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[发明专利]一种提升容值的补偿电容结构及制作方法-CN202010474377.6在审
发明人：宋爽 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种提升容值的补偿电容结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属；制作第一绝缘层；制作第二半导体层；制作第二绝缘层；制作第二极板金属和第二极板金属；制作第三绝缘层；在第三绝缘层上制作连通第一极板金属的第二过孔，在第三绝缘层上制作连通第二半导体层的第三过孔；制作第三极板金属和源漏极金属。上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容，分别为第一极板金属与第二极板金属、第二极板金属与第三极板金属。
一种提升补偿电容结构制作方法

[发明专利]闭孔和开孔相结合的泡沫金属或非金属材料及其制作方法-CN201210099241.7无效
发明人：宋培荣 -专利权人：宋培荣
申请日： 2012-04-08 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C22C1/08 文献下载
摘要：本发明闭孔和开孔相结合的泡沫金属或非金属材料及其制作方法公开了一种泡沫金属或非金属材料含闭孔和开孔的闭孔和开孔相结合的泡沫金属或非金属材料及其制作方法，即先制作闭孔材料，再用闭孔材料和制作闭孔和开孔相结合泡沫金属或非金属的原材料按常规制作开孔泡沫金属或非金属材料方法制作出闭孔和开孔相结合的泡沫金属或非金属材料；是泡沫金属或非金属材料是泡沫金属或非金属材料界的突破，提供了新的泡沫金属非金属材料及其制作方法，在民用和军用上有广泛的用途。
相结合泡沫金属非金属材料及其制作方法

[发明专利]一种用于非理想切割钻石的镶嵌方法-CN202011425956.8有效
发明人：徐婧竞;张荣红;杨少武 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： A44C17/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于非理想切割钻石的镶嵌方法，涉及钻石镶嵌技术领域；镶嵌方法包括：S1、镶口模型的制作：T1、制作金属基底，并根据钻石的形状和尺寸，在金属基底上制作与钻石形状和尺寸相匹配的镂空；T2、在金属基底的内壁上制作侧部金属作用面；T3、在相邻金属作用面之间的镂空处制作金属镶嵌柱，使得金属镶嵌柱与金属基底联集；T4、在金属基底的底部制作底部金属层和金属柱，使得底部金属层通过金属柱与金属基底联集；在底部金属层的顶部制作底部金属作用面，得到镶口模型；S2、镶口模具的制作；S3、镶口的浇注；S4、第一次打磨抛光；S5、钻石的镶嵌；可以起到收集、利用钻石漏光的作用，有效地增强非理想切割钻石的闪烁、明亮和火彩。
一种用于理想切割钻石镶嵌方法

[发明专利]一种轻型充泡金属板材的制作方法-CN201610861225.5有效
发明人：黄伟雄 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明涉及板材技术领域，更具体地，涉及一种轻型充泡金属板材及其制作方法，所述金属板材包括金属底板、金属面板及若干层金属泡沫，所有金属泡沫固定在金属底板及金属面板之间。本发明为一种轻型充泡金属板材，通过将若干层金属泡沫固定在金属底板及金属面板之间，使得该轻型充泡金属板材不但重量轻，而且性能好，满足使用者要求；制作该金属板材时，将高温高压形成的金属泡沫填充在金属底板与金属面板之间，在金属泡沫冷凝的过程中，金属泡沫与金属底板及金属面板粘结起来，形成金属板材，该制作方法不但能简化金属板材的制作工艺，提高金属板材的制作效率，而且能降低板材的制作成本。
金属板材金属泡沫金属底板金属面板制作板材技术领域使用者要求高温高压制作工艺重量轻冷凝粘结填充

