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[发明专利]半导体装置封装及其形成方法-CN202210482065.9在审
发明人：郭建利;高金福;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种形成半导体装置封装的方法。所述方法包括将半导体装置接合到封装基板；将金属盖放置在半导体装置和封装基板之上，并在金属盖与半导体装置之间提供金属热界面材料；加热并使金属热界面材料熔化；向下按压金属盖，使得熔化的金属热界面材料流向半导体装置的边界，且熔化的金属热界面材料的横向侧壁的最外点延伸超出半导体装置的边界；向上抬起金属盖，使得熔化的金属热界面材料回流，且其横向侧壁的最外点在半导体装置的边界内；以及固化熔化的金属热界面材料，以通过金属热界面材料将金属盖接合到半导体装置
半导体装置封装及其形成方法

[发明专利]不可恢复式三芯感温电缆-CN202010184936.X在审
发明人：李磊 -专利权人：唐山微睿联信息技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明提供不可恢复式三芯感温电缆，包括第一金属弹性导体、第二金属弹性导体、第三导体，所述第一金属弹性导体外部涂有绝缘材料层；所述第二金属弹性导体外部也涂有绝缘材料层，所述第二金属弹性导体涂有的绝缘材料层外还涂有金属复合带层，所述第三导体的外部涂有半导体特性感温材料层；所述第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三导体之间进行绞合，绞合后将第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三导体外套上防护套。本发明由三根涂有不同材料层的导体组成，当温度升高时，两跟金属弹性导体形成短路，并形成报警信号，当三根导体都进行导通时，可以通过三根导体之间的阻值的变化输出报警信号，且感温报警的灵敏度高、成本低。
不可恢复式三芯感温电缆

[发明专利]变压器绕线架的制造方法及其制造机台-CN200810146788.1无效
发明人：林美玲 -专利权人：和进电子股份有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01F41/06 文献下载
摘要：一种变压器绕线架的制造方法，包括提供一金属导体材料；冲切该金属导体材料，使分离为至少二个金属导体材料；对正每一金属导体材料上的金属框架；导引该金属导体材料以埋入射出成型方式一体成型为多个变压器绕线架；及裁切每一变压器绕线架本发明变压器绕线架的制造机台包括一送料器，具有一金属导体材料；一冲切器，接收该金属导体材料并冲切为至少二个金属导体材料；一埋入射出成型器，接收该金属导体材料并以埋入射出成型方式一体成型为多个变压器绕线架
变压器绕线架制造方法及其机台

[发明专利]基于纳米材料的N型晶体管及制备方法-CN202210482553.X在审
发明人：刘晨晨;曹宇;张志勇;韩杰 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于纳米材料的N型晶体管，包括：衬底层；半导体材料层，半导体材料层设置在衬底层上，以用于形成半导体沟道区；第一金属电极，第一金属电极设置在半导体材料层上以形成源电极；以及第二金属电极，第二金属电极设置在半导体材料层上以形成漏电极；其中，半导体材料层由纳米材料形成，金属电极的底部与半导体材料层接触，衬底层与半导体材料层之间设置有疏水性材料层，以避免金属电极的底部被氧化。
基于纳米材料晶体管制备方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202211268678.9在审
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，二维金属材料具有一第二生成热，第二生成热小于第一生成热；金属层是覆盖于二维金属导体层的表面；其中，二维金属导体层是由金属层中的阳离子与二维半导体层中的阴离子键结而成。借此，可有效降低二维材料与金属间的接触电阻，使二维材料能成功应用在场效晶体管等半导体元件上。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]半导体元件-CN202222762656.X有效
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，二维金属材料具有一第二生成热，第二生成热小于第一生成热；金属层是覆盖于二维金属导体层的表面；其中，二维金属导体层是由金属层中的阳离子与二维半导体层中的阴离子键结而成。借此，可有效降低二维材料与金属间的接触电阻，使二维材料能成功应用在场效晶体管等半导体元件上。
半导体元件

[发明专利]具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块-CN201510071017.0有效
发明人： A.海因里希;P.帕尔姆;T.西姆贝克;H.托维斯滕 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。
具有结合金属半导体管芯模块

[发明专利]非金属导体材料-CN200610050937.5无效
发明人：濮方正 -专利权人：濮方正
申请日： 2006-02-10 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种非金属导体材料，它由导电焦炭粉粒、导电无烟煤和水泥或固化材料或粘合材料经物理络合后组成，经络合后的非金属导体，具有金属般的导电性能，却没有金属导体易被腐蚀、易被氧化的缺点，因此在腐蚀和氧化严重的环境中可作为金属导体的替代品，同时本发明还具有金属导体所不能替代的多项特性。因此，这种由导电焦炭粉粒、导电无烟煤粉粒和水泥或固化材料或粘合材料制成的非金属导体材料可以加工出：接地降阻材料、电磁屏蔽防静电材料、地面热传导材料、非金属导体零部件。本发明的非金属导体材料性能稳定，导电率高、电阻值低、无毒、无味、无腐蚀、无污染是符合现代环保要求的绿色产品。原材料来源广泛，配方简单易推广，施工方法简便易撑握。
非金属导体材料

