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[发明专利]一种提高金属化球团用量的方法-CN202310583703.0在审
发明人：李涛;聂文金;王志福;杨欣;赵星星;皋萍;张玉飞;吴涛;沈旭华;姜丛翔;陈高攀 -专利权人：江苏沙钢集团有限公司;张家港宏昌钢板有限公司;江苏省沙钢钢铁研究院有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C22B1/24 文献下载
摘要：本发明提出了一种提高金属化球团用量的方法，包括：步骤1、筛选金属化率80%以上的，作为废钢使用；步骤2、将金属化率≥80%的金属化球团与废钢按固定模式装入废钢料包中；步骤3、电炉预处理，使得电炉中不留钢水，以防止金属化球团落入钢水中后续升温时发生剧烈碳氧反应，导致大范围喷溅；步骤4、将废钢料包中的废钢与金属化球团放入电炉中，之后通电以融化电炉中的废钢与金属化球团；步骤5、在冶炼中期，加入铁水，以用于辅助融化与还原金属化球团中的FeO；步骤6、待电炉中的废钢与金属化球团全部融化后，进入常规冶炼工序正常冶炼。本发明可以提升高功率电炉或者超高功率电炉金属化球团的用量。
一种提高金属化用量方法

[发明专利]受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善-CN201480083536.2有效
发明人： K·J·辛格;A·M·迈尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，包括在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。一种装置，包括集成电路衬底；在衬底上的第一金属化层级；第二金属化层级；以及设置在所述第一金属化层级和所述第二金属化层级之间的掩模，所述掩模包括具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运，其中，所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的每一个包括多条金属线，并且所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的至少一个的相邻金属线的一部分由空隙隔开。
受益集成电容对准短路改善

[发明专利]一种电镀金属化电极的制备方法-CN201910958623.2有效
发明人：王钊;杨洁;陈彭;武禄;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种电镀金属化电极的制备方法，包括在待电镀金属化对象的背面制备具有欧姆接触的背面金属化电极；在所述待电镀金属化对象的正面的待制作正面金属化电极的区域开槽去除钝化介质层；对所述开槽位置的损伤进行氢钝化；将所述待电镀金属化对象放入电镀液中，对所述背面金属化电极通电，在正面的开槽内沉积金属，形成正面金属化电极。上述电镀金属化电极的制备方法，能够降低光伏电池金属化用料成本，提高电池片良率，提升光伏电池的转换效率。
一种电镀金属化电极制备方法

[发明专利]多内串结构金属化薄膜-CN201810346972.4在审
发明人：钱锦绣 -专利权人：钱立文
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明多内串结构金属化薄膜，包括经分切机分切后形成的第一金属化薄膜(1)以及第二金属化薄膜(2)；所述第一金属化薄膜(1)、第二金属化薄膜(2)均设置有宽金属镀层带(3)、窄金属镀层带(4)；所述宽金属镀层带(3)与窄金属镀层带(4)之间均设置有空白隔离带(5)。采用其制造的金属化电力电容器，可节约成本，减少了加工工序，产品的故障率低。
金属镀层带金属化薄膜结构金属薄膜金属化电力电容器空白隔离带加工工序分切机故障率分切节约制造

[发明专利]金属化薄膜电容器-CN200780020236.X有效
发明人：藤井浩;京田卓也;竹冈宏树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-08-27 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属化薄膜电容器，该金属化薄膜电容器可以同时实现高耐热和高耐电压化。在以金属蒸镀电极隔着电介质薄膜彼此相对的方式，卷绕在PEN薄膜上形成有上述金属蒸镀电极的一对金属化薄膜，并在上述金属化薄膜的两个端面上形成金属喷镀电极的金属化薄膜电容器中，在上述金属蒸镀电极上设置分割电极部而且，设置利用熔断部连接上述分割电极部而构成的自保护功能，且使蒸镀图案的通过率a/b在4.0以下，该通过率a/b由上述熔断部的宽度a、与金属化薄膜的长度方向上的分割电极部的长度b的比值表示。
金属化薄膜电容器