[发明专利]一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法-CN201811165316.0有效
发明人：卢双豪;梁赟;朱唐 -专利权人：北京梦之墨科技有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法，涉及低熔点金属技术领域。本发明提供的低熔点金属器件的制作方法包括：提供一封装薄膜和一基材；在所述封装薄膜上制作低熔点金属图案；将制作有所述低熔点金属图案的所述封装薄膜与所述基材复合；其中，所述封装薄膜上制作有所述低熔点金属图案的一面朝向所述基材本发明的技术方案能够不受基材与低熔点金属之间的粘附性的限制，制作低熔点金属器件，有利于扩展低熔点金属的应用。
一种熔点金属器件制作方法太阳能电池

[发明专利]一种金属电池盖及其制作方法-CN201610268996.3在审
发明人：胡江华 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金属电池盖及其制作方法，所述金属电池盖的制作方法包括制备所述金属电池盖本体、金属电池盖上件和金属电池盖下件；制备所述电池盖支架；将所述金属电池盖本体、金属电池盖上件和金属电池盖下件分别固定安装在所述电池盖支架的相应位置上，形成金属电池盖。本发明提供的金属电池盖制作方法，通过将金属电池盖中的金属电池盖本体、金属电池盖上件和金属电池盖下件以及电池盖支架四个部分分别制作，相比于现有技术中采用模内注塑的方法来制备金属电池盖，其成本大大降低，制作时间周期短，制作过程简单等优点。
一种金属电池及其制作方法

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法-CN201910672699.9有效
发明人：陈诚;余赟 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：阵列基板包括层叠设置的衬底层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间绝缘层、有机填充层和第三金属层；显示区设计网状第二金属层，通过第一过孔与第三金属层的电源电压信号线电连接，形成显示区双层电源电压走线结构阵列基板制作方法包括步骤：制作衬底层、制作有源层、制作第一绝缘层、制作第一金属层、制作第二绝缘层、制作第二金属层、制作层间绝缘层、制作第三金属层、制作平坦化层、制作阳极层、制作像素定义层、制作支撑层。
一种阵列显示面板制造方法

[发明专利]轻金属膜粘附重金属胶体的光栅制作工艺-CN202010398319.X有效
发明人：郭金川;吴浩;宗方轲;杨君;罗琨皓 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种轻金属膜粘附重金属胶体的光栅制作工艺，属于光学元件领域，其包括：制备重金属胶体溶液、添加粘合剂、粘附重金属胶体溶液、制作复合膜叠层、切割和封装五大步骤，首先通过重金属盐制备得到重金属胶体，再向重金属胶体中添加加热易挥发的粘附剂增加重金属胶体的粘性，再将轻金属膜通过粘性重金属胶体中得到两层粘附重金属层的粘附性轻金属膜，再将轻金属膜和粘附性轻金属膜交错折叠得到复合膜堆，最后切割、封装复合膜堆得到光栅，整个本发明制作光栅制作周期短，成本价格低，制作过程方便快捷。制作的结构不会垮塌，通过控制轻元素金属板材的宽度，用来制作任意面积的光栅，通过一次制作，可大批量生产出X射线光栅。
金属膜粘附重金属胶体光栅制作工艺

[发明专利]一种金属消音尖劈的制作方法-CN201510344840.4有效
发明人：王松伟;徐宏星;谢晶 -专利权人：江苏英思达科技有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： B21D35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属消音尖劈的制作方法，属于机械技术领域。它解决了现有金属消音尖劈的制造方法工序复杂、制造成本高等问题。本金属消音尖劈的制作方法，金属消音尖劈包括无纺布、吸声棉、V形面板、角板、挂架、压条，该制作方法包括以下步骤A、制作V形面板；B、制作角板；C、制作挂架；D、制作压条；E、组装；F、喷粉；G、填棉。本金属消音尖劈的制作方法具有提高成品质量且工序简单等优点。
一种金属消音制作方法