[实用新型]可恢复式感温电缆-CN202020396572.7有效
发明人：李磊 -专利权人：唐山微睿联信息技术有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01B7/32 文献下载
摘要：本实用新型提供可恢复式感温电缆，所述可恢复式感温电缆由第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三金属弹性导体组成，所述第一金属弹性导体与第二金属弹性导体的外部均首先包裹一层热敏材料层，在热敏材料层的基础上再包裹一层导电层，所述第三金属弹性导体外无包裹层，将包裹了热敏材料层和导电层的第一金属弹性导体和第二金属弹性导体与无包裹的第三金属弹性导体相互绞合，绞合后在第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三金属弹性导体的外部包裹一层防护膜层本实用新型在温度升高时只有热敏材料层会发生软化，导电，层不发生变化，且当温度降低时热敏材料层又会恢复塑化状态，不影响感温电缆的精度。
可恢复式感温电缆

[发明专利]立式PIN二极管-CN202180012305.2在审
发明人：安杰伊·罗兹比斯基;贝琳达·西蒙娜·埃德梅·皮尔纳斯;大卫·鲁塞尔·霍格;詹姆士·约瑟夫·布罗格;蒂莫西·爱德华·博莱斯 -专利权人：玛科姆技术方案控股有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：描述了一种二极管半导体结构。在一个示例中，二极管器件包括衬底、第一掺杂类型的第一半导体材料层、本征半导体材料层和第二掺杂类型的第二半导体材料层。二极管器件还包括形成在第一半导体材料层上的金属触点和从衬底的背面穿通衬底并且穿通第一半导体材料层而形成的金属过孔，其中，金属过孔接触第一半导体材料层上的金属触点的底表面。在这种配置中，可以在衬底的背面与第一半导体材料层上的金属触点之间实现直接的电连接，而不需要与金属触点的额外金属连接，诸如金属空气桥。
立式 pin 二极管

[发明专利]基于电致发光原理的发光单元结构及显示器件-CN201610595306.5在审
发明人：赵薇薇;岳红延;魏仙琦 -专利权人：杭州大科柔显电子技术有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电致发光原理的发光单元结构，包括支撑芯，所述的支撑芯上设置导体镀层，所述的导体镀层套设在支撑芯外部，所述的导体镀层外部设置至少一个发光材料层，所述的发光材料层与导体镀层之间设置介质内层，所述的介质内层与发光材料层和导体镀层均贴合。本发明在金属导电镀层与发光材料层之间还设置了介质内层，介质内层可以用不隔离导体镀层与发光材料层，防止发光材料层与导体镀层接触，并且将原有的金属芯采用非金属制成的支撑芯，在支撑芯是外表面电镀一层金属导体镀层，利用金属导体镀层进行导电，使发光材料可以发光，这样可以大大减少金属材料的使用比例，降低了金属材料的消耗，还可以起到环保作用。
基于电致发光原理发光单元结构显示器件

[实用新型]基于电致发光原理的发光单元结构及显示器件-CN201620793511.8有效
发明人：赵薇薇;岳红延;魏仙琦 -专利权人：杭州大科柔显电子技术有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于电致发光原理的发光单元结构，包括支撑芯，所述的支撑芯上设置导体镀层，所述的导体镀层套设在支撑芯外部，所述的导体镀层外部设置至少一个发光材料层，所述的发光材料层与导体镀层之间设置介质内层，所述的介质内层与发光材料层和导体镀层均贴合。本实用新型在金属导电镀层与发光材料层之间还设置了介质内层，介质内层可以用不隔离导体镀层与发光材料层，防止发光材料层与导体镀层接触，并且将原有的金属芯采用非金属制成的支撑芯，在支撑芯是外表面电镀一层金属导体镀层，利用金属导体镀层进行导电，使发光材料可以发光，这样可以大大减少金属材料的使用比例，降低了金属材料的消耗，还可以起到环保作用。
基于电致发光原理发光单元结构显示器件

[发明专利]制造包括金属氮化物层的半导体器件的方法和半导体器件-CN201510947758.0在审
发明人： J.P.康拉特;R.舍尔纳;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及制造包括金属氮化物层的半导体器件的方法和半导体器件。制造半导体器件的方法包括将氮引入到金属层中或引入到金属氮化物层中，金属层或金属氮化物层被形成为与半导体材料接触。半导体器件包括半导体材料以及与半导体材料接触的金属氮化物层。金属氮化物具有大于金属氮化物中氮的溶解度限制的氮含量。
制造包括金属氮化物半导体器件方法

[发明专利]金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置-CN201110122599.2无效
发明人：冯建明 -专利权人：冯建明
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置，它由两块金属材料板和两块P型半导体板依次相互接触构成，金属材料板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起，P型半导体板2的右表面与金属材料板3的左表面接触在一起，金属材料板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。在金属材料板1与金属材料板3之间或在P型半导体板2与P型半导体板4之间接上负载后就能实现热电转换，在金属材料板1与金属材料板3之间或在P型半导体板2与P型半导体板4之间接上直流电源后就能实现制冷或制热。
金属半导体结四极管式热电转换制冷制热装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件-CN201810299671.0有效
发明人：张海洋;王梓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介电层，在所述第一层间介电层中形成有多个通孔；执行第一金属材料沉积工艺，形成覆盖所述半导体衬底并填充所述通孔的第一金属材料，执行第一金属材料刻蚀工艺，去除所述通孔以外的所述第一金属材料以形成多个第一金属材料插塞；执行第二金属材料沉积工艺，形成覆盖所述半导体衬底的第二金属材料，执行第二金属材料刻蚀工艺，以形成至少覆盖一个所述第一金属材料插塞中的第二金属材料层；形成覆盖所述半导体衬底的第二介电材料层，执行第二介电材料刻蚀工艺，形成露出所述第二金属材料层的第二层间介电层。
一种半导体器件制造方法

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