[实用新型]一种避免信号接地短路的通孔结构及PCB板-CN201821838450.8有效
发明人：蔡文新 -专利权人：重庆思睿创瓷电科技有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本专利涉及印刷电路板技术领域，公开了一种避免信号接地短路的通孔结构，包括金属化过孔、非金属化背钻孔和绝缘材料片；所述非金属化背钻孔上端面与金属化过孔下端面重合，所述非金属化背钻孔上端面处于中间层与接地层之间，所述非金属化背钻孔的半径大于所述金属化过孔的半径；所述绝缘材料片设置于所述非金属化背钻孔内，将非金属化背钻孔位于接地层上的端面完全封闭；所述绝缘材料片面向金属化过孔的一端的端面上向内凹陷形成一盲孔，所述盲孔的半径介于所述非金属化背钻孔的半径和所述金属化过孔的半径之间解决了现有技术中使用盲孔设计带来的PCB板加工周期长、加工成本高、制造废品率高的技术问题。
非金属化背钻孔金属化过孔盲孔绝缘材料片通孔结构信号接地接地层上端面短路印刷电路板技术绝缘材料完全封闭向内凹陷下端面中间层重合加工制造

[发明专利]一种玻璃的孔金属化工艺-CN202310296653.8在审
发明人：易伟华;张迅;刘松林;严伟勇;彭庆;边聪 -专利权人：湖北通格微电路科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种玻璃的孔金属化工艺，包括以下步骤：对玻璃依次进行上片前贴膜、孔金属化、预烤、撕膜、表面导电膏处理和固烤，包装后得到孔金属化的玻璃成品。与现有技术相比，本发明提供的玻璃的孔金属化工艺，采用特定工艺步骤，实现整体较好的相互作用，能够适用于超薄玻璃的孔金属化，破片率低且导通效果好。实验结果表明，本发明提供的玻璃的孔金属化工艺，破片率低于2％；得到的孔金属化的超薄玻璃成品的导电阻值为1±0.9Ω，实现硬性及柔性miniled显示效果更加清晰，具有广阔的应用前景。
一种玻璃金属化工艺

[发明专利]电路板金属化半孔的制作方法-CN201910726944.X在审
发明人：李强 -专利权人：宏华胜精密电子（烟台）有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电路板金属化半孔的制作方法，包括以下步骤：提供一电路板，所述电路板具有至少一金属化孔；向所述金属化孔中填充树脂油墨并固化所述树脂油墨；切割填充有所述树脂油墨的所述金属化孔，得到金属化半孔；本发明提供的所述电路板金属化半孔的制作方法能够提高电路板金属化半孔的良率，避免人力检测导致的生产成本高的问题。
电路板金属化制作方法

[发明专利]一种欧冶炉低硅冶炼的方法-CN202211125669.4有效
发明人：季书民;邹庆峰;贾志国 -专利权人：新疆八一钢铁股份有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C21B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种欧冶炉低硅冶炼的方法，提出生铁含硅的生铁含硅变化趋势，通过调整各参数的大小、方向、程度、时间的管理，稳步提高竖炉的金属化率，稳步降低气化炉的燃料比，冶炼低硅生铁的方法，综合预判影响金属化率操作参数变化因素，根据影响因素的正负相关性，调整工艺参数；根据金属化率提高的趋势，判断调剂影响金属化率操作参数的方向、手段，调整气化炉燃料比的动作量和时机的选择，通过调剂结果的预判和验证，总结低硅冶炼的经验。通过金属化率趋势管理调整生铁含硅的炉温的发展趋势，采取适量调剂并观察效果作微量调整，达到生铁含硅稳定控制在允许的较低的稳定的波动范围内。
一种欧冶炉低硅冶炼方法

[发明专利]一种塑料制品表面金属化方法及制品-CN201910696707.3有效
发明人：曾庆明;宋亦健;李友;孙宇曦 -专利权人：广东硕成科技股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明提供一种塑料制品表面金属化方法及制品，采用真空镀的方法进行金属化和采用电镀镀膜的方法进行金属化；用以解决特定金属层和基底层之间的结合力；以及产品的透光率；无溢镀和漏镀现象，可容易实现非金属表面的选择性金属化
一种塑料制品表面金属化方法制品