[发明专利]一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法-CN200710046687.2无效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，该金属垫制作在已制成顶层金属的半导体器件上。现有技术中制作完扩散阻挡层后并无致密步骤致使顶层金属易穿过该扩散阻挡层而进入金属垫，从而使金属垫流电效率降低并被腐蚀。本发明的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法首先在该顶层金属上制作扩散阻挡层；然后致密该扩散阻挡层；接着通过物理气相沉积工艺沉积金属层；最后依据金属垫图形进行光刻和刻蚀以形成金属垫。采用本发明的可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法可制成致密的扩散阻挡层，有效避免了顶层金属向金属垫中的扩散，从而可大大提高半导体器件的性能。
一种避免顶层金属腐蚀金属制作方法

[发明专利]半导体金属化方法及半导体器件-CN202310886781.8在审
发明人：车洪祥;王友伟;张焜 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施方式提出一种半导体金属化方法及半导体器件，属于半导体技术领域，通过在待金属化的半导体器件的金属硅化物制作金属阻挡层，并通过该金属阻挡层形成第一通槽，从而将第一通槽作为待填充通槽，在待填充通槽内制作金属阻挡层，进而采用电镀的方式在待填充通槽内制作金属塞，之后进行平坦化，并在半导体器件上淀积第一介质层，继续在金属塞上制作金属层，并制作金属图形导线，进而淀积层间介质层，并在层间介质层上制作第二通槽，继续工艺流程直至金属化结束，实现采用电镀制作金属塞的方式，能够在待填充通槽完全塞满金属的前提下，极大地减小金属塞表面金属的厚度，从而能够降低工艺时长和工艺成本。
半导体金属化方法半导体器件

[发明专利]一种半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构-CN202210000409.8在审
发明人：许飞 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构，所述制作方法包括：提供一管芯；在所述管芯上方制作再分布层，所述制作再分布层的步骤包括：在所述管芯上方制作第一再分布金属层；利用化学镀工艺或电镀工艺在所述第一再分布金属层上方制作惰性金属层；其中，所述第一再分布金属层包括多个再分布金属块，所述多个再分布金属块之间保持原有的电气连接或电气断开关系。惰性金属的金属特性稳定，并且利用电镀工艺或化学镀工艺制作的惰性金属层能够均匀且完整的覆盖再分布金属块的需要被覆盖的部分或全部侧壁，能够有效解决第一再分布金属层的再分布金属块之间漏电的问题。
一种半导体封装结构制作方法

[发明专利]一种利用金属腐蚀膨胀力制作应力试件的方法-CN201610639592.0有效
发明人：林俊明 -专利权人：爱德森（厦门）电子有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属腐蚀膨胀力制作应力试件的方法，利用金属材料腐蚀膨胀原理，制作金属材料应力试件，并通过标定测量方法得到特定应力值大小的金属材料应力试件，制作方法简单，可制作各种金属管、棒、线材及金属结构件的应力试件
一种利用金属腐蚀膨胀制作应力方法

[发明专利]液冷用金属流道制作方法及液冷金属流道冷板-CN201511011524.1有效
发明人：余怀强;桂进乐;王腾;邓立科;蒋创新;汤劲松 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种液冷用金属流道制作方法及液冷金属流道冷板，制作步骤如下，1）在两块金属板上分别制作出相同结构的若干凹槽并形成比凹槽数多1的肋条，并在肋条上表面、凹槽底部及侧壁制作金属可焊层；2）在凹槽底部及侧壁的金属可焊层上制作导热聚合物材料掩膜层；3）在肋条上表面制作焊料层；4）将两块金属板扣合并使其上的凹槽和肋条一一相对，通过回流焊工艺将两块金属板肋条上的焊料层对应焊接，从而形成金属流道。本发明制作简单、制作出的流道可靠性高、散热性能好。
液冷用金属制作方法流道冷板

[发明专利]应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED-CN201110147591.1无效
发明人：张逸韵;汪炼成;郭恩卿;孙波;伊晓燕;王国宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括：一p型金属电极，该p型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。
应用石墨薄膜电流扩展氮化垂直结构 led

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