶片接合方法-CN201910358104.2有效
发明人：周娴;晁阳;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本公开涉及晶片接合方法。提供了一种晶片接合方法，其包括：提供第一晶片和第二晶片，所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层，所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料；对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行预处理，以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的晶须；以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层，以接合所述第一晶片和第二晶片。
晶片接合方法

[发明专利]测试晶片的方法及测试结构-CN200910046706.0有效
发明人：黄艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试晶片的方法及测试结构，包括模拟晶片、要测试晶片及电连接模拟晶片和要测试晶片的两个接点的金属引线，使模拟晶片和要测试晶片进行测试信号交互，得到要测试晶片的测试结果，对要测试晶片测试之前，在所述金属引线及模拟晶片周围设置多条金属线。本发明提供的方法及测试结构保证测试晶片时，得到的晶片测试结果准确。
测试晶片方法结构

[发明专利]图像传感器中使用混合接合的金属布线-CN202110641793.5在审
发明人：陈刚;孙世宇 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请案涉及图像传感器中使用混合接合的金属布线。一种为晶片上晶片结构中的电连接布线的方法包括：将第一晶片的金属接合垫接合到第二晶片的金属接合垫；使用与所述金属接合垫不同的材料将所述第一晶片接合到所述第二晶片；形成将所述第一晶片的所述金属接合垫连接到安置在所述第一晶片的第一侧及第二侧内的第一装置的金属互连结构；及形成将所述第二晶片的所述金属接合垫连接到安置在所述第二晶片内的第二及第三装置，以通过所述金属接合垫将所述第一装置连接到所述第二及第三装置的金属互连结构，其中所述第一与第二晶片的所述装置之间的所述电连接不具有完全穿过所述第一或所述第二晶片的贯穿通路
图像传感器使用混合接合金属布线

[实用新型]一种LED灯及LED透明显示屏-CN202022019451.3有效
发明人：丁文兰 -专利权人：巨晶（广东）新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种LED灯及LED透明显示屏，所述的一种LED灯包括：支架，设置在所述支架上的第一金属片、第二金属片、第三金属片、第四金属片、控制IC芯片、红光晶片、绿光晶片、蓝光晶片、至少两个齐纳管；所述控制IC芯片分别与所述第一金属片、第二金属片、第三金属片、第四金属片连接；所述红光晶片、绿光晶片、蓝光晶片的一端与控制IC芯片连接，所述红光晶片、绿光晶片、蓝光晶片的另一端与第二金属片连接；所述齐纳管的两端分别与所述第一金属片、第二金属片连接。
一种 led 透明显示屏

[实用新型]倒装结构的发光二极管-CN201220479935.9有效
发明人：李漫铁;屠孟龙;李扬林 -专利权人：惠州雷曼光电科技有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：发光二极管包括：至少一表面形成有电极层的晶片，以及至少邻近晶片一侧的表面为金属表面的基板；其中，电极层包括相互绝缘设置的晶片正极和晶片负极，基板的金属表面包括相应晶片正极和晶片负极绝缘设置的正极金属区和负极金属区；晶片正极与正极金属区之间、以及晶片负极与负极金属区之间分别设置有纳米银层。通过上述方式，本实用新型能够提高导热率、导电率，并且能够提高晶片与基板的结合强度。
倒装结构发光二极管

[发明专利]一种三极管分离器件CSP封装结构及封装方法-CN201910900870.7有效
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种三极管分离器件CSP封装结构及封装方法，该封装结构包括晶片(1)和布设于所述晶片(1)上的三极管，所述三极管中的两个功能引脚位于所述晶片(1)的正面，第三功能引脚位于所述晶片(1)的背面；所述晶圆背面减薄和背面金属层(8)蒸发或者溅射；在所述背面金属层(8)进行塑封(6)，包覆所述背面电极金属层(8)；所述晶片(1)上设置有划片槽(2)，所述划片槽(2)从所述晶片(1)的正面直至延伸至所述晶片(1)的背面金属层，所述划片槽(2)内布设有金属布线(3)，所述金属布线(3)将位于所述晶片(1)背面的功能引脚引到所述晶片(1)的正面。本发明通过划片槽直接连接到晶片的背面金属层，并通过金属布线将位于晶片背面的第三功能引脚引到晶片的正面，使所有功能引脚均在晶片的正面；降低了器件的导通电阻。
一种三极管分离器件 csp 封装结构方法

[实用新型]一种金属覆盖的微针晶片结构-CN201920596387.X有效
发明人：于大全;姜峰;王阳红 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属覆盖的微针晶片结构，包括：晶片、以及阵列设置在晶片上表面的针状突起；所述针状突起的表面、以及晶片的上表面分别覆盖有粘结金属层和金属层，所述粘结金属层分别设置在针状突起的表面与金属层之间、以及晶片的上表面与金属层之间。本实用新型提供了一种金属覆盖的微针晶片结构，具有良好的生物兼容性，并且易于生产。
一种金属覆盖晶片结构