[实用新型]氧化铍陶瓷金属化烧结工装-CN202122119509.6有效
发明人：王怀然;林贵洪;尚华;段冰 -专利权人：宜宾红星电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： F27B21/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及氧化铍陶瓷金属化领域，公开了一种氧化铍陶瓷金属化烧结工装。本实用新型通过在垫片上设置与氧化铍陶瓷金属化面积大小相适应的通孔，便于进行一次烧结，实现双面金属化并且避免了氧化铍陶瓷与垫片粘接；还在垫片上设有与待金属化氧化铍陶瓷边沿形状相适应的并且与之贴合的侧壁，侧壁对金属化氧化铍陶瓷进行限位，防止在烧结过程中氧化铍陶瓷发生偏移；侧壁开设有便于排气的缺口，未完全将带金属化氧化铍陶瓷进行包围，便于烧结过程中的排气，提高烧结质量；此外，所述垫片和侧壁材质均为氧化铍，在烧结过程中与氧化铍陶瓷接触，本实用新型结构简单，提高了氧化铍陶瓷金属化的合格率，减少了废品率，大大节约了成本。
氧化铍陶瓷金属化烧结工装

[发明专利]应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法-CN201810458117.2有效
发明人：张鹏飞;夏庆水;唐利锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提出的是一种应用于高温共烧陶瓷的高导电率金属化层的制备方法，包括以下步骤：（1）通过流延工艺获得氧化铝生瓷带；（2）配制满足丝网印刷的WCu金属化浆料和W金属化浆料；（3）将WCu金属化浆料印制在氧化铝生瓷带表面；（4）采用相同的印刷图形，在WCu金属化图形表面印刷W金属化浆料；（5）采用层压叠片工艺实现多层氧化铝生瓷带结合得到金属化层；（6）通过生切和烧结获得单个熟瓷瓷件。优点：工艺过程简单，制备出的高温共烧基板表面金属化的方块电阻低至约5mΩ，同时兼具优良抗弯强度、可镀性及较好的经济性。
应用于高温陶瓷导电金属化制备方法

[发明专利]一种铬金属化料球的制备方法和应用-CN201910660624.9在审
发明人：孙凌玉 -专利权人：孙凌玉
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C22B1/24 文献下载
摘要：本发明涉及合金冶炼技术领域，尤其涉及一种铬金属化料球的制备方法和应用，本发明提供的铬金属化料球的制备方法，包括以下步骤：将铬粉矿、碎焦粉和膨润土混合、造粒后，依次进行干燥、加热和第一焙烧，得到铬基氧化料球；将所述铬基氧化料球和煤混合，进行第二焙烧，得到铬金属化料球。本发明所述的制备方法是先将铬粉矿制造成高强度、高孔隙率的铬基氧化料球，所述铬基氧化料球内部没有残碳；再用煤作为还原剂和热源，将氧化料球还原成铬金属化料球，所述铬金属化料球的金属化率一致性好，相对均匀的铬金属化球
一种金属化制备方法应用

[实用新型]低频率谐振器-CN202221327043.7有效
发明人：黄小丽;刘亚东 -专利权人：苏州捷频电子科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低频率谐振器，包括至少两个谐振器本体，一个谐振器本体轴向上的两个端面分别设置为金属化短路面和第一连接面，第一连接面上设有第一金属化区域和第一去金属化区域，第一金属化区域与谐振孔内壁的内金属化层连接；另一个谐振器本体轴上的两个端面分别设置为第二连接面和开放面，第二连接面上设有第二金属化区域和第二去金属化区域，第二金属化区域与谐振孔内壁的内金属化层连接；第一连接面和第二连接面贴合设置，并通过第一金属化区域和第二金属化区域焊接固定，第一金属化区域与第二金属化区域电气连接。本实用新型谐振器的频率能够做到400MHz以下，同时生产400MHz以上频率的谐振器的良率更高。
频率谐振器

[发明专利]一种局部金属化热转印膜的生产方法-CN200910048454.5无效
发明人：金哲 -专利权人：禹辉(上海)转印材料有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： B44C1/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种局部金属化热转印膜的生产方法，该方法包括以下步骤：(1)在载体膜上涂布离型层和功能层；(2)将在步骤(1)得到的膜上印刷信息层和保护层及局部金属化层；(3)将在步骤(2)得到的膜进行真空蒸镀得到金属化层；(4)将在步骤(3)得到金属化层的转印膜通过水洗机进行水洗，局部金属化层的水溶性树脂迅速溶解于水中，将不需要的金属层洗掉得到局部金属化层；(5)在步骤(4)得到的局部金属化层上涂布1～2层接着层，使其与金属化层牢固粘接与现有技术相比，本发明具有工序少、产品率高、无污染、可生产多种金属效果等优点。
一种局部金属化热转印膜生产方法

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