[实用新型]一种夹持晶片的装置-CN200620047519.6无效
发明人：龚伟平;张龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于夹持晶片的装置，其包括两个金属板以及两个支撑杆，其中，一个金属板用于承载晶片，两个支撑杆固定在承载晶片的金属板的两侧，另一个金属板可以通过两个支撑杆滑动；至少一个金属板在与晶片接触的接触面设有凹槽和凸起部分此外，至少一个金属板在与晶片接触的接触面的边缘设有一圈凸起部分，其用于压合晶片以使晶片边缘密闭。与现有技术相比，本实用新型的装置在金属板的接触面上设置的凹槽减少金属板对晶片的压力，均匀分散了压力，从而有效防止晶片破片；此外，凸起部分的压合使晶片的边缘密闭，消除了晶片与顶部金属板之间的间隙，防止电浆炉内中等离子气体腐蚀晶片表面的银层，由此增强晶片的供电能力。
一种夹持晶片装置

[发明专利]平坦化金属凸块表面的方法-CN200810130466.8有效
发明人：傅文勇 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种平坦化金属凸块表面的方法，包含：提供晶片，于主动面上具有多个金属凸块，其中每一个金属凸块的表面为粗糙表面；提供平坦装置，其具有上压板；传送晶片且置放在平坦装置上，以使晶片的主动面的多个金属凸块朝向平坦装置的上压板的下表面；施加一压力于晶片的主动面的多个金属凸块，是将上压板的下表面向下且与晶片的主动面上的多个金属凸块的粗糙表面接触，以平坦化晶片的主动面上的多个金属凸块的粗糙表面；及移除上压板，是将上压板与晶片的主动面上的多个金属凸块分离，以使得晶片的主动面上的多个金属凸块的表面为平坦化的表面。
平坦金属表面方法

[发明专利]具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法-CN201711471836.X在审
发明人：蒋振声;刘青健;威廉·比华;李小菊;孔国文 -专利权人：应达利电子股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，该方法包括：对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，在已溅射金属保护膜的小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理，及对晶片腐蚀处理后的小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。由于该小型石英晶片的指定位置无金属保护膜，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置被腐蚀，而具有金属保护膜的位置不被腐蚀，晶片的具体形状易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场的需求。
具有等效串联电阻小型石英晶片制作方法

[发明专利]晶片频率测试装置-CN201610266631.7在审
发明人：陈仲涛;彭胜春;阳皓;杨莉;周哲;许卫群;唐平;陈映梅;刘春蓉;王洁;刘祖琴 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G01H13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片频率测试装置，该装置包括金属探头、金属台面、固定架和频率测试仪器，其中金属探头的顶端通过弹性组件连接固定架，底端设置有与金属台面平行的金属片；频率测试仪器用于向金属台面施加不同频率的交流电源，并在不同频率的交流电源下，对置于金属片与金属台面之间的晶片的振幅进行测量，从而形成晶片的幅频曲线，以根据幅频曲线确定晶片的谐振频率。通过本发明，可以降低晶片性能测试过程中对晶片的损坏，并可以提高晶片频率的测试准确度。
晶片频率测试装置

[发明专利]局部膜片携载头-CN03815370.X无效
发明人： P·伦泰恩 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一携载头，包含一金属板(402)，该金属板具有在中心位置形成的开口(406)。该金属板具有一晶片侧，在CMP过程中该晶片侧面对晶片(502)的背面；和一非晶片侧。一气囊(408)或膜片(702)位于金属板的非晶片侧上方，且位于在金属板的开口上方。一基本上等于抛光压力的膨胀压力被施加于气囊或膜片上。为了易于运送晶片，可在所述开口处施加真空以将晶片吸附在携载头(400)上。为了释放晶片，气囊或膜片可被充气使得其伸出金属板的开口。
局部膜片携载头

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110213254.8有效
发明人：金谷康;塚原良洋;渡边伸介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种LQFP封装芯片-CN202123249609.7有效
发明人：陈馨恩;骆外兵;佘文翔 -专利权人：深圳天德钰科技股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LQFP封装芯片，包括壳体、设于所述壳体内的长晶片和短晶片、金属架，以及设于所述壳体边缘设有多个引脚，所述长晶片设于所述短晶片的上端，所述长晶片的两端分别通过多根金属线与多个所述引脚连接，所述金属架倒置。上述LQFP封装芯片，通过将长晶片和短晶片倒置，并相应的将金属架倒置，使得长晶片与引脚接触，并通过引脚将热量传导至外侧，提高了双边的散热效果。
一种 lqfp 封装芯片

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